北京(jīng)華測試驗儀器(qì)有限公司(sī)LCR數字電橋(qiáo)具體功(gōng)能數(shù)字電橋就是能夠(gòu)測量(liáng)電(diàn)感(gǎn)，電容(róng)，電阻，阻抗的(dí)儀器(qì)，這是(shì)一個(gè)傳統(tǒng)習(xí)慣的(dí)說法，zui早的阻抗(kàng)測量用的是真正(zhèng)的(dí)電(diàn)橋方法，隨著現代(dài)模擬和(hé)數字技(jì)術的(dí)發展(zhǎn)，早(zǎo)已經(jīng)淘(táo)汰(tài)了這種測(cè)量方(fāng)法，但LCR電橋的(dí)叫(jiào)法(fǎ)一直沿用至(zhì)今。如(rú)果(guǒ)是使用(yòng)了微處(chǔ)理(lǐ)器(qì)的(dí)LCR電橋則叫LCR數(shù)字電橋。一般(bān)用(yòng)戶又(yòu)稱(chēng)這(zhè)些為：LCR測試(shì)儀，LCR電橋，LCR表，LCRMeter等等。可(kě)以(yǐ)測量(liáng)大量電(diàn)子元件：廣(guǎng)泛的測量對(duì)象半(bàn)導(dǎo)體元(yuán)件(jiàn)：電(diàn)容器，電(diàn)感器，磁(cí)芯(xīn)，電阻器，變壓(yā)器，芯片組件和(hé)網絡(luò)元件等的阻抗參(cān)數測量(liáng)。其(qí)它元件：印(yìn)製電(diàn)路板(bǎn)，繼電器，開(kāi)關，電纜(lǎn)，電池等的(dí)阻抗評(píng)估(gū)。介(jiè)質(zhì)材(cái)料：塑(sù)料(liào)，陶瓷和(hé)其它材(cái)料(liào)的介(jiè)電(diàn)常(cháng)數(shù)的損耗(hào)角評估。磁性材(cái)料：鐵氧體(tǐ)，非晶體和(hé)其它(tā)磁性(xìng)材料(liào)的導磁(cí)率(shuài)和(hé)損(sǔn)耗角(jiǎo)評估。半(bàn)導體(tǐ)材(cái)料：半導體材(cái)料的介(jiè)電(diàn)常數(shù),導電率(shuài)和C-V特(tè)性(xìng)。液晶材料：液晶(jīng)單(dān)元(yuán)的介電子(zǐ)常(cháng)數(shù)，彈性(xìng)常數等C-V特性(xìng)。多(duō)種(zhǒng)元件(jiàn)，材料特性測(cè)量能力多(duō)參數(shù)混合顯示(shì)功能(néng)多參(cān)數同時顯示可滿足(zú)復(fù)雜元件各種分(fēn)布參(cān)數的(dí)觀察(chá)與評估要(yào)求(qiú)，而不必反復(fù)切換測量參數(shù)。電感L和(hé)其直流電(diàn)阻(zǔ)DCR可以(yǐ)同(tóng)時(shí)測量(liáng)顯示，顯著提高電感測(cè)量效率(shuài)。揭(jiē)示(shì)電(diàn)感器件(jiàn)的多種特性使用(yòng)內(nèi)部(bù)/外(wài)部直流偏置，結合各種掃(sǎo)描(miáo)測試功能，可以地(dì)分(fēn)析磁(cí)性(xìng)材料，電感器件的。通(tōng)過(guò)偏(piān)置(zhì)電(diàn)流(liú)疊(dié)加(jiā)測(cè)試功能，可以測(cè)量高頻(pín)電感(gǎn)器(qì)件，通(tōng)訊變(biàn)壓器，濾波(bō)器的(dí)小(xiǎo)電流(liú)疊(dié)加。使(shǐ)用外部電流疊加裝置(zhì)，可(kě)使(shǐ)偏(piān)置(zhì)電(diàn)流達(dá)40A以(yǐ)分析高功率，大電(diàn)流電感器(qì)件(jiàn)。的陶瓷(cí)電容(róng)測量(liáng)1kHz和1MHz是陶(táo)瓷(cí)材料(liào)和電(diàn)容(róng)器(qì)的(dí)主要測試頻(pín)率。陶(táo)瓷(cí)電容器具有低損耗值的(dí)特征，同(tóng)時(shí)其容(róng)量(liáng)，損耗施加(jiā)之交流(liú)信號會產生(shēng)明(míng)顯的變化(huà)。儀器(qì)具(jù)有(yǒu)寬(kuān)頻測(cè)試能力(lì)並(bìng)可(kě)提(tí)供(gōng)良好(hǎo)的準(zhǔn)確(què)度，六(liù)位分辨率和自動電(diàn)平控(kòng)製(zhì)（ALC）功能等，中以滿(mǎn)足(zú)陶(táo)瓷(cí)材料(liào)和電(diàn)容(róng)器可(kě)靠，測試需(xū)要(yào)。液晶(jīng)單(dān)元(yuán)的(dí)電(diàn)容(róng)特(tè)性(xìng)測量電(diàn)容－電壓(yā)（C－Vac)特(tè)性(xìng)是評價液(yè)晶材料(liào)的主(zhǔ)要方法(fǎ)，常(cháng)規儀(yí)器(qì)測(cè)量(liáng)液(yè)晶(jīng)單(dān)元的(dí)C－Vac特(tè)性(xìng)遇到一個問(wèn)題(tí)是zui大(dà)測試(shì)電壓(yā)不(bù)夠(gòu)。使用擴(kuò)展測量選件(jiàn)可提(tí)供分辨(biàn)率(shuài)為1%及zui高(gāo)達20Vms的(dí)可編(biān)程(chéng)測試(shì)信(xìn)號(hào)電平(píng)，使它(tā)能在(zài)*條件下(xià)進(jìn)行液晶(jīng)材(cái)料(liào)的(dí)電(diàn)容(róng)特(tè)性(xìng)測量。半(bàn)導體材(cái)料(liào)和元件的(dí)測量(liáng)進(jìn)行MOS型半(bàn)導(dǎo)體(tǐ)製(zhì)造(zào)工(gōng)藝評價時，需要氧化層(céng)電容和襯底雜質密(mì)度這些參數，這些可從(cóng)C－Vdc特(tè)性的測量結果推導出來(lái)。通過提供(gōng)的(dí)直流源(yuán)，結(jié)合各種掃描功能(néng)，可以方(fāng)便地(dì)完成C-VDC特性的測(cè)量(liáng)。為了測(cè)試(shì)晶圓(yuán)上的(dí)半導體(tǐ)器件，需要(yào)延(yán)伸電纜(lǎn)和探頭，儀器(qì)的(dí)1m/2m/4m延伸電纜選件(jiàn)可將電(diàn)纜(lǎn)延伸的(dí)誤(wù)差(chà)降至(zhì)zui小。各(gè)種二極(jí)管(guǎn)，三極管(guǎn)，MOS管(guǎn)的分布電容(róng)也是本儀器(qì)的測(cè)試內容(róng)。