新材(cái)料(liào)電阻率測定(dìng)直排四探(tàn)針法(fǎ)——測量程(chéng)序(xù)及測量條件

5測量(liáng)程(chéng)序

5.1  測量(liáng)條件

5.1.1 環(huán)境溫度為 23±5℃ ，相對濕(shī)度(dù)不大於(yú)65%.

5.1.2 電磁(cí)屏(píng)蔽。

5.1.3 高(gāo)阻(zǔ)試(shì)樣應在(zài)光屏蔽條件(jiàn)下測量。

5.1.4 試樣中電(diàn)場(cháng)強度(dù)不(bù)能(néng)過大(dà)，以(yǐ)避(bì)免(miǎn)少數(shù)載流子(zǐ)注(zhù)入(rù)。如果使用的電流適(shì)當(dāng)，則用該(gāi)電流(liú)的兩(liǎng)倍或一半(bàn)時，引起電阻率的變(biàn)化(huà)應(yīng)小於(yú)0. 5%

5.2   確定(dìng)探針(zhēn)間距與(yǔ)探針狀(zhuàng)態

5.2.1 將(jiāng)四(sì)探(tàn)針以(yǐ)正(zhèng)常壓(yā)力壓(yā)在(zài)嚴格(gé)固(gù)定的拋光(guāng)矽(guī)片(piàn)表麵上，形成(chéng)一組壓(yā)痕(hén).提(tí)起(qǐ)探針(zhēn)，在垂直於探(tàn)針尖連(lián)綫(xiàn)方(fāng)向上移動(dòng)矽片表麵或探針0. 05~0.10 mm，再(zài)將探(tàn)針(zhēn)壓到(dào)矽(guī)片表麵上，重(zhòng)復上(shàng)述步(bù)驟，直(zhí)到(dào)獲得10組壓(yā)痕。

注(zhù)：建議在(zài)兩組或(huò)3組壓痕(hén)後，將矽片表麵或(huò)探(tàn)針移動(dòng)上(shàng)述距(jù)離(lí)的(dí)兩(liǎng)倍，以(yǐ)幫助(zhù)操(cāo)作者識別壓(yā)痕屬(shǔ)於(yú)哪一組(zǔ)。

5.2.2 將矽片表麵(miàn)清(qīng)洗，用(yòng)空(kōng)氣幹燥。

5.2.3將此(cǐ)具有壓痕的(dí)矽(guī)片表(biǎo)麵置於工具顯(xiǎn)微(wēi)鏡(jìng)的(dí)載(zǎi)物(wù)台上，使(shǐ)y軸的(dí)讀(dú)數（圖(tú)6中(zhōng)的(dí)y^B和(hé)y^A ）相差(chà)不大(dà)於0.150mm，把在工(gōng)具顯(xiǎn)微(wēi)鏡(jìng)中(zhōng)的10組(zǔ)壓(yā)痕(hén)A到H的x軸讀(dú)數(shù)記錄(lù)在表(biǎo)中，到1μm.

5.2.4   在放(fàng)大(dà)倍數(shù)不小於 400倍(bèi)的(dí)顯(xiǎn)微(wēi)鏡(jìng)下(xià)檢查壓(yā)痕(hén)。

5.2.5  按6.1條(tiáo)計算探針間距(jù)S，平均探(tàn)針間距S.標(biāo)準偏差(chà)o；和探針係數C。

5.2.6   對於(yú)合格的探(tàn)針，必須滿(mǎn)足下述條(tiáo)件。

5.2.6.1 對於(yú)S，來說，3組10次(cì)測(cè)量值的(dí)每一(yī)組(zǔ)樣品標(biāo)準偏(piān)差(chà)a，應小於(yú)S的(dí)0. 30%

5.2.6.2 S₁,S₂和S₃的差應不(bù)大於(yú) 2%.

5.2.6.3 每根(gēn)探針(zhēn)的(dí)壓(yā)痕(hén)應隻(zhī)出(chū)現一個接觸麵，大(dà)直(zhí)徑綫度(dù)小於(yú)100μm.如(rú)果有(yǒu)的壓痕出現不(bù)連續的(dí)接觸(chù)麵，則換(huàn)探(tàn)針並重(zhòng)新測量。

5.2.6.4 在(zài)放大倍(bèi)數為(wéi) 400倍的(dí)顯微(wēi)鏡下檢驗(yàn)時，在(zài)與(yǔ)矽片表麵(miàn)的(dí)接(jiē)觸麵上出(chū)現明(míng)顯(xiǎn)的橫向(xiàng)移動(dòng)的(dí)探(tàn)針是不合(hé)格(gé)的。該探(tàn)針(zhēn)係統必須(xū)重(zhòng)新(xīn)調整(zhěng)，以防止上(shàng)述(shù)移(yí)動。