壓(yā)電半(bàn)導(dǎo)體(tǐ)的介紹

    壓電材料(liào)的(dí)演變(biàn)過程基本上(shàng)是
：晶體(tǐ)（天(tiān)然(rán)水晶(jīng)到人工水晶）→壓(yā)

電(diàn)陶瓷（鈦(tài)酸鋇，鋯鈦酸鉛(qiān)及(jí)铌(ní)鈷酸鉛(qiān)）→晶體。目(mù)前應用(yòng)大(dà)的仍

是壓(yā)電(diàn)陶瓷，並(bìng)作(zuò)了大量改性工作(zuò)和尋找(zhǎo)新(xīn)係統(tǒng)，另一方麵(miàn)大力培(péi)育(yù)

人工晶體(tǐ)，除(chú)常用(yòng)的水晶外，目前壓電晶體(tǐ)可分兩大(dà)類，即(jí)壓(yā)電

單晶和壓(yā)電半導體，前者以LiNbO₃，LiTaO₃為代表(biǎo)後者(zhě)以CdS，

ZnO為代表。壓電半導體是六十年代(dài)興(xīng)起而(ér)盛(shèng)行的材料，為(wéi)時(shí)十年，

發(fā)展(zhǎn)極(jí)為(wéi)迅(xùn)速(sù)。

壓(yā)電半導(dǎo)體即(jí)具有壓電(diàn)性(xìng)與半(bàn)導體(tǐ)的(dí)物(wù)質(zhì)。大致(zhì)可(kě)分(fēn)為三類
：

1，Ⅱb－Ⅵb族化合(hé)物:CdS，CdSe，ZnO，ZnS，CdTe等(děng)。

2，Ⅲb－Ⅴb族化合物:GaAs，GaSb，InAs，InSb等(děng)。

3，Ⅳb族(zú)元素(sù):Se，Te等。

    其(qí)晶體(tǐ)結(jié)構(gòu)大部(bù)分為纖維(wéi)鋅(xīn)礦形（6mm）或(huò)閃(shǎn)鋅(xīn)礦(kuàng)形（43m），

故(gù)具(jù)有壓(yā)電。另因(yīn)有(yǒu)一定的(dí)禁帶寬和適(shì)當(dāng)的雜質(zhì)等級(jí)，故具有(yǒu)半(bàn)

導體。用(yòng)e形(xíng)式(shì)表(biǎo)示壓電(diàn)基(jī)本式(shì)的電(diàn)彈(dàn)矩(jǔ)陣(zhèn)見(jiàn)表1。其晶(jīng)軸(zhóu)方(fāng)向與

振(zhèn)動波(bō)的(dí)見表(biǎo)2。從表中得知(zhī)，對(duì)纖維鋅(xīn)礦(kuàng)單晶在(zài)平行或垂(chuí)直(zhí)於C

軸方(fāng)向加電(diàn)塌(tā)即可；對(duì)閃鋅礦單(dān)晶(jīng)，在【111】和(hé)【110】方向(xiàng)加電塌

即可。這對(duì)應(yīng)用(yòng)參考價值(zhí)很大。

    壓電半(bàn)導體(tǐ)品種繁(fán)多，但(dàn)目前用得(dé)多(duō)的(dí)是CdS，其次(cì)ZnO，此外

還(huán)有(yǒu)CdSe，ZnS等。其壓電(diàn)參數(shù)見(jiàn)表3