熱(rè)釋(shì)電效應的(dí)強(qiáng)弱可用(yòng)熱(rè)釋電係數來(lái)表(biǎo)示。在溫度變化(huà)∆T的情(qíng)況(kuàng)下(xià)，如(rú)果(guǒ)晶體(tǐ)自(zì)發(fā)極(jí)化強(qiáng)度(dù)改(gǎi)變了∆P，則∆P與∆T間的(dí)關(guān)係可(kě)用(yòng)下(xià)式表示∆P=p∆T 

值範圍(wéi)分(fēn)別為i=1,2,3,4,5,6。由於晶體(tǐ)加(jiā)熱時(shí)，要(yào)保(bǎo)持晶(jīng)體應(yīng)變為零的條件是(shì)不易實現(xiàn)的(dí)，所(suǒ)以在一般情(qíng)況(kuàng)下測得(dé)的是自(zì)由熱(rè)釋電(diàn)係數。

  反過來，對(duì)熱(rè)釋電(diàn)晶(jīng)體(tǐ)絕熱施(shī)加電場(cháng)時(shí)，其(qí)溫度將發生變化，這(zhè)種(zhǒng)效應稱(chēng)為逆熱釋(shì)電(diàn)效應或(huò)電生熱效應(yīng)。

  利用熱(rè)釋(shì)電(diàn)效應(yīng)可製成良好(hǎo)的(dí)紅(hóng)外(wài)敏感(gǎn)元(yuán)件。其對熱(rè)釋電(diàn)材料的要求(qiú)是(shì)：①能充分吸收入射的紅外綫；②為了使(shǐ)吸收的(dí)單位熱能(néng)對(duì)應大(dà)的溫(wēn)度(dù)上升幅度，熱釋電材料體比(bǐ)熱應(yīng)小(xiǎo)，且(qiě)方(fāng)便加(jiā)工成(chéng)微型或薄(báo)膜化元(yuán)件(jiàn)；③跟(gēn)溫(wēn)度(dù)對應的表(biǎo)麵(miàn)電荷(hé)變化(huà)大，即(jí)熱(rè)釋(shì)電係(xì)數(shù)p大，室(shì)溫下(xià)的(dí)戶值(zhí)p大，T（居(jū)裏溫度）適當高時，熱(rè)釋電(diàn)係數(shù)p變大（T低使工作溫(wēn)度受到(dào)限(xiàn)製，且熱(rè)釋電係數(shù)p的溫度(dù)變(biàn)化也大(dà)）；④與(yǔ)表(biǎo)麵(miàn)電荷變(biàn)化(huà)相(xiāng)應的(dí)電容(róng)小(xiǎo)，即材料(liào)的介電量小(xiǎo)；⑤構成嗓聲源之(zhī)一的(dí)介(jiè)電(diàn)損耗角正切tanδ小(xiǎo)。