鐵(tiě)電(diàn)存(cún)儲技術是在(zài)1921年(nián)早被科(kē)學家提出，一(yī)直(zhí)到(dào)1993年，美國Ramtron公司才成功開(kāi)發(fā)出(chū)第yi個(gè)容量(liáng)隻有4Kb的鐵電存儲器產(chǎn)品。發(fā)展到(dào)了現在(zài)，如今(jīn)市麵(miàn)上幾乎的(dí)鐵電(diàn)存(cún)儲器(qì)產品都是由(yóu)美國鐵電公(gōng)司製造或授權(quán)製造(zào)。

鐵電存儲器在不需要電壓(yā)的(dí)情(qíng)況(kuàng)下就(jiù)可以保(bǎo)持數(shù)據，而且(qiě)也(yě)不需要像DRAM那樣(yàng)周(zhōu)期(qī)性(xìng)的(dí)刷(shuā)新。那麼鐵電存儲(chǔ)器(qì)是(shì)如(rú)何來(lái)實現數據(jù)存儲(chǔ)的(dí)呢？這是利用了(liǎo)鐵電晶體的鐵電(diàn)效(xiào)應(yīng)。什(shí)麼是鐵電效應?鐵電(diàn)效應是指，將(jiāng)一定的(dí)電場強度施(shī)加在鐵電(diàn)晶體(tǐ)上時，晶(jīng)體中心(xīn)原(yuán)子在(zài)電場力的作用(yòng)下(xià)產生運動，並(bìng)且達到一(yī)種穩(wěn)定的(dí)狀(zhuàng)態；當電場從鐵電(diàn)晶(jīng)體移走後，中心原子依然(rán)會保(bǎo)持(chí)在原(yuán)來(lái)的位置上。這是因為(wéi)晶體的(dí)中間(jiān)層(céng)是一(yī)個高能階，中心原子在沒(méi)有獲(huò)得外部(bù)能(néng)量的情況(kuàng)下(xià)不能越過高能(néng)階(jiē)到(dào)達另一(yī)穩定位(wèi)置。

由於鐵電效(xiào)應是(shì)鐵電晶(jīng)體所固(gù)有(yǒu)的(dí)一(yī)種偏振極化(huà)特性，與電磁(cí)作用(yòng)沒(méi)有關(guān)聯，所(suǒ)以(yǐ)鐵電(diàn)存儲器的內容不會受到外界條(tiáo)件(jiàn)（比(bǐ)如磁(cí)場(cháng)因(yīn)素(sù)）的(dí)影(yǐng)響，能(néng)夠(gòu)同(tóng)普通ROM存儲器一樣具(jù)有(yǒu)非易失(shī)性的存儲特性。鐵電(diàn)存儲器速(sù)度(dù)快，能(néng)夠像RAM一(yī)樣操作，讀寫功(gōng)耗(hào)極(jí)低(dī)，不(bù)存在大(dà)寫入(rù)次數的問題；不過受(shòu)到鐵電(diàn)晶體特(tè)性的製約，鐵電(diàn)存儲器(qì)仍(réng)有大(dà)訪(fǎng)問次(cì)數(shù)（也(yě)就是讀(dú)出次數(shù)）的限製。