高(gāo)溫四(sì)探(tàn)針(zhēn)測試(shì)儀可以實現高(gāo)溫(wēn)
，真空(kōng)及惰性氣(qì)氛條(tiáo)件下(xià)測(cè)量矽
，鍺(zhě)單(dān)晶(jīng)（棒料
，晶片(piàn)）電(diàn)阻率和(hé)外延層
，擴(kuò)散(sàn)層和(hé)離(lí)子(zǐ)注入層的方塊電(diàn)阻以(yǐ)及測量導電玻璃（ITO）和(hé)其他(tā)導電薄(báo)膜(mó)的方塊電(diàn)阻。

那麼(mó)高(gāo)溫四探針測試儀(yí)的測量原理是什(shí)麼呢(ní)？

測(cè)量(liáng)電阻率的方法很(hěn)多
，如(rú)三(sān)探針(zhēn)法
，電(diàn)容 -電壓(yā)法
，擴展(zhǎn)電阻法等(děng)
，四探針(zhēn)法則是(shì)一種(zhǒng)廣(guǎng)泛(fàn)采用(yòng)的(dí)標(biāo)準方法
，高溫(wēn)四(sì)探針測(cè)試儀采(cǎi)用經典直排四探針原(yuán)理
，同時(shí)采用(yòng)了雙(shuāng)電測組合(hé)四探(tàn)針法(fǎ)。

直排四探針(zhēn)法(fǎ)

經(jīng)典的(dí)直(zhí)排四(sì)探針(zhēn)法(fǎ)測(cè)試(shì)電阻率(shuài)
，要求使用等間(jiān)距(jù)的探(tàn)針(zhēn)
，如果(guǒ)針間(jiān)距(jù)離不等或(huò)探(tàn)針有(yǒu)遊(yóu)移
，就會造成(chéng)實(shí)驗誤差(chà)。當(dāng)被測(cè)片(piàn)較(jiào)小(xiǎo)或(huò)在(zài)大(dà)片邊緣附近測量(liáng)時
，要(yào)求計(jì)入(rù)電場畸變的影(yǐng)響(xiǎng)進行邊界修正。

采用雙(shuāng)電測(cè)組合(hé)四探針(zhēn)的出現(xiàn)
，為(wéi)提高薄膜電(diàn)阻(zǔ)和體電(diàn)阻率(shuài)測量準確(què)度(dù)創造了(liǎo)有利條(tiáo)件(jiàn)。

目(mù)前(qián)雙(shuāng)電(diàn)測組合(hé)（亦(yì)稱雙位(wèi)組(zǔ)合）四探針法有三(sān)種(zhǒng)模式(shì)：模式（1）
，模式（2）
，模(mó)式（3）
，高溫四(sì)探針測試儀(yí)采(cǎi)用模式（2）
，通過用(yòng)計算機對(duì)三種模(mó)式的理論進行比較(jiào)研(yán)究(jiū)的結果表(biǎo)明：對(duì)無窮(qióng)大被測片三種模式都(dū)一樣
，可(kě)是(shì)測(cè)量(liáng)小片(piàn)或(huò)大(dà)片(piàn)邊緣位(wèi)置(zhì)時(shí)
，模(mó)式(shì)（2）好
，它能自(zì)動消(xiāo)除邊界影響(xiǎng)
，略優於(yú)模(mó)式（3）
，好於模(mó)式（1）。

那(nà)麼高溫四探針測(cè)試儀(yí)采用雙(shuāng)電(diàn)測(cè)組合四(sì)探針(zhēn)法(fǎ)有哪些(xiē)優勢呢(ní)？

1
，采用(yòng)雙電測組(zǔ)合四(sì)探針(zhēn)法進(jìn)行測試
，測試(shì)結(jié)果與探針間距(jù)無(wú)關
，能夠(gòu)消(xiāo)除間(jiān)距不(bù)等及(jí)針尖機(jī)械(xiè)遊(yóu)移(yí)變化的影響
，因此(cǐ)四探針測(cè)試(shì)台(tái)允(yǔn)許使用(yòng)不等距(jù)探針(zhēn)頭(tóu)。

2
，采(cǎi)用(yòng)雙電(diàn)測組(zǔ)合四探針(zhēn)法具有(yǒu)自動(dòng)修(xiū)正(zhèng)邊界(jiè)效(xiào)應的(dí)功能(néng)
，對小(xiǎo)尺(chǐ)寸被測片或探針(zhēn)在較大樣品邊緣附近時(shí)
，不(bù)需要對(duì)樣(yàng)品做幾何(hé)測量(liáng)
，也不(bù)必尋(xún)找修正因(yīn)子。

3
，采(cǎi)用雙電測組合(hé)四探(tàn)針(zhēn)法
，不(bù)移動(dòng)四(sì)探(tàn)針(zhēn)針(zhēn)頭
，同時使(shǐ)用(yòng)三種模(mó)式(shì)測量
，即(jí)可(kě)計(jì)算得到測試(shì)部位(wèi)的(dí)電(diàn)阻(zǔ)均匀性(xìng)。