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鐵電(diàn)分(fēn)析(xī)儀技術(shù)說明(míng)及(jí)主要(yào)技術指(zhǐ)標(biāo)
華測儀(yí)器(qì)生產(chǎn)銷售的(dí)TF ANALYZER 1000是一(yī)款(kuǎn)緊湊型(xíng)鐵電壓電分析儀(yí),具(jù)備鐵電,壓電材(cái)料(liào)基(jī)本(běn)特(tè)性測(cè)試功能(néng),可與激光幹(gān)涉儀和(hé)SPM掃(sǎo)描探針(zhēn)顯微鏡(jìng)等微位(wèi)移(yí)傳感(gǎn)器(qì)聯(lián)用,適用於薄(báo)膜(mó),厚膜和塊狀陶(táo)瓷(cí)及鐵電(diàn)器件(jiàn)等分析測試。
一(yī),鐵(tiě)電(diàn)分(fēn)析儀技術說明(míng):
電壓(yā)範圍: +/- 25 V(可(kě)選(xuǎn)的附加高(gāo)壓(yā)放(fàng)大(dà)器可擴展至(zhì)+/- 10KV);
電(diàn)滯(zhì)頻率:5 kHz(標準FE模塊);
最小脈(mài)衝寬度(dù):2 μs;
最(zuì)小上(shàng)升時(shí)間(jiān):1 μs;
電(diàn)流放大(dà)範圍(wéi):1pA~1A;
最大負(fù)荷(hé)電容(róng):1μF;
輸出(chū)電流峰值(zhí):+/-1 A。
可擴展部件(jiàn):
高壓放(fàng)大器,激(jī)光(guāng)幹涉(shè)儀,AFM,溫度(dù)控製器,薄膜(mó)探(tàn)針冷(lěng)熱(rè)台,變溫塊體樣(yàng)品盒,塊體變(biàn)溫爐,薄(báo)膜e31測(cè)試(shì)平(píng)台,超(chāo)導(dǎo)磁體,PPMS等(děng)。

MR模(mó)塊(kuài)是用(yòng)來研究(jiū)磁阻和(hé)鐵(tiě)性(xìng)材料(liào)的。
此(cǐ)模(mó)塊(kuài)提供連續電(diàn)流(liú)激(jī)勵(lì)和測(cè)試,樣品上(shàng)的電壓降(jiàng)通過四(sì)點(diǎn)測試。
RX模(mó)塊(kuài)是用(yòng)來研究介電體和(hé)鐵電材(cái)料(liào)的極化(huà)和去極(jí)化(huà)電流(liú)的,即(jí)施(shī)加電壓(yā)階躍後的電(diàn)流響應(yīng)。
該測試能將(jiāng)材(cái)料(liào)的馳(chí)豫電流(liú)和漏電流(liú)分開,並(bìng)可記錄極化響應(yīng)電流和(hé)去極(jí)化(huà)響應電流。
DR模塊(kuài)用於(yú)研(yán)究(jiū)電(diàn)介質材料的自(zì)漏(lòu)電(diàn)性。
由(yóu)於(yú)測(cè)試條件(jiàn)非常接(jiē)近(jìn)實際(jì)情(qíng)況,因(yīn)此(cǐ)通(tōng)過這(zhè)種方(fāng)式(shì)可容易(yì)地測試應用於(yú)DRAM材(cái)料的合適(shì)性。
針(zhēn)對工業方麵的應(yīng)用(yòng),TF Analyzer 2000E提供了(liǎo)256個(gè)自動測試的通道,大(dà)大擴(kuò)展(zhǎn)了(liǎo)該儀器的測(cè)試功能(néng)。
以上的模塊可(kě)根(gēn)據您(nín)的測試需求(qiú)以及科(kē)研方(fāng)向(xiàng)進行獨(dú)立選擇(zé)或者(zhě)任意(yì)組(zǔ)合(hé)

二(èr),鐵(tiě)電(diàn)分(fēn)析儀(yí)主要技(jì)術指標(biāo):
電壓(yā)範圍:±12V標(biāo)配 (可擴展到 +/- 10kV)
測試(shì)頻率:0.01Hz~1000Hz
zui大(dà)疲(pí)勞(láo)測試(shì)頻率:50kHz
zui小脈衝寬(kuān)度:20μs
輸出電(diàn)阻:50Ω
zui大電容:100nF
輸出電流:+/-50mA
電流放(fàng)大(dà)器(qì):電(diàn)流(liú)大小範(fàn)圍:1nA~1A
華測其(qí)它相關產(chǎn)品:


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