可評估薄膜導電的(dí)高(gāo)溫(wēn)四探針(zhēn)測(cè)試(shì)儀(yí)采用(yòng)直(zhí)排四探(tàn)針法(fǎ)設計原(yuán)理測量(liáng)。主(zhǔ)要用(yòng)於(yú)評(píng)估(gū)半導體(tǐ)薄膜(mó)和薄片的導電(diàn)，參(cān)考(kǎo)美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準設計。重復性(xìng)與穩定(dìng)性好(hǎo)，采用(yòng)雙(shuāng)屏(píng)蔽(bì)高頻測試綫纜，提高測試參數的精確度，同時(shí)。本設備也可應用(yòng)於產品檢測以及(jí)新材料(liào)電學研究(jiū)等(děng)用(yòng)途。

高溫(wēn)四(sì)探針(zhēn)測(cè)試儀的(dí)測(cè)量(liáng)原理(lǐ)：

• 測(cè)量電(diàn)阻率的(dí)方法很(hěn)多(duō)，如(rú)三(sān)探針法，電容-電(diàn)壓法(fǎ)，擴展(zhǎn)電(diàn)阻法等(děng)，四探(tàn)針法則是(shì)一種廣泛(fàn)采用(yòng)的標(biāo)準方法，高(gāo)溫四探(tàn)針(zhēn)測試儀(yí)采(cǎi)用經典(diǎn)直排四探針(zhēn)原(yuán)理，同時(shí)采用(yòng)了雙(shuāng)電測組合(hé)四(sì)探(tàn)針(zhēn)法。

• 經典(diǎn)的(dí)直(zhí)排四探(tàn)針法測(cè)試電(diàn)阻率，要(yào)求使(shǐ)用等間(jiān)距(jù)的(dí)探針(zhēn)，如果針間(jiān)距(jù)離不等(děng)或(huò)探針有遊移(yí)，就(jiù)會(huì)造(zào)成(chéng)實(shí)驗誤差。當(dāng)被測片較(jiào)小(xiǎo)或在(zài)大片邊(biān)緣(yuán)附近(jìn)測量時(shí)，要(yào)求計入(rù)電場(cháng)畸變(biàn)的影響進(jìn)行(háng)邊界修(xiū)正。

• 采(cǎi)用雙電測(cè)組合(hé)四探(tàn)針的出(chū)現，為提高(gāo)薄膜電阻(zǔ)和(hé)體(tǐ)電阻率測量準確(què)度創(chuàng)造了(liǎo)有(yǒu)利條件。

高溫(wēn)四探針測(cè)試儀采用雙電(diàn)測組合(hé)四探(tàn)針(zhēn)法(fǎ)的優勢：

可(kě)按(àn)用戶要求(qiú)訂(dìng)製(zhì)非(fēi)標產品

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