固體電介質(zhì)電擊穿的(dí)理(lǐ)論是(shì)以(yǐ)在(zài)介質(zhì)中發(fā)生碰撞電離為(wéi)基礎的(dí)。它不包括(kuò)由邊(biān)緣(yuán)效應，介質劣化(huà)等因(yīn)素引(yǐn)起(qǐ)的(dí)擊(jī)穿。

固體電介質的中間存(cún)在少(shǎo)量(liáng)處於(yú)導電能量狀態的(dí)電(diàn)子(zǐ)（傳(chuán)導電子）。它(tā)在(zài)電(diàn)場(cháng)加速下將(jiāng)與(yǔ)晶格(gé)點(diǎn)上的原子(zǐ)碰撞(zhuàng)，但因固(gù)體介質中(zhōng)的原子(zǐ)相(xiāng)互聯(lián)係十分(fēn)緊(jǐn)密(mì)，所以必(bì)須(xū)考慮(lǜ)傳導電子(zǐ)與晶(jīng)格(gé)碰撞。

由碰撞電離引起(qǐ)擊(jī)穿有下(xià)述兩(liǎng)種(zhǒng)解(jiě)釋(shì)：固(gù)體擊(jī)穿理論是考慮單(dān)位(wèi)時間傳(chuán)導(dǎo)電子從電場中獲得的能量(liáng)與單(dān)位時(shí)間(jiān)內由於(yú)碰撞(zhuàng)而(ér)失去的能量之(zhī)間，因不平衡而(ér)引起(qǐ)擊穿(chuān)；另(lìng)一(yī)種擊穿理(lǐ)論則(zé)認為(wéi)：傳導電子由電場作(zuò)用(yòng)得到(dào)了可(kě)使(shǐ)晶格(gé)原(yuán)子電離(lí)的能(néng)量,產生(shēng)了電子(zǐ)崩(bēng)，當電(diàn)子崩(bēng)發(fā)展到(dào)足(zú)夠(gòu)強時(shí)，引起(qǐ)固體電(diàn)介(jiè)質擊(jī)穿(chuān)。

電壓(yā)擊(jī)穿(chuān)的特(tè)點(diǎn)：電(diàn)壓(yā)作用時(shí)間短，擊穿(chuān)電壓高，電介質(zhì)溫度(dù)不高(gāo)；擊穿場強與電場均(jūn)匀程(chéng)度有密(mì)切關(guān)係(xì)，而與周(zhōu)圍環境(jìng)溫(wēn)度的(dí)高低幾乎(hū)無(wú)關。

電(diàn)壓(yā)擊穿(chuān)試(shì)驗儀主(zhǔ)要(yào)適(shì)用於固體(tǐ)絕(jué)緣材料如絕(jué)緣漆，樹脂和膠，浸(jìn)漬纖(xiān)維製品，雲(yún)母及其製(zhì)品，塑料(liào)，薄膜復合(hé)製(zhì)品(pǐn)，陶(táo)瓷和玻璃等介(jiè)質在工(gōng)頻電壓或(huò)直(zhí)流(liú)電壓下擊穿(chuān)強度(dù)和(hé)耐(nài)電(diàn)壓(yā)時間(jiān)的測試。

 華測電壓擊穿試驗儀采用(yòng)計(jì)算(suàn)機控製，可(kě)對試驗過程中的各種(zhǒng)數(shù)據進行(háng)快速，采(cǎi)集，處(chǔ)理，並(bìng)可存取(qǔ)，顯(xiǎn)示，打(dǎ)印。

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華測儀器(qì)--致(zhì)力於(yú)材料電學測(cè)試(shì)技(jì)術(shù)