憶阻(zǔ)器英文名為(wéi)memristor, 用符號(hào)M表示，與(yǔ)電阻(zǔ)R，電(diàn)容C，電(diàn)感L構(gòu)成四種基(jī)本無源電路器(qì)件(jiàn)，它是連(lián)接磁通(tōng)量與電荷(hé)之(zhī)間關(guān)係(xì)的紐帶(dài)，其同(tóng)時(shí)具備電(diàn)阻和(hé)存(cún)儲的(dí)性能，是(shì)一種新一代(dài)高速存儲單元，通常稱為(wéi)阻變(biàn)存(cún)儲器 (RRAM)。

  憶(yì)阻(zǔ)器(qì)備受關(guān)注的重(zhòng)要應(yīng)用(yòng)領域包(bāo)括(kuò)
：非易失存(cún)儲(chǔ) (Nonvolatile memory)，邏(luó)輯運(yùn)算(suàn) (Logiccomputing)，以(yǐ)及類腦(nǎo)神經(jīng)形態(tài)計算 (Brain-inspired neuromorphic computing)等(děng)。這三種(zhǒng)截然 不同又相互(hù)關聯(lián)的(dí)技術(shù)路(lù)綫，為發(fā)展(zhǎn)信(xìn)息存儲與處(chǔ)理融(róng)合的新型計(jì)算(suàn)體係架(jià)構，突破傳(chuán)統馮 • 諾(nuò)伊(yī)曼架構瓶頸，提供(gōng)了(liǎo)可(kě)行(háng)的路(lù)綫。

  在憶(yì)阻器研究不(bù)斷取得新成果的同時，基(jī)於(yú)憶阻器的(dí)多功能耦(ǒu)合(hé)器件也(yě)成為研(yán)究(jiū)人(rén)員關注的(dí)熱點。這些(xiē)新型(xíng)耦(ǒu)合(hé)器件包(bāo)括
： 磁耦(ǒu)合器(qì)件，光耦合器(qì)件(jiàn)，超(chāo)導耦合器(qì)件，相(xiāng)變憶阻(zǔ)器(qì)件(jiàn)，鐵(tiě)電耦合(hé)器(qì)件(jiàn)等。