在(zài)光電子學及(jí)其(qí)它高技術(shù)的發(fā)展(zhǎn)中，薄膜材(cái)料(liào)占(zhān)有重要的地位。鐵電薄膜具有電(diàn)光效應
，非綫(xiàn)性光(guāng)學(xué)效(xiào)應
，壓電(diàn)效(xiào)應和熱釋電效應等(děng)多種特(tè)性(xìng)，又具有便於(yú)平(píng)麵化和集成(chéng)化(huà)的特(tè)點，因(yīn)而特(tè)別(bié)受到人(rén)們的重視(shì)。現在廣為(wéi)研(yán)究的(dí)鐵電(diàn)薄膜是PbTiO₃(PT）
，Pb_1-xLaTi_1-x/4 O₃(PLT)
，PZT
，PLZT
，LiNbO_3
，Bi₄Ti₃O₁₂和BaTiO_3。製(zhì)備方(fāng)法有電子束(shù)蒸(zhēng)鍍
，離子(zǐ)束濺(jiàn)射(shè)
，射(shè)頻(pín)磁控濺(jiàn)射(shè)
，射頻二(èr)極濺(jiàn)射
，金屬有機化(huà)學(xué)氣相(xiāng)澱積和金屬有(yǒu)機熱分解法(fǎ)等(děng)。

   為了充(chōng)分(fēn)發掘鐵(tiě)電(diàn)薄(báo)膜的功能，希望(wàng)薄(báo)膜是單晶(jīng)或是(shì)晶粒擇(zé)優取向的多晶。迄今報(bào)道(dào)的(dí)是後者(zhě)。實(shí)現(xiàn)擇(zé)優取向的(dí)方法(fǎ)主要(yào)是采用特(tè)定成分和特定(dìng)取向(xiàng)的單晶作為(wéi)基(jī)片，並選(xuǎn)擇適當(dāng)的(dí)基片溫(wēn)度或(huò)輔之以隨後(hòu)的(dí)熱處(chǔ)理(lǐ)。例如，以MgO(100）片(piàn)作(zuò)為(wéi)基(jī)片，用(yòng)射頻(pín)磁(cí)控濺(jiàn)射製(zhì)備PbZr_0.4Ti_0.6O₃薄(báo)膜，在適當的溫度下，可使(shǐ)[001]軸(zhóu)垂(chuí)直膜麵的取向度達99%。MgO（100)片也(yě)可使(shǐ)PT和PLT膜具(jù)有[001]軸(zhóu)重(zhòng)直膜(mó)麵(miàn)的(dí)擇(zé)優取(qǔ)向。藍寶石(shí)和某些(xiē)微晶玻(bō)璃也是製成(chéng)擇優(yōu)取向(xiàng)的基片(piàn)材料(liào)。

   鐵電薄膜的(dí)電學和光學性能正隨著製(zhì)備(bèi)技術(shù)的改(gǎi)進(jìn)而不(bù)斷提(tí)高。高度擇優(yōu)取(qǔ)向的(dí)薄膜(mó)已具有接近(jìn)優(yōu)質體材料的(dí)自(zì)發極(jí)化和(hé)熱(rè)釋(shì)電係(xì)數(shù)，但矯(jiǎo)頑(wán)場(cháng)較(jiào)大(dà)，光(guāng)的傳播損(sǔn)耗(hào)較(jiào)嚴重(zhòng)。已(yǐ)經和還(huán)在研製的器件(jiàn)有熱釋(shì)電探(tàn)測器
，超(chāo)聲(shēng)傳感器(qì)
，記憶(yì)元件(jiàn)
，光(guāng)波導(dǎo)
，聲表麵(miàn)波器(qì)件
，二(èr)次諧(xié)波(bō)發(fā)生器(qì)等。