半(bàn)導體(tǐ)電子(zǐ)環(huán)氧(yǎng)塑封料（EMC）的耐電痕無鹵阻(zǔ)燃測(cè)試

目前矽(guī)基半(bàn)導(dǎo)體芯片(piàn)所(suǒ)使(shǐ)用的封裝材料主要是(shì)環氧(yǎng)塑封料（EMC），對其電學性(xìng)能的(dí)測試除了高低溫介(jiè)電溫譜（介電(diàn)常數(shù)），常溫高溫電(diàn)場強(qiáng)度（電擊穿(chuān)）及常(cháng)溫高溫絕緣電阻（體積電阻率）測試(shì)以外(wài)，耐(nài)電(diàn)痕(hén)無鹵阻(zǔ)燃也(yě)是非(fēi)常(cháng)重(zhòng)要(yào)的電學性(xìng)能(néng)指標(biāo)之(zhī)一
。

電(diàn)痕是(shì)指(zhǐ)電(diàn)應力(lì)和(hé)電解(jiě)雜(zá)質在相(xiāng)互(hù)作(zuò)用下(xià)會在(zài)材(cái)料的表麵（或(huò)內(nèi)部）產(chǎn)生導(dǎo)電(diàn)通道(dào)
。耐局(jú)部放電特性和耐電痕絕(jué)緣設(shè)計(jì)對EMC來(lái)說十分(fēn)重要(yào)，因為當(dāng)EMC內部出(chū)現未填(tián)充區域(yù)或(huò)空(kōng)隙(xì)時(shí)，不僅會導(dǎo)致(zhì)其(qí)絕(jué)緣(yuán)強(qiáng)度下降，還會因(yīn)為空隙(xì)中電荷的集中而產生局(jú)部放(fàng)電，導致EMC性能劣化(huà)並對芯片產生(shēng)破壞
。衡量(liáng)EMC耐(nài)電痕特(tè)性的指標是(shì)相比電痕化(huà)指數(shù)（CTI），按(àn)照(zhào)絕(jué)緣(yuán)材料的(dí)CTI指標範(fàn)圍可將(jiāng)其(qí)分(fēn)為(wéi)5類，隻(zhī)有(yǒu)CTI≥600V的EMC才可應(yīng)用(yòng)於功率電(diàn)子(zǐ)器(qì)件(jiàn)的(dí)封裝
。當然，無(wú)論是(shì)功(gōng)率電(diàn)子(zǐ)器(qì)件還(huán)是常(cháng)規半(bàn)導體器(qì)件，EMC的無鹵阻(zǔ)燃特(tè)性是不(bù)變的
。

北京華測(cè)試驗(yàn)儀器有(yǒu)限(xiàn)公司所(suǒ)生產的HCDH-2耐(nài)漏電起(qǐ)痕(hén)試驗(yàn)儀被廣泛應用於(yú)半導體，新能(néng)源，家用(yòng)電器(qì)等(děng)行(háng)業，符(fú)合GB/T4207，IEC60112，IEC60335，UL746A等標準
。一(yī)體(tǐ)化(huà)機身(shēn)設(shè)計，采(cǎi)用(yòng)10寸觸控屏控(kòng)製(zhì)，智能程度高，可(kě)實現試驗(yàn)過程的無(wú)人化(huà)操(cāo)作(zuò)；鉑金電極(jí)和全(quán)向可調節機構配合精準的試(shì)驗電壓電流(liú)（±1%）使得(dé)試(shì)驗(yàn)數(shù)據(jù)更加準(zhǔn)確
。