功率器件(jiàn)高壓TSDC測試係(xì)統的(dí)原理是(shì)什麼？

產品(pǐn)概(gài)述(shù)：

熱刺(cì)激去(qù)極(jí)化(huà)電流(liú)（TSDC）技術用(yòng)於預測(cè)EMC的HTRB性(xìng)能(néng)。TSDC方法包括(kuò)極化過(guò)程，在該過程中，電介(jiè)質樣品暴露在高(gāo)電場強(qiáng)度(dù)和高(gāo)溫環境(jìng)下(xià)。在(zài)這(zhè)種(zhǒng)情(qíng)況(kuàng)下(xià)，電荷被分(fēn)離並(bìng)在介(jiè)電材(cái)料電子元(yuán)件中移動。盡(jìn)管(guǎn)單(dān)個TSDC信號和HTRB性(xìng)能(néng)之間(jiān)的相(xiāng)關(guān)性表(biǎo)明(míng)，極化(huà)峰(fēng)值(zhí)越

高，TSDC曲(qū)綫(xiàn)越大(dà)，而HTRB性能越差(chà)，但(dàn)這(zhè)並(bìng)不(bù)能全解(jiě)釋EMC在發(fā)出強(qiáng)放電(diàn)信(xìn)號時(shí)的(dí)某些(xiē)故障。因此，弛(chí)豫(yù)時間(jiān)是(shì)解釋外(wài)層HTRB失效樣(yàng)本(běn)的(dí)另一個關鍵參數(shù)。

關於環氧塑(sù)封料（EMC， Epoxy Molding Compound）TSDC測試技術，為(wéi)華(huá)測公司在國內最早提及(jí)目(mù)前已(yǐ)被(bèi)廣(guǎng)泛(fàn)應用(yòng)到(dào)更(gēng)多的(dí)半導體封裝(zhuāng)材料(liào)及(jí)半導(dǎo)體(tǐ)生(shēng)產研發企業。已證明(míng)此測試(shì)方(fāng)式是(shì)有(yǒu)效的，同時(shí)加(jiā)速國(guó)產化IGBT，MOSFET等功率器件(jiàn)的(dí)研發。如(rú)無錫(xī)凱華，中科科(kē)化(huà)，飛凱(kǎi)材(cái)料等企(qǐ)業。

產品原理：TSDC是(shì)一(yī)種研究(jiū)電(diàn)荷(hé)存(cún)儲(chǔ)特性(xìng)的實(shí)驗技術(shù)，用(yòng)於確(què)定(dìng)初始(shǐ)電(diàn)荷(hé)和捕獲(huò)電荷(hé)的活化能(néng)以及(jí)弛豫(yù)，該(gāi)方法包(bāo)括(kuò)一個極化(huà)過程，其中(zhōng)介電(diàn)樣品(pǐn)在(zài)高溫下暴露於高(gāo)電(diàn)場強度(dù)下。在(zài)此之後(hòu)，試樣(yàng)在外(wài)加(jiā)電(diàn)場的(dí)作用下(xià)迅速進(jìn)行(háng)冷卻(què)。以這種(zhǒng)方式，電(diàn)荷被分離(lí)並(bìng)固定(dìng)在(zài)介(jiè)電材(cái)料駐(zhù)極體內(nèi)。然後進行升溫(wēn)將(jiāng)駐極體(tǐ)內的電(diàn)荷進(jìn)行(háng)釋(shì)放(fàng)，同時配(pèi)合測量(liáng)儀器進行測(cè)量，並為科(kē)研人員進行分(fēn)析。通過TSDC測(cè)試方(fāng)法(fǎ)研究(jiū)了EMC對(duì)功(gōng)率半導體(tǐ)HTRB可(kě)靠(kào)性的影(yǐng)響，了解到EMC在高(gāo)溫(wēn)，高(gāo)壓條件(jiàn)下會發生電(diàn)極化(huà)或(huò)電(diàn)取向。此外，依賴於在相應的(dí)冷卻(què)環境(jìng)中維(wéi)持其極化狀態(tài)，它會(huì)幹擾MOS-FET半導(dǎo)體(tǐ)中反轉層(céng)的(dí)正(zhèng)常(cháng)形(xíng)成。通(tōng)過TSDC試驗，我(wǒ)們(mén)還了解(jiě)了(liǎo)在(zài)可(kě)靠(kào)性測(cè)試中由(yóu)於(yú)應用(yòng)條件而(ér)導(dǎo)致(zhì)的(dí)材料(liào)內(nèi)部極化電荷(hé)的(dí)數量也是一(yī)個重(zhòng)要的(dí)影響(xiǎng)因(yīn)素(sù)。

產品參(cān)數(shù)：

設備型號：HC-TSC

溫(wēn)度範圍：-185 ~ 600°C

控溫(wēn)精度(dù)：±0.25°C

升(shēng)溫(wēn)斜率(shuài)：10°C/min（可設定(dìng)）

測試頻率：最(zuì)大(dà)電壓：±10kV

加熱(rè)方(fāng)式：直流(liú)電(diàn)極(jí)加熱(rè)

冷卻(què)方(fāng)式(shì)：水冷

樣品尺(chǐ)寸：φ＜25mm，d＜4mm

電(diàn)極材料：黃銅或(huò)銀(yín)

夾(jiā)具輔助(zhù)材(cái)料 ：99氧(yǎng)化(huà)鋁(lǚ)陶瓷

低溫(wēn)製(zhì)冷：液氮(dàn)

測試(shì)功(gōng)能(néng) ：TSDC

數據傳輸(shū)：RS-232  

設備尺寸(cùn) ：180 x 210 x 50mm