一，離(lí)子(zǐ)遷移(yí)的物(wù)理(lǐ)機(jī)製(zhì)

離(lí)子遷(qiān)移(yí)（Ion Migration）是(shì)電子器件(jiàn)可靠性失效(xiào)的(dí)關(guān)鍵機理之(zhī)一，指在電(diàn)場和濕度協同作用(yòng)下(xià)：

1. 金(jīn)屬離(lí)子(zǐ)化(huà)：電路(lù)中的銅(tóng)（Cu²⁺），銀（Ag⁺），錫（Sn²⁺）等(děng)金(jīn)屬電極發(fā)生(shēng)電(diàn)化(huà)學(xué)反應，生成(chéng)可移動(dòng)陽離子

2. 離(lí)子定(dìng)向遷移：陽(yáng)離(lí)子在直流電(diàn)場驅(qū)動下，通(tōng)過絕緣介質(zhì)層向(xiàng)陰極(jí)遷(qiān)移(yí)

3. 枝(zhī)晶形成：遷(qiān)移至陰(yīn)極的(dí)金屬離(lí)子被(bèi)還原(yuán)沉積，持續積累形成枝晶結構

4. 絕緣失(shī)效：枝晶生(shēng)長貫穿(chuān)電極間(jiān)絕(jué)緣層，導(dǎo)致短(duǎn)路或(huò)電阻(zǔ)值異(yì)常(cháng)下(xià)降(jiàng)

二，關鍵應(yīng)用(yòng)領域與技術(shù)需(xū)求(qiú)

1. 封(fēng)裝材料評(píng)估(gū)

BGA/CSP錫球：監測(cè)Sn-Ag-Cu焊料(liào)離子(zǐ)遷移閾(yù)值

底部填充(chōng)膠：量化(huà)環氧樹脂吸水率(shuài)與(yǔ)漏電(diàn)流(liú)相關性(xìng)

2. 印製電(diàn)路可靠(kào)性(xìng)

特(tè)征案例(lì)：0.1mm綫距HDI板的CAF測試

測試(shì)標(biāo)準(zhǔn)：IPC-TM-650 2.6.25方法(fǎ)C

3. 先(xiān)進顯示(shì)器件

EL器件：評估ITO電極遷移對(duì)發(fā)光(guāng)效率(shuài)的影響(xiǎng)

測(cè)試(shì)參數：50V/85℃/85%RH三綜合(hé)測(cè)試1000小時

4. 半導體(tǐ)材(cái)料(liào)特性(xìng)

光刻膠介電性能：測(cè)量顯(xiǎn)後(hòu)殘(cán)留(liú)離子濃(nóng)度

導(dǎo)電膠(jiāo)：碳納(nà)米(mǐ)管(guǎn)取向(xiàng)性(xìng)對(duì)離(lí)子(zǐ)阻擋能力的(dí)影響(xiǎng)