在(zài)半(bàn)導體製造(zào)和微電子器(qì)件研(yán)發中，電學測試是(shì)確保(bǎo)產品質(zhì)量(liáng)的關鍵(jiàn)。而高低溫真空(kōng)探(tàn)針(zhēn)台，正是這一(yī)環(huán)節(jié)中的設備。它能在(zài)真空(kōng)環境下(xià)，對芯(xīn)片，晶(jīng)圓(yuán)等微納器(qì)件(jiàn)進行電學測量，廣泛(fàn)應(yīng)用於材料研究(jiū)，失(shī)效(xiào)分析(xī)和(hé)量產(chǎn)前(qián)驗證等多(duō)個階(jiē)段。

一(yī)，為什麼(mó)需要真空(kōng)環(huán)境？

在大氣(qì)環境下進行低溫測(cè)試時，空(kōng)氣(qì)中(zhōng)的水汽容(róng)易凝結在晶(jīng)圓表(biǎo)麵(miàn)，導(dǎo)致漏電(diàn)或探針接觸不(bù)良(liáng)，影響測試準確性(xìng)。而在(zài)高溫測試(shì)（如300℃~500℃）中(zhōng)，氧(yǎng)化(huà)現象(xiàng)會加劇，可能導(dǎo)致(zhì)器(qì)件(jiàn)電性(xìng)漂移甚至物理形變。因(yīn)此(cǐ)，真空探(tàn)針(zhēn)台通過分子泵和渦(wō)旋泵抽走水(shuǐ)汽和(hé)氧氣(qì)，確(què)保(bǎo)測試環境(jìng)的(dí)純淨與穩定。

二，優(yōu)勢：真空(kōng)與(yǔ)溫(wēn)度(dù)的協同控製

現代(dài)真空探針(zhēn)台(tái)具備真(zhēn)空-溫(wēn)度協同(tóng)控(kòng)製能力(lì)，可(kě)在(zài)30分鐘內達到(dào)10⁻⁶ torr的高(gāo)真空(kōng)度(dù)，並支持(chí)液氮製(zhì)冷與電(diàn)加熱復合控溫，溫(wēn)控(kòng)精(jīng)度高達±0.1K，覆(fù)蓋從(cóng)77K到(dào)450K甚至(zhì)更寬的溫(wēn)度(dù)範(fàn)圍(wéi)，滿足從低溫到(dào)高溫的多種測試需求(qiú)。

三(sān)，多通(tōng)道拓(tuò)展

真(zhēn)空屏蔽腔(qiāng)體(tǐ)設(shè)計有(yǒu)效降低(dī)電(diàn)磁(cí)幹擾，支(zhī)持(chí)皮安(ān)級微弱電流和μΩ級(jí)電阻(zǔ)的測量(liáng)。設備(bèi)標(biāo)配(pèi)4個(gè)探針(zhēn)臂，可擴(kuò)展至6個，支持四綫法測試(shì)，射頻探針和(hé)光(guāng)電(diàn)協同(tóng)測(cè)試，滿(mǎn)足復(fù)雜器件的(dí)多(duō)參(cān)數測(cè)量(liáng)需(xū)求。

四(sì)，應(yīng)用場景

材(cái)料研發：在真空(kōng)環境下測(cè)試(shì)鈣(gài)鈦礦(kuàng)，氧(yǎng)化镓等(děng)新型材料(liào)的高低溫電(diàn)學性(xìng)能(néng)。

失效(xiào)分(fēn)析：結合SEM或(huò)FIB，對芯(xīn)片(piàn)短(duǎn)路，漏電(diàn)等問(wèn)題(tí)進(jìn)行微(wēi)米級(jí)定位。