在半導體與(yǔ)晶圓(yuán)工藝升級進(jìn)程中，退火(huǒ)工序是平(píng)復晶格(gé)瑕疵，釋放薄膜(mó)應(yīng)力，優(yōu)化(huà)器件電學性(xìng)能與(yǔ)良(liáng)率的關鍵(jiàn)環節(jié)。華測儀(yí)器針對晶(jīng)圓(yuán)熱(rè)處(chǔ)理需(xū)求，推(tuī)出Huace-800G 真(zhēn)空晶圓(yuán)退火(huǒ)爐(lú)，適(shì)用(yòng)於(yú)高潔(jié)淨(jìng)，高準度(dù)的半(bàn)導體晶圓高(gāo)溫熱(rè)處理(lǐ)場(cháng)景打造(zào)。

該設備(bèi)在(zài)高(gāo)真空環(huán)境(jìng)下(xià)對(duì)半導(dǎo)體晶圓(yuán)進行(háng)準(zhǔn)確(què)高溫(wēn)熱處理(lǐ)，隔絕(jué)氧(yǎng)化(huà)，汙(wū)染(rǎn)與(yǔ)雜(zá)質附著，為工藝(yì)進程提供潔(jié)淨的(dí)工藝(yì)環境(jìng)。整(zhěng)機采(cǎi)用紅(hóng)外(wài)反射式加熱技(jì)術，熱效率高，熱(rè)響應快，溫(wēn)度覆蓋RT~1250℃，升(shēng)溫速(sù)率(shuài)上限可達(dá)100℃/s，可滿(mǎn)足(zú)多元(yuán)工藝(yì)需(xū)求(qiú)。

設備搭載真空(kōng)係統，可(kě)實(shí)現(xiàn)10^-3Pa~10^-6Pa真空(kōng)度(dù)，全程(chéng)隔(gé)絕(jué)空氣與有害雜質，減(jiǎn)少(shǎo)晶(jīng)圓表麵汙(wū)染與瑕(xiá)疵(cī)。設(shè)備采(cǎi)用(yòng)PID溫(wēn)度控(kòng)製(zhì)，同(tóng)時采用移相觸發(fā)技術(shù)確保試(shì)驗(yàn)溫(wēn)度，控溫精(jīng)度達 ±1℃，實現(xiàn)晶圓級溫(wēn)度均匀性，確保整片(piàn)晶(jīng)圓受熱一致，工(gōng)藝(yì)重復性優(yōu)異。

在適配性(xìng)方麵，設備(bèi)標(biāo)準(zhǔn)兼容(róng)6英寸晶(jīng)圓(yuán)，同(tóng)時支(zhī)持(chí)150×150mm樣品，兼(jiān)顧科研(yán)實(shí)驗(yàn)與小批量量(liáng)產(chǎn)需(xū)求(qiú)。

憑(píng)借高性(xìng)能(néng)真(zhēn)空，升(shēng)降(jiàng)溫，高溫(wēn)控精度(dù)與良(liáng)好兼(jiān)容(róng)性(xìng)，Huace-800G 普(pǔ)遍(biàn)應用(yòng)於矽晶圓，半導(dǎo)體，電子材料(liào)，陶(táo)瓷材(cái)料(liào)等(děng)領(lǐng)域，可支撐離(lí)子(zǐ)注入(rù)退(tuì)火(huǒ)，金屬(shǔ)矽化(huà)物(wù)形成(chéng)，應力(lì)消(xiāo)除(chú)等(děng)工(gōng)藝，是半導(dǎo)體器件研發(fā)，功率器件製(zhì)造(zào)等材料(liào)的熱處(chǔ)理裝備(bèi)。