半(bàn)導(dǎo)體，薄膜(mó)製(zhì)造等領域，靜電監(jiān)測(cè)失準(zhǔn)一直(zhí)是行業痛(tòng)點。生產(chǎn)過程(chéng)中晶(jīng)圓(yuán)，功能薄膜易(yì)產生電(diàn)荷堆(duī)積，傳統(tǒng)靜電檢測設(shè)備(bèi)易(yì)受(shòu)探頭間(jiān)距(jù)，溫濕度環境(jìng)幹擾，校準繁(fán)瑣，數據漂移明顯，不僅難以捕捉細(xì)微電位(wèi)變化(huà)，還可(kě)能因(yīn)靜電管控不(bù)到位引發器件(jiàn)擊穿，良品(pǐn)率下降等(děng)問題(tí)。

針對(duì)這一難題，華(huá)測(cè)儀器(qì) HCEV-3kV 非接(jiē)觸(chù)式(shì)靜(jìng)電電(diàn)壓(yā)表提出解決方案。設備搭載場(cháng)消技術(shù)，采用(yòng)非接觸(chù)式(shì)檢(jiǎn)測方(fāng)案，探(tàn)頭(tóu)無(wú)需接觸被測樣(yàng)品，既不(bù)會(huì)劃(huá)傷，汙染樣(yàng)品，也不會(huì)幹擾原有(yǒu)電(diàn)場(cháng)與(yǔ)電荷(hé)分布(bù)。區(qū)別(bié)於(yú)傳統(tǒng)儀(yí)器，本品不(bù)受(shòu)探(tàn)頭間距(jù)變(biàn)化影(yǐng)響，試驗(yàn)時探頭靠近(jìn)即(jí)可(kě)快(kuài)速測量(liáng)，省去反復調(tiáo)試，復(fù)雜(zá)校(xiào)準(zhǔn)的步(bù)驟(zhòu)，大(dà)幅優(yōu)化試(shì)驗效率(shuài)。

儀(yí)器測量(liáng)範圍覆蓋0~±3kV，可準確(què)檢測直流電與(yǔ)交流(liú)電(diàn)峰(fēng)值電(diàn)壓；硬(yìng)件性能表(biǎo)現優(yōu)異，1kV 階(jiē)躍響應(yīng)時間＜3ms，信號捕捉(zhuō)靈敏(mǐn)迅(xùn)速(sù)。整機(jī)具備(bèi)低漂(piāo)移特(tè)性，時間漂(piāo)移低(dī)於 100ppm/小(xiǎo)時，溫度漂移低(dī)於(yú)200ppm/℃，即便(biàn)在溫(wēn)濕度多變，工(gōng)況復雜的產綫(xiàn)環境中，也(yě)能長期(qī)保持數(shù)據穩(wěn)定可靠。設備測量(liáng)精度(dù)優(yōu)於(yú)±0.05%，分辨(biàn)率高(gāo)達1V，可(kě)準確(què)識別微小(xiǎo)電(diàn)位波(bō)動(dòng)，實現(xiàn)靜電管控。

憑借(jiè)高準度，高(gāo)穩(wěn)定(dìng)性(xìng)與適配(pèi)性(xìng)，該款靜電電(diàn)壓(yā)表普遍(biàn)應用於(yú)半(bàn)導體晶圓加工，功(gōng)能薄(báo)膜製備，電子(zǐ)製造(zào)，新材(cái)料(liào)研發等場(cháng)景，是產(chǎn)綫在(zài)綫(xiàn)監(jiān)測，實(shí)驗室(shì)性(xìng)能測試(shì)，靜電風(fēng)險管(guǎn)控(kòng)的理想設(shè)備。