在(zài)功(gōng)率半導(dǎo)體器件(jiàn)及(jí)封裝絕(jué)緣材(cái)料研發，可靠性(xìng)檢(jiǎn)測(cè)環(huán)節(jié)，高(gāo)低(dī)溫(wēn)交變(biàn)環境下絕緣電(diàn)阻準確(què)表征存在(zài)諸多技(jì)術(shù)難(nán)點：低漏電流信(xìn)號易(yì)受工(gōng)業電網諧(xié)波，電磁噪聲幹(gān)擾(rǎo)，寬溫域溫度均(jūn)匀性(xìng)難以(yǐ)保(bǎo)障，瞬時擾(rǎo)動易產生(shēng)無效(xiào)異常(cháng)數據(jù)，傳統(tǒng)設(shè)備(bèi)量程(chéng)，靈敏度無(wú)法滿足(zú)絕緣材料測試標(biāo)準。

華測(cè)儀器(qì) SIR-450 半導體(tǐ)高低(dī)溫絕(jué)緣電阻測(cè)試(shì)係統，是(shì)麵(miàn)向功(gōng)率半導體，封裝(zhuāng)樹(shù)脂(zhī)，無機(jī)絕緣(yuán)基材，復合絕(jué)緣膜等材料開(kāi)發(fā)的變(biàn)溫絕緣(yuán)性能綜合(hé)檢(jiǎn)測(cè)設備(bèi)。係(xì)統采(cǎi)用集成(chéng)架構，集成寬範(fàn)圍準確(què)溫控腔體與高阻微弱(ruò)電流測量主(zhǔ)機(jī)單元(yuán)；硬件(jiàn)配(pèi)置(zhì)多級(jí)電(diàn)磁抗(kàng)幹擾(rǎo)組件，可減(jiǎn)少(shǎo)現場多種(zhǒng)電(diàn)磁幹(gān)擾噪聲(shēng)，設備(bèi)電流測量分(fēn)辨率可達 1fA，絕(jué)緣電阻測量上限 10¹⁶Ω，可(kě)穩定(dìng)采(cǎi)集材(cái)料在(zài)高(gāo)低(dī)溫工況下(xià)的(dí)微量漏(lòu)電流(liú)信號(hào)。

溫控(kòng)係統采用(yòng)全域(yù)均熱風(fēng)道(dào)結構(gòu)，工作(zuò)溫度(dù)區(qū)間覆蓋(gài) - 185℃~350℃，控溫精度(dù)≤±0.5℃；升(shēng)溫(wēn)速率(shuài)支持 0~10℃/min 連(lián)續自定(dìng)義設置，可(kě)復現多種標準及(jí)自定(dìng)義溫度老化，溫變(biàn)循(xún)環測試曲(qū)綫。軟件內嵌自動(dòng)平均值校正(zhèng)算法，能夠實(shí)時連(lián)續(xù)采樣，自動甄(zhēn)別並(bìng)減(jiǎn)少環境擾(rǎo)動引(yǐn)發的(dí)異常跳變數據，保障(zhàng)全溫度區間絕緣電阻(zǔ)測(cè)試(shì)數據(jù)的重(zhòng)復(fù)性(xìng)，穩定性與真實性，為(wéi)絕緣材(cái)料(liào)配方(fāng)開(kāi)發，器件長(cháng)期絕(jué)緣(yuán)可靠性(xìng)評估提(tí)供可靠，完(wán)整的測試(shì)數(shù)據(jù)支撐(chēng)。