漏(lòu)電起(qǐ)痕試驗(yàn)儀優(yōu)質產(chǎn)品(pǐn)供(gōng)應HCLD-III

一(yī)，漏電起(qǐ)痕(hén)試(shì)驗儀(yí)優(yōu)質產品供應HCLD-III產(chǎn)品概(gài)述：

華測高電壓起(qǐ)痕(hén)試驗儀為華測(cè)公司(sī)2013年(nián)重點科(kē)研產品之一，高壓漏電試(shì)驗儀采用(yòng)控(kòng)製係(xì)統(tǒng)精(jīng)度高，摈棄(qì)了現有(yǒu)的低壓切斷原原理，采(cǎi)用*的(dí)高壓真空(kōng)切(qiē)斷技術，使試驗過(guò)程合理(lǐ)。采用5組電(diàn)流(liú)傳感器(qì)用以控(kòng)製每(měi)組試(shì)驗的(dí)高壓(yā)切斷，使(shǐ)數據采(cǎi)集(jí)精(jīng)確，同時(shí)本(běn)設(shè)備采用(yòng)電(diàn)力(lì)係統(tǒng)過壓過(guò)流保(bǎo)護裝置，使(shǐ)儀(yí)器。

二，符合(hé)標(biāo)準：

高(gāo)壓漏(lòu)電起痕試驗機適用於對電(diàn)工電子(zǐ)產品(pǐn)，家(jiā)用(yòng)電器及其材料進行耐(nài)電(diàn)痕化(huà)和蝕損(sǔn)的(dí)試驗，模(mó)擬在(zài)工(gōng)頻（48Hz - 62Hz）下(xià)，用液(yè)體汙染物和斜(xié)麵試樣，通(tōng)過耐電痕(hén)化和(hé)蝕(shí)損的(dí)測(cè)量評(píng)定在嚴酷環(huán)境條件(jiàn)下使(shǐ)用(yòng)的電氣絕緣材料(liào)的(dí)耐電痕(hén)化(huà)和(hé)蝕損等級(jí)。本機(jī)是嚴格按照GB/T6553-2003 及 IEC60587-1984設(shè)計(jì)製(zhì)造(zào)。

三，高壓漏電起痕試驗機(jī)技(jì)術指標

1，電(diàn)極(jí)：厚0.5mm 材(cái)質(zhì)：不鏽鋼(gāng)；

2，上(shàng)下電極距離(lí)：50.0mm±0.1；

3，試(shì)驗電壓(yā)：100V-6000V；

4，調(tiáo)壓(yā)器(qì)：輸出(chū)：0～250V可以調，容量(liáng)5KVA；

5，試驗(yàn)變(biàn)壓(yā)器：容(róng)量5KVA，輸(shū)出(chū)電壓AC6000V（或DC6000V可選(xuǎn)）；

6，穩壓器(qì)：輸出AC220V 功率6000W，精(jīng)度±1%；

7，回路電流為(wéi)60mA時(shí)，切斷電(diàn)壓輸(shū)出(chū)；

8，試驗時間(jiān)：6小(xiǎo)時；

9，滴(dī)液精度(dù)：0.5%；

10，電壓穩(wěn)定(dìng)度：±1%；

11，起痕(hén)判斷：

依(yī)標(biāo)準(zhǔn)GB/T6553-2003/4.1.2規定，在試(shì)樣上(shàng)施加電壓(yā)（2.5k V,3. 5k V和4.5k V），並以(yǐ)一定流(liú)速滴汙(wū)染液，在(zài)60mA以下(xià)的(dí)電流(liú)持續(xù)6H不(bù)過流即為通過。

12，滴(dī)液(yè)裝置：

采用雷弗(fú)精(jīng)密蠕(rú)動(dòng)泵，流量範(fàn)圍(wéi)0.00185 ～20毫(háo)升/分鐘，工作轉速(sù)0.1～50轉(zhuǎn)/分(fēn)鐘，流量精度(dù)誤cha：＜0.5%；（根據(jù)試驗(yàn)電壓(yā)自動控(kòng)製(zhì)）

13，輸出(chū)電壓(yā)：交流/直(zhí)流(liú)（可切(qiē)換）

14，實驗(yàn)組數：五(wǔ)組(zǔ) 15，控製裝(zhuāng)置：采用PLC+中國(guó)台(tái)灣威綸(lún)觸(chù)摸屏控製，控製精密(mì)，操作簡單，設(shè)計人(rén)性(xìng)化，試(shì)驗(yàn)結束自(zì)動(dòng)生成報告(gào)，麵(miàn)板熱(rè)敏打印機(jī)可以(yǐ)適時(shí)打印(yìn)試驗結果； 15，工(gōng)作室(shì)體積：900L*650W*950H(mm)；容(róng)積(jī)為0.56m3。

15，汙液槽(cáo)采用316不(bù)鏽(xiù)鋼，加裝密閉裝置。

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