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鐵(tiě)電體早在(zài) 20世(shì)紀(jì) 40年(nián)代就引(yǐn)起物理(lǐ)學(xué)界和(hé)材料學(xué)界的關注(zhù) , 但由(yóu)於大塊(kuài)鐵電晶(jīng)體材(cái)料(liào)不(bù)易薄(báo)膜(mó)化,與半(bàn)導(dǎo)體(tǐ)和金(jīn)屬(shǔ)不相兼(jiān)容 ,使(shǐ)其未(wèi)能在(zài)材(cái)料(liào)和信(xìn)息領域扮演(yǎn)重(zhòng)要角(jiǎo)色。隨著薄(báo)膜製(zhì)備技術(shù)的發(fā)展,克服(fú)了製(zhì)備高質量(liáng)鐵(tiě)電薄膜的技術障礙 ,特別是(shì)能在不同襯底材料(liào)上沉積(jī)高(gāo)質(zhì)量(liáng)的外延(yán)或擇優取向(xiàng)的薄(báo)膜(mó),使鐵電(diàn)薄膜技(jì)術(shù)和半導體技術的兼容(róng)成為(wéi)可能 。由於人工(gōng)鐵電(diàn)材料種類的不斷擴大,特(tè)別(bié)是鐵電薄(báo)膜(mó)製(zhì)備技術(shù)和微(wēi)電子集成技(jì)術(shù)的長足發展(zhǎn), 以(yǐ)及光電子和傳感(gǎn)器(qì)等相關(guān)技術的(dí)發(fā)展 , 也對鐵(tiě)電(diàn)材(cái)料提出了小型(xíng)化(huà) ,集(jí)成化(huà)等(děng)高(gāo)的要求。正(zhèng)是(shì)在這樣(yàng)的研究背景下, 傳(chuán)統(tǒng)的(dí)半導體材料(liào)和陶(táo)瓷材(cái)料結合(hé)而形成交(jiāo)叉學科 —集(jí)成鐵電學 (IntegratedFerroelectrics)出(chū)現了(liǎo), 並由此使(shǐ)鐵電(diàn)材料(liào)及(jí)其(qí)熱釋(shì)電器(qì)件的研究(jiū)和開發(fā)呈現 2個特點(diǎn) :①是由(yóu)體材料組成的(dí)器件(jiàn)向薄膜器件(jiàn)過渡(dù);②是(shì)由分(fēn)立器件(jiàn)向集成化器件發展(zhǎn)。正是在這種集成化(huà)器件中鐵電薄(báo)膜(mó)已(yǐ)經(jīng)成(chéng)為矽(guī)或砷(shēn)化(huà)镓(jiā)集成電路(lù)的重要組(zǔ)成(chéng)部分(fēn)。並且集(jí)成(chéng)鐵(tiě)電學(xué)已經成(chéng)為鐵(tiě)電(diàn)學研究中活(huó)躍(yuè)的(dí)領(lǐng)域 ,如集成鐵(tiě)電電子(zǐ)器(qì)件, 基(jī)於鐵電薄膜的集成(chéng)光電(diàn)子學器件(jiàn) ,集成光學器件(jiàn) ,紅外探(tàn)測器,集成光(guāng)波(bō)導(dǎo)和開關以及鐵(tiě)電薄膜超(chāo)晶格的研(yán)究應用等已(yǐ)取得了很(hěn)大進(jìn)展。鐵電薄膜材(cái)料還被廣(guǎng)泛(fàn)用於(yú)非易失性存(cún)儲(chǔ)器,動(dòng)感隨機(jī)存儲器(qì) ,薄(báo)膜(mó)電容器(qì),紅(hóng)外探測器,介電(diàn)熱(rè)輻射(shè)測(cè)量(liáng)計(jì) ,相存(cún)儲(chǔ)器和光學(xué)傳感器等等。復合成的集(jí)成器件(jiàn)或微小器(qì)件廣泛地(dì)應(yīng)用(yòng)於(yú)軍事(shì),航(háng)空(kōng)航天(tiān),原(yuán)子(zǐ)核(hé)工業和其它(tā)輻(fú)射環(huán)境中使用(yòng)的新一(yī)代計(jì)算(suàn)機(jī)等很多領域。 在(zài)過(guò)去(qù)近(jìn)幾(jī)十年的(dí)時(shí)間裏 ,鐵電(diàn)薄膜(mó)的(dí)製備技術(shù)發展很快(kuài) ,應用(yòng)廣(guǎng)泛的有濺射(shè)法(fǎ),溶(róng)膠 -凝膠法(fǎ),激(jī)光(guāng)分子束(shù)外延(yán)法,脈衝(chōng)激光(guāng)沉(chén)積(jī)法。從化(huà)學(xué)氣(qì)相(xiāng)沉積法到磁控或射頻濺射沉積法和(hé)溶(róng)膠(jiāo) -凝(níng)膠(jiāo)法(fǎ)都為製(zhì)備好的鐵(tiě)電(diàn)薄(báo)膜做(zuò)了(liǎo)深入的探索(suǒ) 。其中(zhōng)溶膠 -凝(níng)膠(jiāo)法因(yīn)設(shè)備簡單 ,成分易控製而倍(bèi)受(shòu)重視 。現在, 用這種方(fāng)法(fǎ)已(yǐ)製備(bèi)出了 PZT[ Pb(Zr, Ti)O3 ] ,PZT(PbZrTiO3 ),BST[ (Ba, Sr)TiO3 ] ,PLZT[ (Pb, La)(Zr, Ti)O3 ] 和 PST[ Pb(Sc, Ta)O3 ]等(děng)多種薄(báo)膜,其(qí)中(zhōng)很多具(jù)有良好的介(jiè)電性(xìng)及(jí)熱(rè)釋電(diàn)性。

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