鐵(tiě)電(diàn)存儲(chǔ)器的基(jī)本存儲(chǔ)單元一般(bān)有兩(liǎng)結構(gòu)，分別為 1T1C（One transistor one capacitance）結構和 2T2C （Two transistor two capacitance）結構(gòu)，如(rú)圖(tú) 2-3 所(suǒ) 示。前者使(shǐ)用(yòng)一(yī)個晶體管及(jí)一個(gè)鐵(tiě)電電容組(zǔ)成一個(gè)存儲單元，而後(hòu)者則(zé)各(gè)為兩個(gè)。1T1C 結(jié)構的優點是能夠非(fēi)常大的節(jié)省存儲單元(yuán)所(suǒ)占(zhān)芯(xīn)片麵積，但(dàn)是該結構會導(dǎo)致(zhì)陣列(liè)中(zhōng)位綫（Bit Line）的電(diàn)壓(yā)差變低(dī)，讀(dú)出時對(duì)靈(líng)敏(mǐn)放(fàng)大器的要求會高；2T2C 結構雖(suī)然會使用大(dà)的麵(miàn)積(jī)，但(dàn)是(shì)由(yóu)於每(měi)個(gè)存儲(chǔ)單(dān)元都含(hán)有(yǒu)兩個(gè)鐵電電(diàn)容(róng)，其陣(zhèn)列中(zhōng)兩(liǎng)根(gēn)位(wèi)綫(xiàn)上(shàng)的電(diàn)壓差會(huì)大(dà)，讀出(chū)時(shí)準(zhǔn)確性會高。

在本文中，我們采用(yòng) 2T2C 型(xíng)存儲單(dān)元作為(wéi)我們設計的(dí)鐵(tiě)電存儲器(qì)的基(jī)本(běn)存儲單元。2T2C 結(jié)構(gòu)由兩個晶體(tǐ)管(guǎn)和(hé)兩個(gè)鐵(tiě)電電容(róng)組(zǔ)成，其連(lián)接方(fāng)式(shì)如圖 2-3 右(yòu)圖所示，該存儲單元(yuán)包(bāo)含(hán) 4 根與外部連(lián)接(jiē)的信號。其(qí)中 WL（Word Line）為(wéi)字綫(xiàn)，連(lián)接到兩(liǎng)個晶(jīng)體管的柵(zhà)極，用(yòng)於(yú)控製兩(liǎng)個(gè) NMOS 晶(jīng)體管的開關；BL
，BLN 為(wéi)位綫，用於(yú)向(xiàng)存儲單(dān)元(yuán)中(zhōng)寫(xiě)入或(huò)讀(dú)出(chū)數(shù)據(jù)；PL（Plate Line）為(wéi)板綫(xiàn)，連(lián)接到鐵電電(diàn)容的一極，用(yòng)於給鐵(tiě)電(diàn)電容(róng)充(chōng)電使其(qí)極化；Fcap1 與(yǔ) Fcap2 是兩個鐵電(diàn)電容，其(qí)一極共(gòng)同(tóng)連接(jiē)至(zhì) PL，另一極(jí)分別與兩個 NMOS 相連，當 WL 開啟(qǐ)時，這一(yī)極便可以(yǐ)與位綫導(dǎo)通。