存儲器工藝(yì)的發展

 第(dì)yi個半(bàn)導體存儲器是一(yī)種雙(shuāng)極(jí)型的靜態存(cún)儲器
，並且(qiě)隻有16位(wèi)
，集成度(dù)非常低(dī)
，所以(yǐ)不能體(tǐ)現(xiàn)出它(tā)的優點(diǎn)。之(zhī)後(hòu)
，MOSFET技術(shù)有了(liǎo)突(tū)破(pò)性的進(jìn)展。由於(yú)MOS集(jí)成電(diàn)路的集成密(mì)度大(dà)大(dà)優於(yú)雙極(jí)型電路
，並且有著自(zì)隔(gé)離等優(yōu)點(diǎn)
，因(yīn)此
，采用(yòng)MOS工藝製作的半導體(tǐ)存(cún)儲器便(biàn)成(chéng)為(wéi)了當(dāng)時(shí)主要的追(zhuī)求(qiú)目標(biāo)。之(zhī)後
，CMOS技術進入了(liǎo)成熟(shú)大發(fā)展(zhǎn)階(jiē)段
，它(tā)的(dí)維持(chí)功(gōng)耗(hào)低
，電(diàn)路結構簡(jiǎn)單(dān)和可靠性好(hǎo)等
，因(yīn)此就(jiù)很快(kuài)的淘(táo)汰(tài)了(liǎo)NMOS存儲(chǔ)器。

           在這(zhè)期間主(zhǔ)要(yào)的工藝(yì)進步就在於細微(wēi)加工技術(shù)的(dí)進步(bù)。起(qǐ)初(chū)是2至3微米
，後期進(jìn)步(bù)到0.6至(zhì)0.8亞微米工藝(yì)
，再(zài)後(hòu)來達(dá)到了0.2至(zhì)0.3亞微米工藝
，而今(jīn)已經(jīng)達到了68nm的工藝。

 工(gōng)藝的進(jìn)步(bù)使半導體(tǐ)存儲器的(dí)集成(chéng)度和(hé)不斷的(dí)提高
，過去不少專(zhuān)家預(yù)言集成電路(lù)達(dá)到(dào)1微(wēi)米是極限
，後來又預測(cè)0.5微(wēi)米是極(jí)限。現(xiàn)在看來(lái)
，這些預言在事實麵(miàn)前都宣(xuān)告了(liǎo)失敗。

存(cún)儲器技(jì)術的發(fā)展(zhǎn)

 隨(suí)機存儲器(qì)的(dí)電路技術方(fāng)麵也有(yǒu)著不(bù)少(shǎo)的突(tū)破(pò)和革新。由一開始的單(dān)元電路
，變(biàn)為六(liù)管(guǎn)單(dān)元(yuán)
，然後變成四(sì)管，三管(guǎn)單元
，其後成功(gōng)開發了單管單(dān)元(yuán)。因為(wéi)半導(dǎo)體隨機(jī)存儲(chǔ)器的(dí)主(zhǔ)要(yào)追求目(mù)標(biāo)是集成容量(liáng)
，也(yě)就是每(měi)片(piàn)集成(chéng)的(dí)單元數量。因此(cǐ)
，單元電路(lù)用的(dí)管子越(yuè)少越好。也就(jiù)是(shì)說(shuō)
，單管單元(yuán)是較好的(dí)單元(yuán)電路(lù)。由(yóu)於(yú)采用(yòng)單管單元(yuán)會(huì)帶來讀(dú)出信號小的問題(tí)
，我們可以用靈敏的獨出放(fàng)大器來解決這一(yī)問題。

           近幾十(shí)年(nián)來金(jīn)屬氧化(huà)物半導(dǎo)體（MOS)隨(suí)機(jī)存(cún)儲器的(dí)發展速度很(hěn)快
，這種(zhǒng)存(cún)儲器的集成度(dù)以(yǐ)平均每年(nián)1.5倍的(dí)速度在(zài)增長。1971年美(měi)國Intel公司研製出(chū)的半(bàn)導(dǎo)體存儲器(qì)件成(chéng)功推向(xiàng)市場
，得到了用戶的(dí)初(chū)步(bù)應用。它(tā)的存(cún)儲芯片采用三管存儲(chǔ)單(dān)元
，利用“1”和“0”分(fēn)別代表(biǎo)電平的(dí)高和(hé)低(dī)。由(yóu)於電容有(yǒu)漏(lòu)電(diàn)問題
，因此(cǐ)
，若想要保(bǎo)存信息(xī)則需要(yào)定期(qī)刷(shuā)新(xīn)
，故稱之為(wéi)動(dòng)態(tài)RAM（DRAM)。三(sān)管存(cún)儲單(dān)元的(dí)出現(xiàn)
，不(bù)僅(jǐn)提高了(liǎo)存(cún)儲單元(yuán)陣(zhèn)列(liè)的集成(chéng)度
，同時(shí)將(jiāng)存儲器(qì)的譯碼器，數(shù)據輸入(rù)輸(shū)出緩衝(chōng)電(diàn)路和芯(xīn)片(piàn)控製電路也做(zuò)在(zài)芯(xīn)片(piàn)上。

           在(zài)半導體(tǐ)存儲器市場(cháng)中
，靜(jìng)態RAM（SRAM)也(yě)不斷地在發(fā)展(zhǎn)
，SRAM不需要像(xiàng)DRAM    一樣要定(dìng)期(qī)刷新
，它(tā)使(shǐ)用(yòng)方便(biàn)
，而(ér)且速(sù)度也(yě)比(bǐ)較(jiào)快(kuài)
，所以它(tā)適合稍(shāo)小一些容器(qì)存(cún)儲(chǔ)係統使(shǐ)用。SRAM與(yǔ)DRAM長(cháng)期處於(yú)共存狀態(tài)
，MOSRAM的存儲(chǔ)單(dān)元(yuán)一(yī)般有(yǒu)4個(gè)MOS管和2個(gè)負載電阻組(zǔ)成(chéng)
，因而(ér)芯片單(dān)元麵(miàn)積較(jiào)大(dà)
，一般(bān)來說
，在同(tóng)一時(shí)期(qī)內(nèi)SRAM的集(jí)成(chéng)度約(yuē)為(wéi)DRAM的1/4。