電介質充(chōng)放電測試係統 Huace-DCS10KV

產(chǎn)品(pǐn)介紹：

Huace-DCS10KV電介質(zhì)充放(fàng)電測(cè)試係統(tǒng)主要用(yòng)於研(yán)究介(jiè)電(diàn)儲能材料高電壓放電(diàn)性能。目

前(qián)常規的(dí)方法(fǎ)是(shì)通過(guò)電滯回綫計算(suàn)高壓(yā)下電介質的能量(liáng)密度(dù)，測試時，樣品(pǐn)的電(diàn)荷(hé)是放(fàng)回到(dào)高壓源上(shàng)，而(ér)不(bù)是(shì)釋(shì)放(fàng)到負載上，通(tōng)過(guò)電滯(zhì)回綫測得(dé)的(dí)儲能密度一般(bān)會(huì)大(dà)於樣品(pǐn)實際(jì)釋(shì)放的(dí)能(néng)量(liáng)密(mì)度，無(wú)法正確評(píng)估電介(jiè)質(zhì)材料(liào)的正常(cháng)放(fàng)電性(xìng)能。華測(cè)Huace-DCS10KV儲(chǔ)能(néng)電(diàn)介質充放電係統采(cǎi)用(yòng)專門設計的(dí)電容放電電路(lù)來(lái)測(cè)量，測試(shì)電路如(rú)下(xià)圖(tú)所(suǒ)示。在(zài)該(gāi)電路中(zhōng)，首(shǒu)先(xiān)將介(jiè)電(diàn)膜(mó)充電到給定(dìng)電(diàn)壓，之後通過閉(bì)合高(gāo)速MOS高(gāo)壓開關，存儲(chǔ)在電(diàn)容(róng)器(qì)膜中(zhōng)的(dí)能(néng)量(liáng)被放(fàng)電(diàn)到電(diàn)阻器(qì)負(fù)載(zǎi)的原理設計開發，更符合電介(jiè)質(zhì)充(chōng)放電原(yuán)理。

產(chǎn)品特點 ：

1， 本係(xì)統采(cǎi)用(yòng)特殊高壓開關(guān)，通過(guò)單刀雙擲控製充(chōng)電(diàn)和放(fàng)電(diàn)過程，開關可以承(chéng)受(shòu)10kV高壓，寄(jì)生(shēng)電(diàn)容小，動作時間(jiān)短(duǎn)；

2， 電壓10kV，電(diàn)流5mA；

3， 可外(wài)接(jiē)高壓(yā)放(fàng)大(dà)器或高壓(yā)直流(liú)電源；

4， 通(tōng)過(guò)電流(liú)探(tàn)頭檢(jiǎn)測(cè)放(fàng)電電(diàn)流(liú)，可達100A；

5， 可以(yǐ)實現欠阻尼和過阻尼(ní)兩(liǎng)種測試(shì)模(mó)式，欠阻(zǔ)尼測試(shì)時，放電回(huí)路短路，不使用(yòng)電阻負(fù)載，過(guò)阻(zǔ)尼測(cè)試(shì)時(shí)，使用較大的高精(jīng)

度無(wú)感電(diàn)阻作(zuò)為(wéi)放電(diàn)負載(zǎi)；

6， 可(kě)以作為一個(gè)信號(hào)源，產生任(rèn)意波形；

7， 通(tōng)過示波器(qì)采集數據，並能直(zhí)接計算(suàn)儲(chǔ)能密度(dù)；

8， 定(dìng)製載(zǎi)樣平(píng)台，可(kě)適(shì)用於(yú)陶(táo)瓷和薄(báo)膜樣(yàng)品測(cè)試；

9， 可(kě)以進(jìn)行變溫(wēn)測試，RT~200℃；

10， 可以進行(háng)疲勞測試；

11， 還(huán)可用(yòng)於(yú)極化(huà)材料(liào)之(zhī)用(yòng)。