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半(bàn)導(dǎo)體封裝(zhuāng)材(cái)料高(gāo)壓TSDC熱刺(cì)激(jī)測試(shì)係統(tǒng)的(dí)產品(pǐn)原理是什麼(mó)?
產品(pǐn)概述:
熱(rè)刺激去(qù)極化電流(TSDC)技(jì)術用(yòng)於預測EMC的(dí)HTRB性(xìng)能(néng)。TSDC方法(fǎ)包(bāo)括極化過程,在(zài)該過程(chéng)中,電介(jiè)質(zhì)樣品(pǐn)暴(bào)露(lòu)在高電(diàn)場(cháng)強(qiáng)度(dù)和高溫環境下。在這種(zhǒng)情(qíng)況下,電荷被(bèi)分(fēn)離並在介(jiè)電(diàn)材料(liào)電(diàn)子(zǐ)元(yuán)件中移(yí)動(dòng)。盡管單個(gè)TSDC信(xìn)號和HTRB性(xìng)能之間的(dí)相關性表(biǎo)明(míng),極化峰(fēng)值越高,TSDC曲(qū)綫越大,而HTRB性(xìng)能(néng)越差,但這(zhè)並(bìng)不(bù)能wanquan解釋EMC在(zài)發出(chū)強放電信號時的某些故障(zhàng)。因(yīn)此(cǐ),弛(chí)豫(yù)時(shí)間(jiān)是解釋(shì)外層HTRB失效(xiào)樣本的另(lìng)一(yī)個關鍵參數。
關於(yú)環氧塑(sù)封料(liào)(EMC, Epoxy Molding Compound)TSDC測試(shì)技術,為華測公(gōng)司(sī)在(zài)國內較(jiào)早提(tí)及目前已(yǐ)被廣(guǎng)泛(fàn)應用(yòng)到較多的半(bàn)導體(tǐ)封裝(zhuāng)材(cái)料及半導體(tǐ)生產研發企(qǐ)業。已(yǐ)證明(míng)此測(cè)試(shì)方式是有效的(dí),同(tóng)時(shí)加(jiā)速國(guó)產化(huà)IGBT,MOSFET等功(gōng)率(shuài)器件(jiàn)的研發。如(rú)無錫凱(kǎi)華(huá),中(zhōng)科(kē)科化(huà),飛(fēi)凱(kǎi)材料等企業(yè)。
產(chǎn)品原(yuán)理(lǐ):
TSDC是一(yī)種(zhǒng)研究電荷存(cún)儲(chǔ)特(tè)性(xìng)的(dí)實(shí)驗(yàn)技術,用於確(què)定(dìng)初始電(diàn)荷(hé)和(hé)捕獲電荷的活(huó)化能以及(jí)弛(chí)豫,該方法(fǎ)包(bāo)括一(yī)個(gè)極化(huà)過(guò)程,其中(zhōng)介電樣品(pǐn)在(zài)高(gāo)溫下暴(bào)露於高電場(cháng)強度(dù)下(xià)。在(zài)此(cǐ)之後,試(shì)樣在外(wài)加(jiā)電(diàn)場的作(zuò)用(yòng)下迅(xùn)速進(jìn)行冷卻。以這(zhè)種方式,電荷被分離(lí)並(bìng)固定在介電材料駐(zhù)極體內(nèi)。然(rán)後進行(háng)升(shēng)溫將駐(zhù)極體(tǐ)內的(dí)電荷進(jìn)行釋(shì)放,同時配(pèi)合(hé)測量儀器(qì)進行(háng)測(cè)量(liáng),並為(wéi)科研人(rén)員進行分(fēn)析。通過(guò)TSDC測(cè)試方法研究(jiū)了EMC對功率(shuài)半導體(tǐ)HTRB可靠(kào)性的影響(xiǎng),了(liǎo)解(jiě)到EMC在(zài)高溫(wēn),高(gāo)壓條件下會發生電(diàn)極化或電取(qǔ)向。此外,依賴於在相應(yīng)的(dí)冷卻(què)環境中維持其極化(huà)狀(zhuàng)態(tài),它會幹擾(rǎo)MOS-FET半(bàn)導體(tǐ)中(zhōng)反轉(zhuǎn)層的正常(cháng)形成。通過TSDC試(shì)驗,我(wǒ)們還了(liǎo)解(jiě)了在(zài)可靠性測(cè)試(shì)中由於(yú)應用條件而(ér)導(dǎo)致(zhì)的材料內(nèi)部極化(huà)電荷(hé)的(dí)數(shù)量也是一個重(zhòng)要的(dí)影(yǐng)響(xiǎng)因(yīn)素。
產品參數(shù):
設(shè)備(bèi)型(xíng)號(hào):HC-TSC
溫度範圍:-185 ~ 600°C
控溫精度:±0.25°C
升溫斜(xié)率:10°C/min(可(kě)設定)
測試頻(pín)率:最(zuì)大(dà)電壓:±10kV
加熱(rè)方式:直流(liú)電極(jí)加熱(rè)
冷(lěng)卻(què)方式(shì):水(shuǐ)冷
樣品尺(chǐ)寸:φ<25mm,d<4mm
電極材料:黃銅或銀(yín);
夾(jiā)具輔(fǔ)助材料 :99氧(yǎng)化鋁陶瓷(cí)
低溫製(zhì)冷:液氮
測試(shì)功(gōng)能(néng) :TSDC
數據(jù)傳(chuán)輸:RS-232
設(shè)備尺(chǐ)寸 :180 x 210 x 50mm

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