在(zài)高電(diàn)場(cháng)作用(yòng)下(xià)，材料(liào)介(jiè)電極(jí)化(huà)行(háng)為，介質(zhì)損耗(hào)特性(xìng)及微弱(ruò)漏(lòu)電流易(yì)受場強，頻(pín)率(shuài)，溫度及(jí)外界電磁幹擾影響(xiǎng)，導(dǎo)致(zhì)測試(shì)數(shù)據(jù)漂移，重(zhòng)復性差(chà)，真實(shí)性能難以準(zhǔn)確(què)表(biǎo)征。如何(hé)在(zài)復雜(zá)工況下實現測得準，測得(dé)穩，測得全，是介電(diàn)材(cái)料(liào)，絕緣(yuán)材料，功(gōng)能陶瓷及電子器件(jiàn)研(yán)發與質控的關(guān)鍵(jiàn)痛(tòng)點(diǎn)。

華(huá)測儀(yí)器高(gāo)電場介(jiè)電，損耗，漏電(diàn)流測試係統(tǒng)，是(shì)為(wéi)強場(cháng)電性能(néng)準確(què)表(biǎo)征而設(shè)計(jì)。整(zhěng)機(jī)采用全(quán)集成一(yī)體式硬(yìng)件(jiàn)架構，將(jiāng) FPGA 高速主控，高準(zhǔn)度高壓(yā)放大模塊(kuài)與高性能(néng)鎖相(xiāng)檢(jiǎn)測(cè)單元協同(tóng)工(gōng)作，從信(xìn)號發(fā)生，高壓(yā)輸出(chū)到(dào)微(wēi)弱電(diàn)流采集(jí)全(quán)程閉(bì)環(huán)控製，大幅優(yōu)化係統(tǒng)穩定性與(yǔ)信(xìn)噪(zào)比(bǐ)。

係(xì)統搭(dā)載(zǎi)AC DFR 介(jiè)電(diàn)頻(pín)率響應技術(shù)，直接(jiē)原位測量(liáng)材料介電(diàn)頻譜特性，摒(bìng)棄傳(chuán)統間(jiān)接換算(suàn)帶來(lái)的(dí)誤差累(léi)積，具備強抗幹擾(rǎo)能(néng)力(lì)，即便在高電(diàn)場，高(gāo)噪聲(shēng)工業與(yǔ)科(kē)研環(huán)境中，仍能確保測(cè)試數據準(zhǔn)確(què)可靠，長(cháng)期穩定(dìng)。

頻(pín)率(shuài)覆蓋(gài)1mHz 至(zhì) 10kHz寬頻域(yù)，輸出電壓0～500V連續可調，高壓(yā)響應速(sù)度可(kě)達150V/μs，可跟(gēn)隨動態(tài)波形，滿足(zú)強場，瞬態電場(cháng)下的材(cái)料(liào)性能測試需求。電(diàn)流(liú)檢測靈敏(mǐn)度(dù)可(kě)至(zhì)2×10^-13A，阻抗測(cè)量(liáng)上(shàng)限可達10^15Ω，準確(què)捕捉(zhuō)極(jí)小(xiǎo)漏(lòu)電(diàn)流與(yǔ)高絕緣(yuán)材料的(dí)微(wēi)弱電(diàn)信號。

搭(dā)配(pèi)環境箱與液(yè)氮控溫(wēn)模塊(kuài)，實(shí)現-80℃至 230℃寬溫(wēn)區(qū)連續(xù)變(biàn)溫(wēn)測(cè)試，真實還原(yuán)材(cái)料(liào)在復(fù)雜(zá)溫度與(yǔ)強(qiáng)電(diàn)場(cháng)耦合環境(jìng)下(xià)的服役(yì)行(háng)為(wéi)。係(xì)統支持同步采集(jí)介(jiè)電(diàn)常數，介質損(sǔn)耗(hào)，漏電流，阻抗，電導率等(děng)全(quán)維度參數(shù)，無需多次(cì)切換(huàn)測試(shì)設備，數據(jù)一致(zhì)性(xìng)更強(qiáng)，測(cè)試(shì)效(xiào)率更高。

同(tóng)時(shí)支(zhī)持(chí)自定義電(diàn)壓波(bō)形(xíng)輸出，可模(mó)擬多(duō)種實(shí)際(jì)工況電場，為材料篩(shāi)選，機(jī)理研(yán)究(jiū)，失(shī)效分(fēn)析及器件可(kě)靠性評估(gū)提(tí)供(gōng)完(wán)整(zhěng)的(dí)測(cè)試解(jiě)決(jué)方(fāng)案(àn)。