在新(xīn)能(néng)源，半導體(tǐ)，高分(fēn)子材料(liào)絕緣(yuán)性(xìng)能檢測(cè)場景(jǐng)中，傳統(tǒng)高(gāo)阻設(shè)備普(pǔ)遍存(cún)在(zài)電磁幹擾大，微電流(liú)信號失真，操(cāo)作繁瑣，復雜工況數據漂移等痛點，華(huá)測儀器 Huace-300 高阻(zǔ)計依托(tuō)自(zì)研(yán)電路(lù)與硬(yìng)件架(jià)構(gòu)，針對性解(jiě)決行業測量(liáng)難題(tí)，實(shí)現高(gāo)準度，高(gāo)穩(wěn)定(dìng)的絕(jué)緣電阻(zǔ)率(shuài)檢測。

設備(bèi)搭載(zǎi)自研HC浮動(dòng)電路 + 雙同軸(zhóu)連接器(qì)雙(shuāng)重(zhòng)抗幹擾設計，減(jiǎn)少工頻(pín)諧(xié)波(bō)，高壓雜波，車間(jiān)電(diàn)機電磁(cí)輻(fú)射(shè)等(děng)外界幹擾源，效果(guǒ)優(yōu)於常規設(shè)備(bèi)，減(jiǎn)少(shǎo)雜散電流(liú)對微弱信號的幹(gān)擾。 標準實驗(yàn)室常規(guī)環境(jìng)下測量(liáng)偏(piān)差(chà)為(wéi)0.7%，抗(kàng)幹(gān)擾性(xìng)能(néng)得(dé)到(dào)優化(huà)；即(jí)便(biàn)在多(duō)設(shè)備，多粉(fěn)塵，電(diàn)壓(yā)波動(dòng)大的(dí)生產車間(jiān)，長時(shí)間(jiān)連續(xù)老化測(cè)試(shì)也無(wú)數據(jù)漂移(yí)，數(shù)值跳變(biàn)問題(tí)，保(bǎo)障(zhàng)長(cháng)期(qī)質檢，研發耐久(jiǔ)試(shì)驗(yàn)的數據一致性與(yǔ)可(kě)復現(xiàn)性。

整機(jī)內(nèi)置飛安級微(wēi)弱電(diàn)流處(chǔ)理芯片，可準確(què)捕(bǔ)捉絕緣基(jī)材，防靜電薄(báo)膜產生的(dí)納安(ān)至飛安級微弱漏電信號，不會(huì)出現(xiàn)微小(xiǎo)電流(liú)丟失，讀數截(jié)斷的(dí)情況，適配薄(báo)介電膜(mó)，絕(jué)緣(yuán)材(cái)料(liào)的(dí)低漏(lòu)電(diàn)流檢測需求(qiú)。

標配(pèi) 10V/50V/100V/250V/500V/1000V 六(liù)大(dà)標準直流測(cè)試電壓(yā)，檔位一(yī)鍵(jiàn)切換(huàn)，可(kě)模擬材料不同實(shí)際工(gōng)作(zuò)電(diàn)壓環境。搭載(zǎi)自(zì)動尋檔(dàng)技術，無(wú)需人(rén)工(gōng)反復(fù)切(qiē)換電(diàn)流檔位(wèi)，開(kāi)機啟動測(cè)試後儀(yí)器(qì)自(zì)動匹(pǐ)配測(cè)量量程，減少手(shǒu)動換(huàn)擋(dǎng)帶來的操作誤差(chà)與時間(jiān)損耗(hào)；內(nèi)置標(biāo)準電阻率運算算法(fǎ)，輸(shū)入樣品厚(hòu)度，電極尺(chǐ)寸參數後，實(shí)時自(zì)動(dòng)計算並輸(shū)出(chū)表(biǎo)麵電(diàn)阻(zǔ)率，體積電阻率(shuài)數(shù)值，無(wú)需人工(gōng)查表，公式(shì)換算(suàn)，減(jiǎn)少單次檢(jiǎn)測時長(cháng)，優(yōu)化(huà)產綫批(pī)量檢(jiǎn)測效(xiào)率。

配(pèi)備4.3寸觸摸電(diàn)容(róng)屏，操作(zuò)界麵(miàn)簡潔直觀(guān)，測試過程中同(tóng)步(bù)實時(shí)顯(xiǎn)示(shì)電(diàn)阻，漏電流，施加(jiā)電壓(yā)，表麵(miàn) / 體積電(diàn)阻率(shuài)等(děng)數據(jù)，參數(shù)一(yī)目了(liǎo)然(rán)。

Huace-300高(gāo)阻(zǔ)計為(wéi)高絕(jué)緣，防(fáng)靜電材料電性(xìng)能表(biǎo)征(zhēng)打(dǎ)造，普(pǔ)遍適(shì)配(pèi)新(xīn)能源產(chǎn)業，電(diàn)子(zǐ)半(bàn)導體領域，高(gāo)分子(zǐ)新(xīn)材料行業等研(yán)發實(shí)驗室(shì)與生產車間(jiān)，是材料絕緣性能標準(zhǔn)化檢(jiǎn)測(cè)的設(shè)備。