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簡要描(miáo)述(shù):鐵(tiě)電參數分析儀內置(zhì)完整(zhěng)的工(gōng)控(kòng)計算機(jī)主機,測試(shì)版路(lù),運(yùn)算放(fàng)大(dà)器(qì),數據處理單元(yuán)等,包括工(gōng)控計(jì)算(suàn)機主(zhǔ)板,CPU(i3或(huò)以上),RAM(8G或(huò)以上),固(gù)態硬盤(250G或(huò)以(yǐ)上),網卡,USB接(jiē)口,VGA接口(kǒu),預裝(zhuāng)Windows7操(cāo)作(zuò)係(xì)統,功能(néng)材料(liào)電學綜(zōng)合測試係(xì)統(tǒng)測試軟件等。鐵電(diàn)儀(yí) 國產(chǎn)可定製
產(chǎn)品(pǐn)分類(lèi)
Product Category相(xiāng)關文(wén)章
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| 品(pǐn)牌(pái) | 華測儀(yí)器(qì) | 產地類(lèi)別(bié) | 國(guó)產(chǎn) |
|---|---|---|---|
| 應用(yòng)領域 | 環(huán)保,電(diàn)子/電池(chí),電氣(qì),綜合 |
鐵電(diàn)儀(yí) 國產可(kě)定製(zhì)
鐵電儀 國(guó)產可定製內置完整的(dí)工(gōng)控計算(suàn)機主機(jī),測試(shì)版路(lù),運(yùn)算(suàn)放大器(qì),數據處(chǔ)理單元(yuán)等,包括工(gōng)控(kòng)計算機(jī)主(zhǔ)板(bǎn),CPU(i3或以(yǐ)上),RAM(8G或以上),固態硬(yìng)盤(250G或以上),網(wǎng)卡(qiǎ),USB接口,VGA接(jiē)口(kǒu),預裝Windows7操作(zuò)係(xì)統(tǒng),功能材料電學(xué)綜(zōng)合測(cè)試係統(tǒng)測試(shì)軟件(jiàn)等。
多接口
預(yù)留4路(lù)20M高速信(xìn)號采集接口(kǒu)
預(yù)留2路485通訊(xùn)接(jiē)口
2路(lù)3.0USB接口,4路2.0USB接口(kǒu)
1路(lù)HDML高清(qīng)視頻接(jiē)口
技術說明:
電壓範(fàn)圍: +/- 25 V(可選(xuǎn)的(dí)附(fù)加高壓放(fàng)大(dà)器(qì)可擴(kuò)展至+/- 10KV);
電(diàn)滯頻率:增強(qiáng)型FE模(mó)塊250kHz,高速增(zēng)強(qiáng)型FE模塊1MHz;
最(zuì)小脈(mài)衝寬度(dù):50ns;
最(zuì)小(xiǎo)上(shàng)升時間(jiān):10ns;
最大疲(pí)勞(láo)頻率:16MHz;
電(diàn)流放大範圍:1pA~1A;
最大(dà)負荷(hé)電容:1nF;
輸出電流(liú)峰(fēng)值:+/-1 A。
FE模(mó)塊(kuài)標準(zhǔn)測試功能:
Dynamic Hysteresis 動態電(diàn)滯回(huí)綫測試(shì)頻率(shuài)(增(zēng)強型FE模(mó)塊250kHz,高(gāo)速增(zēng)強型(xíng)FE模塊(kuài)1MHz);
Static Hysterestic 靜態電滯(zhì)回(huí)綫(xiàn)測試;
PUND 脈衝(chōng)測試;
Fatigue 疲勞測試;
Retention 保(bǎo)持(chí)力;
Imprint 印(yìn)跡;
Leakage current漏(lòu)電流測(cè)試(shì);
Thermo Measurement 變(biàn)溫測試(shì)功能(néng)。
FE模塊可選測(cè)試功能(néng):
C-V curve電(diàn)容(róng)-電(diàn)壓曲(qū)綫;
Piezo Measurement壓電測(cè)試;
Pyroelectric Measurement熱釋電測試;
In-situ Compensation 原位補償(cháng);
DLCC 動(dòng)態漏(lòu)電(diàn)流補(bǔ)償(cháng)功能;
Impedance Measurement 阻抗(kàng)測(cè)試(shì)



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