電介質充放電測(cè)試(shì)係統 Huace-DCS10KV

電(diàn)介(jiè)質充(chōng)放電測(cè)試係統/功(gōng)能(néng)材(cái)料測(cè)試(shì)儀(yí)產(chǎn)品(pǐn)介(jiè)紹：

  Huace-DCS10KV電(diàn)介質充放電(diàn)測(cè)試(shì)係統(tǒng)主(zhǔ)要用於(yú)研(yán)究(jiū)介電儲能(néng)材料高(gāo)電壓放電(diàn)性能(néng)。目前(qián)常規的(dí)方(fāng)法是通過電(diàn)滯回綫(xiàn)計算(suàn)高(gāo)壓下(xià)電介質(zhì)的能量密度(dù)，測試(shì)時，樣品的(dí)電(diàn)荷是放回到高(gāo)壓(yā)源上(shàng)，而不是釋(shì)放到負載上，通過電(diàn)滯(zhì)回(huí)綫(xiàn)測(cè)得的(dí)儲(chǔ)能(néng)密度一般會(huì)大(dà)於樣品(pǐn)實(shí)際釋放的能量(liáng)密度，無(wú)法正確評(píng)估電介(jiè)質(zhì)材(cái)料的正(zhèng)常(cháng)放電性能。華測Huace-DCS10KV儲能電介(jiè)質(zhì)充(chōng)放(fàng)電係統(tǒng)采用(yòng)專(zhuān)門設(shè)計(jì)的(dí)電容放(fàng)電電(diàn)路來測(cè)量，測(cè)試(shì)電路如(rú)下(xià)圖所示。在該(gāi)電(diàn)路(lù)中，首先將(jiāng)介電膜(mó)充電到(dào)給定(dìng)電壓(yā)，之(zhī)後通(tōng)過閉合高速(sù)MOS高(gāo)壓開(kāi)關(guān)，存儲(chǔ)在電容(róng)器膜中(zhōng)的(dí)能量被放電到電阻器負(fù)載的(dí)原理(lǐ)設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)，更符合(hé)電介(jiè)質充放電原(yuán)理。

電介(jiè)質(zhì)充(chōng)放電測(cè)試(shì)係統/功能(néng)材料(liào)測試(shì)儀(yí)主(zhǔ)要參(cān)數(shù)：

1，電(diàn)流(liú)探頭帶(dài)寬：120MHz
；

2，峰值(zhí)電流：0-100A，150 A(多種(zhǒng)電(diàn)流可監測）
；

3，電流采(cǎi)集精(jīng)度(dù)：1mA
；

4，高壓源(yuán)模塊：3KV，5KV， 10kV，15KV多可選(xuǎn)（電(diàn)流(liú)：0-5mA）
；

5，開關適(shì)用(yòng)：100萬次，耐(nài)壓(yā)15kV
；

6，溫(wēn)控範圍：0-200℃
；

7，溫度穩定性(xìng)和精(jīng)度：0.1℃
；

8，測(cè)試樣品：薄膜，厚(hòu)膜(mó)，陶(táo)瓷(cí)，玻(bō)璃等
；

9，可(kě)以配合(hé)各種極化設備進(jìn)行多(duō)種壓電(diàn)材料和介(jiè)電材(cái)料的(dí)測(cè)試。

產品(pǐn)特(tè)點 ：

1， 本(běn)係統(tǒng)采用特(tè)殊(shū)高壓開關(guān)，通過(guò)單(dān)刀雙(shuāng)擲(zhì)控(kòng)製(zhì)充(chōng)電(diàn)和放(fàng)電過程(chéng)，開關可以承(chéng)受10kV高(gāo)壓(yā)，寄生(shēng)電(diàn)容(róng)小，動(dòng)作(zuò)時間(jiān)短(duǎn)
；

2， 電(diàn)壓(yā)10kV，電流(liú)5mA
；

3， 可外接高壓(yā)放大(dà)器或高壓(yā)直(zhí)流電(diàn)源
；

4， 通過電(diàn)流(liú)探頭檢(jiǎn)測(cè)放(fàng)電(diàn)電流(liú)，可(kě)達(dá)100A
；

5， 可以實(shí)現欠(qiàn)阻(zǔ)尼和過阻(zǔ)尼兩種測(cè)試模式(shì)，欠阻尼測試(shì)時(shí)，放電(diàn)回路短路，不使(shǐ)用電阻負載(zǎi)，過阻尼(ní)測試時(shí)，使(shǐ)用較(jiào)大的高精(jīng)

度(dù)無(wú)感電阻作為(wéi)放電負(fù)載
；

6， 可(kě)以(yǐ)作為一個(gè)信號源(yuán)，產生任(rèn)意波(bō)形
；

7， 通過(guò)示波器(qì)采集(jí)數據(jù)，並能直(zhí)接計(jì)算儲能(néng)密度
；

8， 定製載樣(yàng)平(píng)台，可適用於陶(táo)瓷和(hé)薄膜(mó)樣品(pǐn)測試
；

9， 可以進行(háng)變溫測(cè)試(shì)，RT~200℃
；

10， 可(kě)以進行(háng)疲(pí)勞測試(shì)
；

11， 還可用於(yú)極化(huà)材料之用。

儲能(néng)電介電放電行為

華測(cè)Huace-DCS10KV儲能(néng)電介(jiè)質充放(fàng)電係(xì)統(tǒng)采(cǎi)用專(zhuān)門設計的電容放電(diàn)電(diàn)路(lù)來測量。在(zài)該電(diàn)路(lù)中(zhōng)，首(shǒu)先(xiān)將(jiāng)介(jiè)電(diàn)膜充電到給定(dìng)電壓，之(zhī)後(hòu)通過閉合(hé)高(gāo)速MOS高(gāo)壓開(kāi)關，存(cún)儲在(zài)電(diàn)容器膜中的能(néng)量(liáng)被放(fàng)電(diàn)到電(diàn)阻(zǔ)器負載(zǎi)。在放電過(guò)程中電壓對(duì)樣(yàng)品(pǐn)的(dí)時間依(yī)賴(lài)性(xìng)可以通過檢(jiǎn)波器(qì)進(jìn)行(háng)記(jì)錄(lù)。介電材(cái)料(liào)的儲能性能通常(cháng)取(qǔ)決於(yú)放(fàng)電速度，可通過改變(biàn)負(fù)載電阻器的電阻(zǔ)來調(tiáo)節(jié)。通(tōng)常測(cè)試係統中裝(zhuāng)了具(jù)有(yǒu)不(bù)同(tóng)電阻的(dí)電阻器(qì)。在測試過(guò)程中(zhōng)，用戶需(xū)要(yào)選擇電阻器或幾個(gè)電阻(zǔ)器的組合(hé)獲(huò)得得(dé)所需(xū)的(dí)電阻，並(bìng)將電阻(zǔ)器(qì)或電阻(zǔ)的組合連接到測試的電介(jiè)質材料(liào)。在該電(diàn)路中，選擇高(gāo)壓MOSFET開(kāi)關以釋(shì)放(fàng)儲存的能(néng)量(liáng)非常重(zhòng)要(yào)。該(gāi)開關限(xiàn)製電路(lù)的最(zuì)大放電(diàn)速度和最大(dà)充(chōng)電電壓(yā)。本(běn)套測試係統(tǒng)由(yóu)放電采(cǎi)集電路，高(gāo)壓(yā)放大器或(huò)高壓直(zhí)流電(diàn)源和(hé)控(kòng)製計(jì)算(suàn)機(jī)構成。在測(cè)試(shì)中(zhōng)，測試(shì)人員需要通過(guò)選(xuǎn)擇合(hé)適的(dí)電(diàn)阻(zǔ)來(lái)確定測量(liáng)的放電速度(dù)，測(cè)試(shì)樣品(pǐn)上的電壓(yā)可以由計算(suàn)機(jī)自(zì)動(dòng)獲得。