華測(cè)儀(yí)器(qì)HCLD-2塑料(liào)漏電起痕(hén)老(lǎo)化試(shì)驗設(shè)備

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HCLD-2塑料(liào)漏電起(qǐ)痕(hén)老化試驗設(shè)備(bèi)由(yóu)華(huá)測儀器生(shēng)產，HCLD-2低壓(yā)漏電起(qǐ)痕(hén)試(shì)驗儀由華測(cè)儀器(qì)生(shēng)產是(shì)根(gēn)據耐漏電起痕試(shì)驗(yàn)（電(diàn)痕化(huà)指數(shù)試驗(yàn)）的標準，規定的模(mó)擬仿(fǎng)真試驗(yàn)項(xiàng)目。用以評價固體絕緣材料表麵在(zài)電場和潮濕或(huò)汙染介(jiè)質聯合(hé)作用(yòng)下的耐(nài)漏(lòu)電(diàn)性(xìng)能，測(cè)定(dìng)其(qí)相比電(diàn)痕化指數 (CTI) 和耐電(diàn)痕化指數(PTI) 。電痕化是(shì)指固體(tǐ)絕緣(yuán)材(cái)料在電(diàn)應(yīng)力和(hé)電(diàn)解雜質的聯(lián)合作用(yòng)下，在(zài)表麵(miàn)（或(huò)內部）產生導電通(tōng)道。

設備軟件(jiàn)

采用高(gāo)度集成化設計(jì)，內置(zhì)智能(néng)測(cè)試軟(ruǎn)件(jiàn)，操作簡單，具備試驗穩定(dìng)性(xìng)，並(bìng)有斷(duàn)電(diàn)資料保存功能，可實(shí)現(xiàn)數(shù)據圖像(xiàng)的保存恢(huī)復(fù)，支(zhī)持多(duō)種(zhǒng)測(cè)試(shì)標準。

產(chǎn)品參(cān)數

試(shì)驗(yàn)電壓(yā)：100V~1000V（可定製）

控製方(fāng)式：12寸觸摸(mō)屏控製係(xì)統

滴液(yè)高度(dù)：30~40mm 連(lián)續可(kě)調(tiáo)

試(shì)驗(yàn)電壓壓降(jiàng)：≤5%

電極(jí)距離(lí)：4.0mm±0.1mm，夾角 60°±5

電(diàn)極(jí)壓力(lì)：1.0±0.05N(可調(tiáo))

滴(dī)液間隔時(shí)間(jiān)：1s~999s

短接電(diàn)流：1A

滴(dī)液大小：（20.0~23.0）mm³連續(xù)可調

試(shì)驗(yàn)終(zhōng)止(zhǐ)：50滴或(huò)100滴或漏電流(liú)≥0.5A並維(wéi)持時間(jiān)≥2s