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簡要(yào)描(miáo)述:儲(chǔ)能電(diàn)介質(zhì)充(chōng)放電測試係(xì)統/功(gōng)能材料(liào),主要(yào)用於(yú)研(yán)究介(jiè)電(diàn)儲能材料高電壓(yā)放(fàng)電性(xìng)能。采用(yòng)特(tè)殊高壓(yā)開關,通(tōng)過單刀雙擲控(kòng)製(zhì)充(chōng)電和放(fàng)電過(guò)程(chéng),開(kāi)關(guān)可以承受10kV高壓,寄(jì)生(shēng)電容小(xiǎo),動作時間短(duǎn)。電介質充放(fàng)電測試係統(tǒng) 可外接高(gāo)壓放大器電介(jiè)質(zhì)充放電測(cè)試(shì)係統(tǒng) 可外(wài)接高(gāo)壓放(fàng)大器(qì)
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| 品牌(pái) | 華(huá)測(cè)儀器 |
|---|
電介質充(chōng)放電測(cè)試(shì)係統(tǒng) Huace-DCS10KV
儲能電介質(zhì)充放電測(cè)試(shì)係(xì)統(tǒng)/功能(néng)材料產品(pǐn)介(jiè)紹:
Huace-DCS10KV電介(jiè)質(zhì)充放電(diàn)測試係(xì)統主(zhǔ)要(yào)用(yòng)於(yú)研究(jiū)介電儲能材(cái)料(liào)高電壓放電(diàn)性能。目前常(cháng)規的(dí)方法(fǎ)是通過電滯(zhì)回(huí)綫計算高壓下(xià)電介(jiè)質的(dí)能量(liáng)密度(dù),測試(shì)時(shí),樣品(pǐn)的電(diàn)荷是(shì)放回(huí)到高壓(yā)源上(shàng),而不是(shì)釋放到(dào)負載上(shàng),通過(guò)電滯(zhì)回(huí)綫測得(dé)的(dí)儲能(néng)密(mì)度一般會(huì)大(dà)於(yú)樣(yàng)品實際釋(shì)放(fàng)的能量密(mì)度(dù),無法(fǎ)正(zhèng)確(què)評估電介質材料的正(zhèng)常(cháng)放電性(xìng)能。華(huá)測(cè)Huace-DCS10KV儲(chǔ)能(néng)電(diàn)介質(zhì)充放電係(xì)統采(cǎi)用(yòng)專(zhuān)門設(shè)計的電容放(fàng)電電路(lù)來測量(liáng),測試電路如下圖所示(shì)。在該電路(lù)中,首先(xiān)將(jiāng)介電膜充(chōng)電到給定電(diàn)壓,之(zhī)後通(tōng)過閉(bì)合高(gāo)速(sù)MOS高壓(yā)開(kāi)關(guān),存儲在(zài)電(diàn)容器(qì)膜中(zhōng)的(dí)能量被放(fàng)電到(dào)電阻(zǔ)器(qì)負(fù)載的原(yuán)理設(shè)計(jì)開發(fā),更符合電介質充放(fàng)電原理。
儲能(néng)電介質(zhì)充(chōng)放(fàng)電測(cè)試(shì)係統/功能材料主要(yào)參數:
1,電(diàn)流探頭帶(dài)寬(kuān):120MHz;
2,峰(fēng)值電流:0-100A,150 A(多種電流(liú)可監測);
3,電(diàn)流(liú)采集精度:1mA;
4,高(gāo)壓源模塊:3KV,5KV, 10kV,15KV多可選(電(diàn)流:0-5mA);
5,開(kāi)關適(shì)用(yòng):100萬次,耐壓15kV;
6,溫控範圍:0-200℃;
7,溫度穩定(dìng)性和精度(dù):0.1℃;
8,測(cè)試樣(yàng)品(pǐn):薄膜,厚(hòu)膜(mó),陶瓷,玻璃等(děng);
9,可以(yǐ)配合各種極(jí)化設備進(jìn)行多種(zhǒng)壓(yā)電(diàn)材(cái)料(liào)和介(jiè)電材料的測試。
產品特點 :
1, 本(běn)係(xì)統(tǒng)采(cǎi)用(yòng)特殊(shū)高(gāo)壓開(kāi)關(guān),通過單刀(dāo)雙(shuāng)擲控製充電(diàn)和放電過程,開關可(kě)以承受10kV高壓(yā),寄生(shēng)電容小(xiǎo),動作(zuò)時(shí)間短;
2, 電壓(yā)10kV,電(diàn)流5mA;
3, 可外接高(gāo)壓(yā)放大器(qì)或高壓直(zhí)流(liú)電源;
4, 通過電流探頭(tóu)檢測放電電(diàn)流(liú),可達100A;
5, 可(kě)以(yǐ)實現欠阻尼(ní)和過阻尼(ní)兩(liǎng)種(zhǒng)測(cè)試模(mó)式(shì),欠阻尼(ní)測(cè)試時,放電(diàn)回路短路(lù),不使用電(diàn)阻(zǔ)負載(zǎi),過(guò)阻尼(ní)測試時(shí),使(shǐ)用較(jiào)大(dà)的高精
度無(wú)感(gǎn)電阻作為放(fàng)電(diàn)負載(zǎi);
6, 可(kě)以作為一(yī)個信(xìn)號源,產生任意(yì)波形(xíng);
7, 通過(guò)示波器采集(jí)數據,並能(néng)直接(jiē)計算(suàn)儲能密(mì)度(dù);
8, 定(dìng)製載樣平台,可適用於陶瓷(cí)和薄膜樣(yàng)品測試;
9, 可(kě)以進行變(biàn)溫測試(shì),RT~200℃;
10, 可以(yǐ)進行疲(pí)勞測試(shì);
11, 還可(kě)用(yòng)於極化材(cái)料之用(yòng)。
儲能電(diàn)介(jiè)電放電行為(wéi)
華測Huace-DCS10KV儲能(néng)電介質充放(fàng)電係(xì)統采(cǎi)用(yòng)專門(mén)設(shè)計(jì)的電(diàn)容(róng)放(fàng)電(diàn)電路(lù)來測(cè)量。在該電路中(zhōng),首(shǒu)先將(jiāng)介(jiè)電膜充電(diàn)到(dào)給(gěi)定(dìng)電壓,之(zhī)後(hòu)通過閉(bì)合(hé)高速(sù)MOS高壓開(kāi)關,存儲在(zài)電容器(qì)膜(mó)中的(dí)能量被(bèi)放(fàng)電(diàn)到電阻(zǔ)器(qì)負載。在放電過(guò)程中電壓(yā)對(duì)樣(yàng)品(pǐn)的(dí)時間(jiān)依(yī)賴性(xìng)可以(yǐ)通(tōng)過檢波(bō)器進行記錄。介(jiè)電材料的(dí)儲能(néng)性(xìng)能通(tōng)常取(qǔ)決(jué)於放(fàng)電速(sù)度,可通過(guò)改(gǎi)變負(fù)載電(diàn)阻(zǔ)器(qì)的電(diàn)阻來(lái)調(tiáo)節(jié)。通常測(cè)試(shì)係(xì)統(tǒng)中(zhōng)裝了具有不(bù)同(tóng)電阻(zǔ)的(dí)電阻(zǔ)器。在測試(shì)過程(chéng)中,用(yòng)戶需要選擇電(diàn)阻器或幾個(gè)電阻(zǔ)器(qì)的組合獲得(dé)得所(suǒ)需(xū)的(dí)電阻,並將(jiāng)電阻器(qì)或(huò)電(diàn)阻的組合連接到(dào)測試的(dí)電介質材(cái)料。在該(gāi)電(diàn)路中,選擇(zé)高壓MOSFET開(kāi)關以釋放(fàng)儲存的能(néng)量(liáng)非(fēi)常重要。該(gāi)開關限製電路(lù)的(dí)最(zuì)大放電速度(dù)和(hé)最大充(chōng)電(diàn)電壓(yā)。本套(tào)測(cè)試(shì)係(xì)統由放電(diàn)采集(jí)電路,高壓放大(dà)器或高壓直流(liú)電源和控製計算機構(gòu)成。在測試中(zhōng),測(cè)試人員(yuán)需(xū)要(yào)通過(guò)選擇合適(shì)的(dí)電(diàn)阻來(lái)確定(dìng)測(cè)量的放(fàng)電(diàn)速度(dù),測試樣(yàng)品(pǐn)上(shàng)的(dí)電壓可(kě)以由(yóu)計算機(jī)自動(dòng)獲得。




儲能電介(jiè)質充(chōng)放(fàng)電測試係(xì)統(tǒng)
儲能(néng)電介質充放(fàng)電測試(shì)係(xì)統(tǒng)
儲能電(diàn)介質充(chōng)放(fàng)電測(cè)試係統
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