華(huá)測(cè)電(diàn)介質(zhì)充放電(diàn)測(cè)試(shì)係(xì)統(tǒng)

Huace-DCS10KV

電(diàn)介(jiè)質充(chōng)放電測試係(xì)統產品(pǐn)介(jiè)紹：

Huace-DCS10KV主(zhǔ)要用於(yú)研究介電(diàn)儲(chǔ)能材(cái)料高(gāo)電(diàn)壓放(fàng)電(diàn)性(xìng)能(néng)。目前常規的方(fāng)法是通(tōng)過電滯(zhì)回綫(xiàn)計(jì)算高壓下(xià)電介(jiè)質(zhì)的能量密(mì)度(dù)，測(cè)試時(shí)，樣(yàng)品的(dí)電荷是放回(huí)到高壓源(yuán)上，而不(bù)是釋放(fàng)到負載(zǎi)上(shàng)，通(tōng)過(guò)電(diàn)滯回綫測(cè)得的(dí)儲能(néng)密度一般(bān)會大(dà)於樣品(pǐn)實際釋(shì)放的(dí)能(néng)量(liáng)密度，無法正確評(píng)估(gū)電(diàn)介質材料(liào)的正(zhèng)常(cháng)放(fàng)電性(xìng)能(néng)。華(huá)測Huace-DCS10KV儲(chǔ)能電(diàn)介質充(chōng)放(fàng)電係(xì)統(tǒng)采用專門(mén)設(shè)計(jì)的電容放(fàng)電電路來測(cè)量，測(cè)試(shì)電(diàn)路(lù)如下圖所示(shì)。在(zài)該(gāi)電路(lù)中，首先將(jiāng)介電膜充電到給定(dìng)電壓(yā)，之(zhī)後通過(guò)閉合(hé)高(gāo)速MOS高壓開關(guān)，存儲(chǔ)在電(diàn)容(róng)器(qì)膜中的(dí)能量被(bèi)放(fàng)電(diàn)到電阻器(qì)負(fù)載的原理設計開發(fā)，更(gēng)符(fú)合(hé)電介質(zhì)充(chōng)放(fàng)電原理。

主(zhǔ)要(yào)參數：

1，電(diàn)流(liú)探頭(tóu)帶(dài)寬：120MHz；

2，峰值(zhí)電流：0-100A，150 A(多種(zhǒng)電流可監測(cè)）；

3，電流(liú)采集精度：1mA；

4，高壓源模塊(kuài)：3KV，5KV， 10kV，15KV多可選（電(diàn)流(liú)：0-5mA）；

5，開(kāi)關適(shì)用(yòng)：100萬(wàn)次，耐壓(yā)15kV；

6，溫控範(fàn)圍：0-200℃；

7，溫(wēn)度穩定性和(hé)精(jīng)度(dù)：0.1℃；

8，測(cè)試樣(yàng)品(pǐn)：薄膜(mó)，厚膜，陶瓷(cí)，玻璃等；

9，可(kě)以(yǐ)配合各(gè)種(zhǒng)極化設備進行多種壓(yā)電(diàn)材料(liào)和介電材(cái)料的(dí)測(cè)試(shì)。

產品(pǐn)優(yōu)勢 ：

1，本係(xì)統采(cǎi)用(yòng)特(tè)殊高(gāo)壓(yā)開關，通過單刀(dāo)雙擲(zhì)控(kòng)製充(chōng)電和(hé)放電(diàn)過程，開關(guān)可以承受10kV高壓(yā)，寄生電(diàn)容小，動作(zuò)時間短；

2，電壓(yā)10kV，電(diàn)流5mA；

3，可外接高壓放大器或高壓直(zhí)流(liú)電源(yuán)；

4，通(tōng)過(guò)電流探頭(tóu)檢測(cè)放電電流，可達(dá)100A；

5，可(kě)以(yǐ)實現欠阻(zǔ)尼和(hé)過(guò)阻尼兩(liǎng)種(zhǒng)測(cè)試模式，欠(qiàn)阻(zǔ)尼測試時(shí)，放電回(huí)路(lù)短路，不使(shǐ)用(yòng)電阻負載(zǎi)，過(guò)阻(zǔ)尼(ní)測(cè)試(shì)時(shí)，使用較大(dà)的高精度無(wú)感電(diàn)阻作(zuò)為(wéi)放電負載；

6，可以(yǐ)作為一個(gè)信號源，產生任意波(bō)形(xíng)；

7，通(tōng)過示(shì)波(bō)器采集數據，並(bìng)能(néng)直接計算儲(chǔ)能密(mì)度；

8，定製載樣(yàng)平(píng)台(tái)，可(kě)適用於(yú)陶瓷和(hé)薄(báo)膜樣品測試(shì)；

9，可(kě)以進(jìn)行(háng)變溫(wēn)測試(shì)，RT~200℃；

10，可以進(jìn)行疲勞(láo)測試；

11，還(huán)可用於極化(huà)材料之用(yòng)。

儲能(néng)電介(jiè)電放電行為:

華(huá)測Huace-DCS10KV儲能電介質(zhì)充(chōng)放電係統(tǒng)采(cǎi)用專門設計的(dí)電(diàn)容(róng)放(fàng)電(diàn)電路(lù)來測(cè)量。在(zài)該(gāi)電路中，首先將介(jiè)電膜充(chōng)電到給定(dìng)電(diàn)壓，之(zhī)後(hòu)通過(guò)閉合高速MOS高壓(yā)開關，存(cún)儲(chǔ)在(zài)電容(róng)器(qì)膜(mó)中的(dí)能量被(bèi)放(fàng)電(diàn)到電阻(zǔ)器(qì)負載(zǎi)。在(zài)放(fàng)電(diàn)過(guò)程中電(diàn)壓對樣(yàng)品的(dí)時間依賴(lài)性可(kě)以(yǐ)通過檢(jiǎn)波器進行記錄。介(jiè)電(diàn)材料(liào)的儲能性(xìng)能通常(cháng)取(qǔ)決於(yú)放(fàng)電(diàn)速度(dù)，可通過改變負載電阻器(qì)的電(diàn)阻來(lái)調(tiáo)節(jié)。通常測(cè)試係(xì)統(tǒng)中裝(zhuāng)了具(jù)有(yǒu)不同電阻的電阻器。在(zài)測試過(guò)程(chéng)中(zhōng)，用(yòng)戶需要選(xuǎn)擇電(diàn)阻(zǔ)器或(huò)幾個(gè)電(diàn)阻器的組合獲得得所(suǒ)需的(dí)電阻，並將(jiāng)電阻器或電(diàn)阻(zǔ)的(dí)組合(hé)連接(jiē)到測試(shì)的電介質材(cái)料(liào)。在該(gāi)電(diàn)路中(zhōng)，選擇(zé)高(gāo)壓MOSFET開(kāi)關(guān)以釋放儲存(cún)的能量非常重(zhòng)要。該(gāi)開(kāi)關(guān)限(xiàn)製電路的(dí)最大(dà)放電速(sù)度(dù)和(hé)最大充(chōng)電(diàn)電壓(yā)。本(běn)套(tào)測試係統由放電采集電路，高壓(yā)放大(dà)器或(huò)高(gāo)壓(yā)直流(liú)電源(yuán)和控製計算機(jī)構成。在測(cè)試(shì)中(zhōng)，測(cè)試(shì)人(rén)員(yuán)需要(yào)通過選(xuǎn)擇合適的(dí)電阻(zǔ)來確(què)定測量(liáng)的放電(diàn)速(sù)度，測(cè)試(shì)樣品(pǐn)上的電(diàn)壓(yā)可以由計算機(jī)自(zì)動獲得。