環氧(yǎng)塑封(fēng)料(liào)TSDC測試係統(tǒng)

功(gōng)率器(qì)件有機(jī)材料環(huán)氧樹脂(zhī)TSDC測試係統產(chǎn)品(pǐn)介(jiè)紹(shào)：

 研(yán)究(jiū)前景：

環氧塑(sù)封(fēng)料(liào)（EMC， Epoxy Molding Compound）是(shì)用(yòng)於半(bàn)導體封(fēng)裝的一種(zhǒng)熱(rè)固性(xìng)化學(xué)材(cái)料(liào)，是由(yóu)環氧樹(shù)脂為基體(tǐ) 樹(shù)脂(zhī)，以(yǐ)高性能(néng)酚(fēn)醛(quán)樹(shù)脂為固化劑，加(jiā)入矽微(wēi)粉等為(wéi)填料(liào)，以及(jí)添(tiān)加多種助劑混配而成(chéng)的(dí)粉狀模塑(sù)料，為後道封(fēng)裝的主要(yào)原材料之(zhī)一(yī)，目(mù)前95%以(yǐ)上的微電子器件(jiàn)都是(shì)環氧塑(sù)封器(qì)件(jiàn)
。環(huán)氧塑封(fēng)料(liào)具(jù)有(yǒu)保護(hù)芯(xīn)片不受(shòu)外界(jiè)環(huán)境(jìng)的影(yǐng)響，抵抗(kàng)外部溶(róng)劑(jì)
，濕氣
，衝(chōng)擊，保證(zhèng)芯片(piàn)與(yǔ)外界環(huán)境電(diàn)絕緣等功能
。環(huán)氧塑封(fēng)料對高(gāo)功(gōng)率(shuài)半導體器(qì)件的高(gāo)溫反向(xiàng)偏(piān)壓（HTRB）性能(néng)有(yǒu)重(zhòng)要(yào)控製(zhì)作用(yòng)
。

 產品概述(shù)：

熱刺(cì)激去(qù)極(jí)化(huà)電(diàn)流（TSDC）技(jì)術用(yòng)於預(yù)測(cè)EMC的HTRB性(xìng)能
。TSDC方法包(bāo)括(kuò)極化過(guò)程，在(zài)該過(guò)程(chéng)中，電介質樣品暴(bào)露在高電(diàn)場(cháng)強(qiáng)度和高(gāo)溫(wēn)環境下
。在(zài)這種(zhǒng)情況(kuàng)下，電荷被分離並(bìng)在介電材料電(diàn)子(zǐ)元件(jiàn)中移動(dòng)
。盡(jìn)管單個TSDC信號和HTRB性(xìng)能(néng)之(zhī)間(jiān)的相(xiāng)關性表明，極化峰值越

高，TSDC曲綫(xiàn)越(yuè)大，而(ér)HTRB性(xìng)能越差，但這並不(bù)能(néng)wanquan解釋(shì)EMC在發出(chū)強放電信號時(shí)的某(mǒu)些故障(zhàng)
。因此，弛豫時(shí)間(jiān)是解(jiě)釋外層(céng)HTRB失(shī)效樣(yàng)本的(dí)另(lìng)一(yī)個關(guān)鍵(jiàn)參(cān)數(shù)
。

關於環氧塑(sù)封料（EMC， Epoxy Molding Compound）TSDC測試技術(shù)，為(wéi)華測公(gōng)司(sī)在國內(nèi)最早(zǎo)提及(jí)目(mù)前已被廣泛應用到更(gēng)多(duō)的半導體(tǐ)封(fēng)裝材料(liào)及半導(dǎo)體生產研發企(qǐ)業(yè)
。已證明此測試(shì)方(fāng)式是(shì)有效的(dí)，同(tóng)時加速國(guó)產化IGBT
，MOSFET等(děng)功率器件的研發
。如(rú)無(wú)錫(xī)凱(kǎi)華(huá)
，中科(kē)科(kē)化
，飛(fēi)凱材(cái)料等(děng)企業
。

 應(yīng)用場(cháng)景：

材(cái)料研(yán)發與性能(néng)評估：介(jiè)電(diàn)材料研究
，絕(jué)緣材料(liào)評估
，半導體(tǐ)材(cái)料(liào)分(fēn)析；電子元(yuán)器件(jiàn)與封(fēng)裝(zhuāng)技術(shù)：元器件可(kě)靠(kào)性測試(shì)
，封(fēng)裝(zhuāng)材(cái)料選(xuǎn)擇
，封(fēng)裝工藝優化(huà)；電力與能源(yuán)領域：電(diàn)力設備絕緣(yuán)監(jiān)測(cè)
，儲能材料研(yán)究(jiū)；其他領(lǐng)域(yù)：生(shēng)物分(fēn)子材(cái)料研(yán)究
，環(huán)境監(jiān)測(cè)與(yǔ)保護(hù)；半導(dǎo)體封裝(zhuāng)材料(liào)高壓TSDC熱刺激(jī)測(cè)試係統(tǒng)在材(cái)料研發
，電子元(yuán)器(qì)件(jiàn)與封裝技術
，電(diàn)力(lì)與能(néng)源(yuán)領域(yù)以及其他多個領域都(dū)具(jù)有(yǒu)廣(guǎng)泛的(dí)應用前景(jǐng)
。隨(suí)著(zhuó)技術(shù)的不(bù)斷(duàn)發展(zhǎn)，TSDC測試(shì)係統將(jiāng)在更多領(lǐng)域(yù)發(fā)揮重要作用
。

產(chǎn)品原(yuán)理：

TSDC是一(yī)種(zhǒng)研究(jiū)電(diàn)荷存儲特性(xìng)的實(shí)驗技(jì)術，用(yòng)於(yú)確定(dìng)初(chū)始電(diàn)荷(hé)和捕獲(huò)電荷(hé)的(dí)活化能(néng)以及(jí)弛(chí)豫，該方法包括一(yī)個(gè)極(jí)化過程，其中介(jiè)電樣(yàng)品(pǐn)在高(gāo)溫下(xià)暴(bào)露(lòu)於高電(diàn)場強度(dù)下(xià)
。在此(cǐ)之後(hòu)，試樣在外加電(diàn)場(cháng)的作(zuò)用下迅速(sù)進行(háng)冷卻(què)
。以這種方式，電荷(hé)被分(fēn)離(lí)並固(gù)定在(zài)介(jiè)電材料駐極(jí)體內(nèi)
。然後(hòu)進(jìn)行(háng)升(shēng)溫(wēn)將(jiāng)駐極體內(nèi)的電(diàn)荷進行(háng)釋放(fàng)，同時(shí)配(pèi)合(hé)測量儀器進行測(cè)量，並為科研人員(yuán)進行(háng)分(fēn)析(xī)
。通(tōng)過TSDC測試(shì)方法研(yán)究了(liǎo)EMC對功率半導體(tǐ)HTRB可靠(kào)性(xìng)的(dí)影響(xiǎng)，了解到EMC在高溫(wēn)
，高壓(yā)條件下(xià)會(huì)發(fā)生電極化或(huò)電取(qǔ)向(xiàng)
。此外(wài)，依賴於在(zài)相應的冷卻環(huán)境(jìng)中維持(chí)其極化(huà)狀態(tài)，它會幹(gān)擾MOS-FET半導(dǎo)體中反轉層(céng)的(dí)正常形(xíng)成(chéng)
。通過TSDC試驗(yàn)，我(wǒ)們還(huán)了解了在(zài)可靠性測試中由(yóu)於應(yīng)用(yòng)條(tiáo)件(jiàn)而導(dǎo)致(zhì)的材(cái)料內部極化(huà)電荷(hé)的數(shù)量(liáng)也(yě)是(shì)一(yī)個(gè)重要(yào)的影(yǐng)響(xiǎng)因(yīn)素(sù)
。

1
，消(xiāo)除(chú)電網諧(xié)波對采集精(jīng)度的影(yǐng)響(xiǎng)

在(zài)超高(gāo)阻
，弱信號測量過(guò)程(chéng)中(zhōng)
，輸(shū)入偏置電(diàn)流和泄(xiè)漏電(diàn)流都(dū)會引(yǐn)起(qǐ)測量(liáng)誤差(chà)
。同時(shí)電網(wǎng)中(zhōng)大量使用變頻器(qì)等高(gāo)頻
，高功(gōng)率(shuài)設備，將對電(diàn)網(wǎng)造成(chéng)諧波幹(gān)擾
。以(yǐ)致影(yǐng)響(xiǎng)弱信(xìn)號的采集，華(huá)測儀器(qì)公司(sī)推(tuī)出的(dí)抗幹擾(rǎo)模塊(kuài)以及(jí)用新測試分析技(jì)術,實現(xiàn)了高達(dá)1fA(10-15 A)的(dí)測(cè)量分辨(biàn)率(shuài),從而滿足了很(hěn)多半導體(tǐ),功能(néng)材(cái)料和納米器件(jiàn)的測(cè)試(shì)需求
。

2
，消除不規(guī)則輸入(rù)的自動(dòng)平(píng)均值功能,更強數(shù)據處理(lǐ)及內(nèi)部屏蔽

自(zì)動平均值是(shì)檢測電流的變化(huà)，並(bìng)自(zì)動將(jiāng)其(qí)進行(háng)平均(jūn)化的功(gōng)能(néng)， 在查(chá)看測量結(jié)果的同時不需要改(gǎi)變設置
。通過自動(dòng)排(pái)除(chú)充電電流的過(guò)渡(dù)響(xiǎng)應(yīng)時(shí)或(huò)接觸(chù)不穩定導(dǎo)致偏差較大(dà)
。電(diàn)流輸入(rù)端口全新采用(yòng)大(dà)口(kǒu)徑三軸連(lián)接器(qì)，是(shì)將內(nèi)部(bù)屏蔽連接(jiē)至(zhì)GUARD(COM)綫(xiàn)，外部屏蔽連接(jiē)至(zhì)GROUND的(dí)3層同(tóng)軸設計
。兼(jiān)顧抗幹擾的(dí)穩(wěn)定性和(hé)高壓(yā)檢(jiǎn)查(chá)時(shí)的(dí)安(ān)全性(xìng)
。

3
，更*的操(cāo)作軟件(jiàn)

測(cè)試(shì)係(xì)統(tǒng)的(dí)軟件平(píng)台 Huacepro ，基於labview係統開發(fā)，符(fú)合(hé)功(gōng)能(néng)材料(liào)的(dí)各(gè)項測試(shì)需求，具(jù)備*的(dí)穩(wěn)定性(xìng)與操(cāo)作安(ān)全性，並(bìng)具備(bèi)斷電(diàn)資料(liào)的保存(cún)功(gōng)能，圖像(xiàng)資(zī)料(liào)也可(kě)保存恢復(fù)
。支持新的國際(jì)標準，兼(jiān)容XP
，win7
，win10係(xì)統
。

4
，更(gēng)*的(dí)硬件配置

5
，可擴(kuò)展的測量模(mó)式(shì)

產(chǎn)品曲(qū)綫：

產(chǎn)品參數(shù)：

設備型號：HC-TSC

溫(wēn)度(dù)範(fàn)圍：-185 ~ 600°C

控(kòng)溫(wēn)精(jīng)度：±0.25°C

升(shēng)溫(wēn)斜(xié)率：10°C/min（可設(shè)定）

測(cè)試頻(pín)率：最(zuì)大電壓(yā)：±10kV

加熱方式：直流(liú)電極加(jiā)熱(rè)

冷(lěng)卻(què)方式：水冷(lěng)

樣品(pǐn)尺寸(cùn)：φ＜25mm，d＜4mm

電(diàn)極材料(liào)：黃(huáng)銅(tóng)或(huò)銀;

夾(jiā)具(jù)輔助材料(liào) ：99氧化鋁(lǚ)陶(táo)瓷

低(dī)溫(wēn)製(zhì)冷：液(yè)氮

測(cè)試(shì)功(gōng)能 ：TSDC

數(shù)據傳輸：RS-232  

設備(bèi)尺寸 ：180 x 210 x 50mm

環氧(yǎng)塑封料TSDC測(cè)試係(xì)統

環氧塑封料TSDC測(cè)試(shì)係統(tǒng)