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半導體封裝材(cái)料測試(shì)係(xì)統(tǒng)

電場介(jiè)電損耗，漏(lòu)電流測試係統 TSDC測試係(xì)統高(gāo)低(dī)溫(wēn)絕(jué)緣電(diàn)阻(zǔ)測試(shì)係(xì)統真(zhēn)空探針(zhēn)台(tái)

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電氣絕緣材(cái)料(liào)高(gāo)電(diàn)場(cháng)介電，損耗測試(shì)係統

更(gēng)新(xīn)時間(jiān)：2025-08-18

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電氣(qì)絕緣(yuán)材料高(gāo)電(diàn)場介電(diàn)，損耗測(cè)試(shì)係統可實(shí)現從低頻(pín)到高頻(pín)信(xìn)號(hào)的(dí)輸出(chū)與測量(liáng)，係統由(yóu)工(gōng)控機發(fā)出指令，單(dān)片(piàn)機(jī)控製FPGA發(fā)出(chū)測量(liáng)波(bō)形，FPGA一(yī)路信(xìn)號控製(zhì)不(bù)同頻率幅值(zhí)的(dí)信號(hào)由(yóu)高壓放大器(qì)進行(háng)電壓(yā)放(fàng)大後，施加(jiā)在(zài)樣品上，另(lìng)一(yī)路施加在(zài)鎖相放(fàng)大器作為參(cān)考(kǎo)信號(hào)，不同(tóng)頻率(shuài)幅(fú)值的高壓(yā)信號加(jiā)載樣(yàng)樣(yàng)品(pǐn)上，樣品(pǐn)測(cè)量(liáng)的(dí)信(xìn)號測(cè)量(liáng)後(hòu)，再回傳FPGA測(cè)試板卡。測量的數據(jù)再由(yóu)單片(piàn)機(jī)回(huí)傳工控機進行數據處(chǔ)理。
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MLCC高壓(yā)電容器高電場(cháng)介電(diàn)損(sǔn)耗電(diàn)滯回綫係統(tǒng)

更新時(shí)間：2025-08-18

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MLCC高壓(yā)電(diàn)容器高電場介(jiè)電損耗(hào)電滯(zhì)回綫(xiàn)係統可實現(xiàn)從低頻到高(gāo)頻(pín)信號的(dí)輸(shū)出與(yǔ)測(cè)量(liáng)，係統(tǒng)由工(gōng)控(kòng)機發出指(zhǐ)令，單片機控製(zhì)FPGA發出測量(liáng)波(bō)形(xíng)，FPGA一(yī)路(lù)信(xìn)號(hào)控(kòng)製(zhì)不同頻率(shuài)幅值(zhí)的信號由高(gāo)壓放(fàng)大(dà)器進(jìn)行電壓放(fàng)大後，施加(jiā)在樣品上，另一路施加在(zài)鎖(suǒ)相(xiāng)放大器作為參(cān)考(kǎo)信(xìn)號(hào)，不(bù)同(tóng)頻率幅值的高壓信號加(jiā)載樣樣(yàng)品上(shàng)，樣品測量(liáng)的信號測(cè)量後(hòu)，再回傳(chuán)FPGA測(cè)試板卡(qiǎ)。測量的(dí)數據再(zài)由單片(piàn)機回傳(chuán)工控機進行數據(jù)處理。
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高(gāo)電場(cháng)介電，損耗，漏(lòu)電流測試係統

更新時間：2025-09-15

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高(gāo)電(diàn)場介電，損(sǔn)耗，漏(lòu)電流測(cè)試係統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)從(cóng)低(dī)頻(pín)到(dào)高頻信號(hào)的輸出與測量，係(xì)統(tǒng)由工控機(jī)發出指(zhǐ)令，單片機控(kòng)製(zhì)FPGA發出(chū)測量波(bō)形(xíng)，FPGA一路(lù)信(xìn)號控製(zhì)不同頻率(shuài)幅(fú)值(zhí)的信(xìn)號由(yóu)高壓(yā)放大器進行(háng)電壓放大(dà)後，施加在樣(yàng)品上(shàng)，另(lìng)一(yī)路(lù)施加(jiā)在(zài)鎖相(xiāng)放(fàng)大器(qì)作(zuò)為參考信(xìn)號，不同頻(pín)率幅(fú)值的(dí)高壓(yā)信號(hào)加載(zǎi)樣(yàng)樣品上(shàng)，樣(yàng)品測量(liáng)的(dí)信(xìn)號測量後，再(zài)回傳(chuán)FPGA測試(shì)板卡(qiǎ)。測(cè)量的數據再由單片機回(huí)傳(chuán)工控(kòng)機進(jìn)行數(shù)據處(chǔ)理(lǐ)。
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