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半導(dǎo)體封(fēng)裝材(cái)料測試(shì)係統

電場介(jiè)電損耗，漏電流測(cè)試(shì)係統 TSDC測(cè)試係(xì)統(tǒng) 高(gāo)低(dī)溫絕緣(yuán)電(diàn)阻(zǔ)測(cè)試(shì)係統真空探針台(tái)

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半導(dǎo)體封(fēng)裝材料(liào)高低(dī)溫絕緣電阻測(cè)試係統

更(gēng)新時間(jiān)：2025-08-01

型號：

瀏覽(lǎn)量(liáng)：5411

半(bàn)導體封裝材料高(gāo)低溫絕(jué)緣電阻(zǔ)測(cè)試(shì)係統華測儀(yí)器通(tōng)過多年研究開(kāi)發了一種(zhǒng)可實現高(gāo)的(dí)精(jīng)度(dù)溫控(kòng)，高屏蔽幹(gān)擾信(xìn)號的(dí)循(xún)環熱風加熱(rè)方式，在(zài)高速(sù)加(jiā)熱及(jí)高速冷卻時，具有均匀的溫(wēn)度分布(bù)。可(kě)實現寬域均(jūn)熱區，高速加(jiā)熱，高速(sù)冷卻，加熱箱(xiāng)體(tǐ)整體密(mì)封(fēng)，無氣(qì)氛(fēn)汙染(rǎn)。
了(liǎo)解(jiě)詳情(qíng)
HC-TSDC環氧(yǎng)塑(sù)封料TSDC測試(shì)係統

更(gēng)新時間：2025-09-17

型(xíng)號(hào)：HC-TSDC

瀏覽(lǎn)量(liáng)：4772

環氧塑封(fēng)料(liào)TSDC測試(shì)係統(tǒng)，熱刺激(jī)去極(jí)化(huà)電流（TSDC）技術(shù)用(yòng)於預(yù)測(cè)EMC的HTRB性(xìng)能(néng)。TSDC方法包(bāo)括極(jí)化過程，在該(gāi)過程(chéng)中(zhōng)，電介質樣(yàng)品(pǐn)暴露在高(gāo)電場強度(dù)和(hé)高溫環(huán)境(jìng)下。在(zài)這種情(qíng)況下(xià)，電荷(hé)被分(fēn)離並在介電(diàn)材(cái)料(liào)電(diàn)子(zǐ)元件中移動(dòng)。
了解(jiě)詳情
HC-TSC半導(dǎo)體(tǐ)封裝材料高壓(yā)TSDC測試(shì)係統(tǒng)

更(gēng)新(xīn)時(shí)間(jiān)：2025-09-17

型(xíng)號：HC-TSC

瀏覽量(liáng)：2174

半導(dǎo)體封裝(zhuāng)材(cái)料(liào)高(gāo)壓TSDC測試(shì)係統(tǒng)熱刺激去(qù)極化電流（TSDC）技術用(yòng)於預測(cè)EMC的HTRB性(xìng)能。TSDC方法(fǎ)包括極(jí)化過程，在該過程中，電(diàn)介(jiè)質樣(yàng)品暴露(lòu)在高電場強度和高溫環境(jìng)下。在(zài)這種情(qíng)況下(xià)，電荷被分離並在(zài)介電材(cái)料(liào)電子(zǐ)元(yuán)件中(zhōng)移動(dòng)。
了(liǎo)解詳(xiáng)情
SIR-450半(bàn)導體(tǐ)寬(kuān)溫絕(jué)緣電(diàn)阻測試係(xì)統

更(gēng)新時(shí)間(jiān)：2026-06-09

型(xíng)號：SIR-450

瀏(liú)覽(lǎn)量：167

華(huá)測(cè)儀器SIR-450半(bàn)導體(tǐ)寬溫絕(jué)緣電阻測試係(xì)統采用(yòng)Huacepro智能(néng)軟(ruǎn)件，符合(hé)功能材料的各項測試需求(qiú)，具備穩(wěn)定性(xìng)與(yǔ)操作防護(hù)性(xìng)，並(bìng)具(jù)備(bèi)斷(duàn)電(diàn)資(zī)料(liào)的保(bǎo)存功(gōng)能，圖(tú)像(xiàng)資料也可保存恢復(fù)。
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SIR-450半導體(tǐ)材(cái)料高(gāo)低溫絕緣(yuán)電阻率測試(shì)係(xì)統

更(gēng)新時(shí)間：2026-06-09

型號(hào)：SIR-450

瀏(liú)覽量：171

華測儀器SIR-450半導體材料高低(dī)溫(wēn)絕(jué)緣電阻率測試(shì)係統環氧(yǎng)塑封料（EMC）對(duì)高(gāo)功率半(bàn)導體(tǐ)器件的(dí)高(gāo)溫反向(xiàng)偏(piān)壓（HTRB）性(xìng)能有(yǒu)重(zhòng)要(yào)控製(zhì)作用，設備主(zhǔ)要(yào)用於(yú)預測EMC的HTRB性(xìng)能(néng)。
了(liǎo)解詳情(qíng)
SIR-450寬溫(wēn)半導體絕緣(yuán)性能(néng)測(cè)試設備

更新(xīn)時間(jiān)：2026-06-09

型號(hào)：SIR-450

瀏(liú)覽(lǎn)量：170

華測(cè)儀器SIR-450寬溫(wēn)半(bàn)導體(tǐ)絕緣(yuán)性(xìng)能(néng)測試(shì)設備(bèi)用於預測EMC的HTRB性(xìng)能，環氧塑(sù)封料對高(gāo)功(gōng)率半(bàn)導(dǎo)體器件(jiàn)的高溫(wēn)反(fǎn)向偏壓(yā)（HTRB）性能(néng)有重(zhòng)要控製(zhì)作用(yòng)。
了解詳情(qíng)
Huace-TSDC熱激勵去極化電流(liú)測(cè)試係統(tǒng)

更新(xīn)時(shí)間(jiān)：2026-05-07

型號：Huace-TSDC

瀏覽量(liáng)：531

華測(cè)儀(yí)器Huace-TSDC熱激勵去極(jí)化(huà)電流測(cè)試係統(tǒng)，TSDC是一種研究(jiū)電(diàn)荷存(cún)儲特性(xìng)的(dí)試(shì)驗(yàn)技(jì)術，用於確(què)定(dìng)初始(shǐ)電(diàn)荷和(hé)捕(bǔ)獲(huò)電荷(hé)的(dí)活化能以及(jí)弛豫。
了解(jiě)詳情(qíng)
SIR-450半(bàn)導(dǎo)體材料寬溫域(yù)絕緣(yuán)電(diàn)阻(zǔ)測試(shì)係統

更(gēng)新(xīn)時間：2026-04-15

型號(hào)：SIR-450

瀏覽量：445

華測儀(yí)器SIR-450半(bàn)導體(tǐ)材料寬溫(wēn)域(yù)絕緣電(diàn)阻測(cè)試係統在電子產品中(zhōng)，電(diàn)容器，電阻器(qì)，半導體器件(jiàn)等需要在不(bù)同溫度下(xià)進行試驗，以評估其性能和(hé)可靠(kào)性。
了解詳情(qíng)

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