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半(bàn)導(dǎo)體封(fēng)裝材料(liào)測試係統

電場介電損耗(hào)，漏電流測(cè)試(shì)係統 TSDC測試(shì)係統(tǒng) 高低(dī)溫(wēn)絕(jué)緣(yuán)電阻(zǔ)測試(shì)係統真空探針台(tái)

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SIR-450寬溫域(yù)絕緣電阻(zǔ)測(cè)試係統

更新時間：2026-04-01

型(xíng)號：SIR-450

瀏覽(lǎn)量：611

華測儀器SIR-450寬溫(wēn)域(yù)絕(jué)緣電(diàn)阻(zǔ)測試(shì)係統在(zài)電子產品(pǐn)中，電容器(qì)，電(diàn)阻器，半導(dǎo)體(tǐ)器(qì)件(jiàn)等(děng)需要在不同溫度(dù)下(xià)進(jìn)行(háng)試驗(yàn)，以評(píng)估其性能和可靠性。
了(liǎo)解詳情
SIR-450高低溫絕緣電阻測量(liáng)係統(tǒng)

更新(xīn)時間：2026-03-24

型號：SIR-450

瀏覽量：507

華測儀(yí)器SIR-450高(gāo)低溫絕(jué)緣電阻(zǔ)測量(liáng)係(xì)統搭(dā)載軟(ruǎn)件平台Huace pro ，符合功能材料的各(gè)項測試需(xū)求，具(jù)備*的穩(wěn)定性與操作(zuò)防(fáng)護(hù)性，並具備斷電資料的(dí)保存(cún)功(gōng)能(néng)，圖像資料也可(kě)保(bǎo)存(cún)恢復(fù)。
了(liǎo)解詳情(qíng)
Huace-TSDC熱刺激去極(jí)化(huà)電流（TSDC）測試(shì)係(xì)統

更(gēng)新(xīn)時間：2026-03-10

型(xíng)號(hào)：Huace-TSDC

瀏(liú)覽(lǎn)量：914

華(huá)測儀(yí)器(qì)熱刺(cì)激(jī)去極化電流(liú)（TSDC）測(cè)試(shì)係統(tǒng)采用(yòng)了直(zhí)流加熱方(fāng)式進行加(jiā)熱，加(jiā)入(rù)濾(lǜ)波等(děng)方(fāng)式以更(gēng)好的減少測(cè)量(liáng)過程(chéng)中的(dí)影響因素(sù)，提(tí)高了測量的精(jīng)度。
了解(jiě)詳(xiáng)情
Huace-TSDC熱刺(cì)激去極(jí)化(huà)電(diàn)流測試(shì)儀 TSDC係統

更(gēng)新(xīn)時(shí)間：2026-01-05

型(xíng)號：Huace-TSDC

瀏覽量：866

熱(rè)刺(cì)激去極化(huà)電(diàn)流測(cè)試(shì)儀 TSDC係統可(kě)用(yòng)於檢(jiǎn)測材料(liào)在長(cháng)期運行(háng)中(zhōng)積累(léi)的空間(jiān)電荷(hé)，評(píng)估其(qí)絕緣劣化(huà)程度；在(zài)新型儲(chǔ)能材料(liào)開發中，可揭示(shì)離(lí)子遷移與界麵極化(huà)行(háng)為；在高分(fēn)子(zǐ)物理研(yán)究(jiū)中，有助(zhù)於識別(bié)α，β，γ等(děng)多(duō)重(zhòng)弛豫(yù)過程(chéng)。
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電氣絕緣材料(liào)高(gāo)電(diàn)場(cháng)介(jiè)電，損耗測(cè)試(shì)係統(tǒng)

更(gēng)新(xīn)時間：2025-08-18

型號(hào)：

瀏覽(lǎn)量：1662

電氣絕(jué)緣材料高電(diàn)場介(jiè)電，損耗測試係(xì)統可(kě)實現從低(dī)頻到(dào)高(gāo)頻信(xìn)號(hào)的輸(shū)出與測(cè)量，係(xì)統由(yóu)工控(kòng)機(jī)發(fā)出(chū)指令，單片(piàn)機(jī)控(kòng)製FPGA發(fā)出測(cè)量(liáng)波形(xíng)，FPGA一路(lù)信(xìn)號(hào)控製不同(tóng)頻(pín)率(shuài)幅值(zhí)的(dí)信號由(yóu)高壓放大器(qì)進行電壓放大(dà)後，施加在樣品上，另(lìng)一路(lù)施加(jiā)在鎖相(xiāng)放大器(qì)作為參考(kǎo)信號，不同(tóng)頻(pín)率幅值的(dí)高壓信(xìn)號(hào)加載(zǎi)樣樣(yàng)品(pǐn)上(shàng)，樣品測(cè)量(liáng)的(dí)信號(hào)測量(liáng)後，再回(huí)傳(chuán)FPGA測試(shì)板(bǎn)卡(qiǎ)。測量的數據再(zài)由單(dān)片機回傳(chuán)工(gōng)控機進(jìn)行(háng)數據處(chǔ)理(lǐ)。
了(liǎo)解(jiě)詳情
MLCC高壓(yā)電(diàn)容器高(gāo)電(diàn)場介(jiè)電(diàn)損耗電滯(zhì)回綫係(xì)統(tǒng)

更新(xīn)時(shí)間(jiān)：2025-08-18

型(xíng)號(hào)：

瀏覽量(liáng)：1732

MLCC高(gāo)壓電容器(qì)高(gāo)電場介電(diàn)損(sǔn)耗電滯回綫(xiàn)係(xì)統可(kě)實現從低頻到(dào)高頻信號的(dí)輸(shū)出與(yǔ)測量(liáng)，係(xì)統由(yóu)工控(kòng)機發(fā)出指令，單片(piàn)機(jī)控製(zhì)FPGA發出測量波形，FPGA一路信號(hào)控製不(bù)同頻(pín)率(shuài)幅值(zhí)的信(xìn)號(hào)由高壓(yā)放(fàng)大(dà)器進行(háng)電壓(yā)放大(dà)後，施加在樣品(pǐn)上，另一(yī)路施加在(zài)鎖(suǒ)相(xiāng)放(fàng)大(dà)器作(zuò)為參考(kǎo)信(xìn)號(hào)，不同頻(pín)率幅值(zhí)的(dí)高壓信號(hào)加載樣樣(yàng)品(pǐn)上(shàng)，樣品(pǐn)測量(liáng)的信號(hào)測量後，再回(huí)傳(chuán)FPGA測試(shì)板(bǎn)卡。測量的數(shù)據再由(yóu)單(dān)片(piàn)機回傳(chuán)工控機(jī)進(jìn)行數據(jù)處理(lǐ)。
了(liǎo)解詳情(qíng)
高(gāo)電(diàn)場介(jiè)電(diàn)，損耗(hào)，漏(lòu)電流測(cè)試係(xì)統

更新時間(jiān)：2025-09-15

型(xíng)號(hào)：

瀏覽量：2189

高電場介(jiè)電(diàn)，損(sǔn)耗(hào)，漏電流測試係(xì)統可實現(xiàn)從低(dī)頻到高(gāo)頻信(xìn)號(hào)的輸(shū)出與測(cè)量(liáng)，係(xì)統(tǒng)由工(gōng)控機(jī)發出指令，單片機控(kòng)製FPGA發出測量(liáng)波形，FPGA一(yī)路(lù)信號(hào)控製(zhì)不同頻率(shuài)幅值的信(xìn)號由(yóu)高壓放大器(qì)進行電(diàn)壓(yā)放(fàng)大後(hòu)，施加在(zài)樣品(pǐn)上，另(lìng)一(yī)路施加在(zài)鎖相(xiāng)放大器(qì)作為參(cān)考信號，不同頻(pín)率(shuài)幅值(zhí)的高壓(yā)信號加(jiā)載(zǎi)樣(yàng)樣品(pǐn)上(shàng)，樣(yàng)品(pǐn)測(cè)量的信(xìn)號測(cè)量後，再(zài)回(huí)傳FPGA測試(shì)板(bǎn)卡(qiǎ)。測量的數據再由單片機(jī)回傳工控機進(jìn)行數據處(chǔ)理。
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SIR-450半導(dǎo)體(tǐ)封裝(zhuāng)材料高(gāo)低溫絕(jué)緣電阻(zǔ)測試(shì)係(xì)統

更新時(shí)間(jiān)：2025-09-15

型號：SIR-450

瀏覽(lǎn)量：2749

半(bàn)導體(tǐ)封(fēng)裝材(cái)料(liào) 高低溫絕緣(yuán)電阻測(cè)試係統(tǒng)高(gāo)低(dī)溫環境下的(dí)絕(jué)緣(yuán)電(diàn)阻測(cè)試技術(shù)用(yòng)於預(yù)測EMC的HTRB性能(néng)。電介質(zhì)樣品暴露在高電場強度和高溫(wēn)環境(jìng)下。在這種(zhǒng)情況(kuàng)下，高分子(zǐ)聚合物(wù)材(cái)料在高溫(wēn)環(huán)境下具有負阻(zǔ)性(xìng)的特(tè)征(zhēng)，電(diàn)阻(zǔ)（率）隨(suí)著(zhuó)溫(wēn)度的上(shàng)升而(ér)下降，HTRB性能之間的(dí)相關性表(biǎo)明，隨著(zhuó)溫(wēn)度(dù)的上升電阻率越下(xià)降嚴重，而HTRB性能(néng)越差(chà)，因此，材料的電阻率(shuài)是HTRB失(shī)效測(cè)量的(dí)一個關鍵測量手段(duàn)。
了(liǎo)解詳(xiáng)情

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