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半導(dǎo)體(tǐ)封裝材料高(gāo)低溫(wēn)絕緣電阻測(cè)試(shì)係(xì)統(tǒng)

簡要描(miáo)述(shù):半導體封(fēng)裝材(cái)料高低溫絕緣電(diàn)阻測試(shì)係統華測儀器通(tōng)過(guò)多年(nián)研究(jiū)開發(fā)了一(yī)種可實現(xiàn)高的(dí)精(jīng)度溫控(kòng),高(gāo)屏蔽(bì)幹擾信(xìn)號的循(xún)環(huán)熱風加(jiā)熱方式(shì),在高(gāo)速(sù)加熱及高(gāo)速(sù)冷卻時,具有均(jūn)匀的(dí)溫度分布(bù)。 可實現寬(kuān)域均(jūn)熱(rè)區,高速加熱,高速冷卻 ,加(jiā)熱箱體(tǐ)整(zhěng)體(tǐ)密封(fēng),無氣氛(fēn)汙(wū)染(rǎn)。

  • 產品型號(hào):
  • 廠商(shāng)性質:生(shēng)產廠(chǎng)家(jiā)
  • 更新時間(jiān):2025-08-01
  • 訪(fǎng)  問  量:5411

詳細介紹(shào)

品牌(pái)華測儀器應用領域(yù)化(huà)工,能(néng)源,電(diàn)子/電(diàn)池,汽車(chē)及(jí)零部件,綜(zōng)合
設備型號SIR-450溫度範(fàn)圍-185 ~ 350 °C
控溫(wēn)精度(dù)0.5 °C升溫(wēn)斜(xié)率(shuài)10°C/min(可(kě)設定)
電(diàn)阻1×10^16Ω電阻率(shuài)1×10^3 Ω ~ 1×10^16Ω
輸(shū)入(rù)電(diàn)壓220V樣品尺寸φ<25mm,d<4mm
電極材料黃銅(tóng)或(huò)銀;夾具(jù)輔助材(cái)料(liào)99氧(yǎng)化(huà)鋁(lǚ)陶瓷(cí)
絕(jué)緣材料99氧化鋁陶瓷測試功能(néng)高低(dī)溫電阻率
數據(jù)傳(chuán)輸(shū)RS-232設(shè)備尺(chǐ)寸180 x 210 x 50mm


半導體(tǐ)封裝材料(liào)高低(dī)溫(wēn)絕緣電阻測(cè)試(shì)係統


半導體封裝材料(liào)高(gāo)低溫(wēn)絕(jué)緣電阻測(cè)試(shì)係統

半導體(tǐ)封(fēng)裝材料高(gāo)低溫絕緣電阻測(cè)試係統(tǒng)產品(pǐn)介紹(shào):

高低溫環(huán)境(jìng)下的絕(jué)緣(yuán)電阻(zǔ)測(cè)試技術用於(yú)預測EMC的HTRB性(xìng)能(néng)。電(diàn)介質(zhì)樣(yàng)品暴露在高電(diàn)場強度(dù)和高溫環境下(xià)。在這(zhè)種(zhǒng)情況(kuàng)下(xià),高(gāo)分(fēn)子(zǐ)聚合(hé)物材料(liào)在(zài)高(gāo)溫(wēn)環境下具(jù)有負(fù)阻(zǔ)性的特(tè)征(zhēng),電阻(率(shuài))隨(suí)著(zhuó)溫度的(dí)上升而下降,HTRB性能(néng)之間(jiān)的相關性(xìng)表明(míng),隨著溫度的(dí)上(shàng)升(shēng)電(diàn)阻率越(yuè)下降嚴(yán)重,而(ér)HTRB性(xìng)能(néng)越差,因此(cǐ),材(cái)料的(dí)電阻率是(shì)HTRB失效測(cè)量(liáng)的一(yī)個(gè)關鍵(jiàn)測(cè)量手(shǒu)段(duàn)。關於環氧塑封料(EMC, Epoxy Molding Compound)高低溫測試(shì)技術(shù),已(yǐ)證明(míng)此(cǐ)測試方(fāng)式是(shì)有效的,同時加(jiā)速(sù)國(guó)產(chǎn)化IGBT,MOSFET等功率器(qì)件的(dí)研發。如(rú)無錫(xī)凱華,中科科化(huà),飛凱(kǎi)材(cái)料等企業。


設備優(yōu)勢(shì):

1,消除(chú)電網(wǎng)諧波(bō)對采(cǎi)集(jí)精度(dù)的影(yǐng)響(xiǎng)

在超(chāo)高阻,弱信號測量(liáng)過(guò)程(chéng)中,輸入(rù)偏置(zhì)電(diàn)流(liú)和泄漏電流都會(huì)引起測量誤差。同時(shí)電(diàn)網(wǎng)中大(dà)量(liáng)使用變頻器(qì)等(děng)高頻,高功率設備,將對電網造成(chéng)諧波幹擾。以(yǐ)致影(yǐng)響(xiǎng)弱信(xìn)號(hào)的采集,華(huá)測儀器公司推出的抗幹擾模(mó)塊(kuài)以及(jí)用(yòng)新(xīn)測試(shì)分(fēn)析技術,實現了高(gāo)達(dá)1fA(10-15 A)的(dí)測(cè)量(liáng)分(fēn)辨(biàn)率(shuài),從(cóng)而(ér)滿(mǎn)足(zú)了(liǎo)很多半(bàn)導體,功能材(cái)料和納(nà)米器件的測試需求。

2,消(xiāo)除不規(guī)則(zé)輸入的(dí)自(zì)動(dòng)平均值功(gōng)能 強(qiáng)數(shù)據處(chǔ)理(lǐ)及內部(bù)屏蔽

自動平均值是(shì)檢測電流的變化(huà),並自(zì)動將(jiāng)其(qí)進行平均化的功(gōng)能(néng), 在查(chá)看測(cè)量結果的同時(shí)不需(xū)要改變設(shè)置。通過(guò)自動排(pái)除充(chōng)電電流(liú)的過渡響(xiǎng)應時(shí)或接觸(chù)不穩定(dìng)導致偏(piān)差較(jiào)大。電流輸(shū)入(rù)端口全新采用(yòng)大(dà)口(kǒu)徑(jìng)三軸連接(jiē)器,是將(jiāng)內部(bù)屏蔽(bì)連(lián)接(jiē)至(zhì)GUARD(COM)綫(xiàn),外部(bù)屏蔽連接至(zhì)GROUND的3層(céng)同(tóng)軸設計。兼(jiān)顧抗幹擾(rǎo)的(dí)穩定性(xìng)和高(gāo)壓檢查時的(dí)安全(quán)性(xìng)。

3,采(cǎi)用測量(liáng)前等(děng)待的(dí)方(fāng)式,讓材料(liào)受熱均匀

當溫度(dù)達到設定溫(wēn)度後(hòu),樣品的(dí)均(jūn)匀(yún)受熱會有(yǒu)一(yī)定(dìng)的滯(zhì)後(hòu)現象(xiàng),采用達到設(shè)備溫度(dù)保持(chí)時(shí)間(jiān),采用測(cè)量前(qián)等待(dài)的(dí)方(fāng)式。可(kě)以讓(ràng)材(cái)料受(shòu)熱更均(jūn)匀(yún),測量更(gēng)加科學合理。

4,*的操(cāo)作(zuò)軟(ruǎn)件

測試(shì)係統(tǒng)的(dí)軟(ruǎn)件(jiàn)平(píng)台(tái) Huacepro ,基(jī)於labview係(xì)統開發,符(fú)合(hé)功能材料(liào)的各項測(cè)試需求(qiú),具備(bèi)*的(dí)穩定(dìng)性(xìng)與操作安(ān)全性(xìng),並(bìng)具(jù)備斷電資料的保(bǎo)存功能(néng),圖像(xiàng)資(zī)料(liào)也可保存恢復(fù)。支(zhī)持最新(xīn)的國際(jì)標(biāo)準(zhǔn),兼(jiān)容(róng)XP,win7,win10係(xì)統。


產(chǎn)品(pǐn)參(cān)數(shù):

設備(bèi)型號(hào)SIR-450

溫度(dù)範圍(wéi)-185 ~ 350 °C

控溫精度(dù)0.5 °C

升溫斜率(shuài)10°C/min(可設定)

電阻1×1016Ω

電阻(zǔ)率1×103 Ω ~ 1×1016Ω

輸入(rù)電壓220V

樣品尺寸φ<25mm,d<4mm

電(diàn)極材(cái)料黃銅或銀;

夾(jiā)具(jù)輔(fǔ)助材料(liào)99氧化(huà)鋁(lǚ)陶(táo)瓷(cí)

絕(jué)緣材料(liào)99氧化(huà)鋁陶瓷

測(cè)試功(gōng)能(néng)高低溫電阻(zǔ)率

數(shù)據傳輸RS-232

設備尺(chǐ)寸(cùn)180 x 210 x 50mm



半導體(tǐ)封裝材料高低溫(wēn)絕(jué)緣電阻(zǔ)測(cè)試(shì)係(xì)統

半導體封(fēng)裝材料高低溫絕緣電(diàn)阻測試係統(tǒng)

半(bàn)導(dǎo)體封(fēng)裝材(cái)料高低溫絕(jué)緣電阻測試(shì)係(xì)統









 

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