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SIR絕緣電(diàn)阻(zǔ)劣(liè)化(離子遷移)測試係統

簡要(yào)描(miáo)述(shù):華測儀(yí)器SIR絕(jué)緣電阻劣化(離(lí)子(zǐ)遷移(yí))測(cè)試係統是(shì)通過在印(yìn)刷電(diàn)路板上施(shī)加(jiā)固(gù)定的直流電壓(yā),並(bìng)經過(guò)長(cháng)時間(jiān)的(dí)測試(shì),觀察(chá)綫路是否有(yǒu)瞬(shùn)間(jiān)短路(lù)的現象(xiàng)發(fā)生。

  • 產品型(xíng)號(hào):Huace
  • 廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠(chǎng)家
  • 更(gēng)新時(shí)間:2026-03-11
  • 訪(fǎng)  問  量:645

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品牌華(huá)測儀器(qì)產地(dì)類別(bié)國產
應(yīng)用(yòng)領域(yù)能源(yuán),航(háng)空航(háng)天,汽車及(jí)零部件,電氣(qì),綜(zōng)合

SIR絕(jué)緣電(diàn)阻(zǔ)劣化(離子遷(qiān)移)測(cè)試(shì)係統(tǒng)

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SIR絕緣(yuán)電阻劣(liè)化(離子遷移)測試(shì)係(xì)統由華(huá)測儀(yí)器生產(chǎn),離(lí)子遷移是(shì)指電(diàn)路板上的(dí)金屬(shǔ)如(rú)銅(tóng),銀(yín),錫等在一定條件下(xià)發生(shēng)離(lí)子(zǐ)化並在電場(cháng)作(zuò)用(yòng)下(xià)通過絕緣層向另一極遷移而導(dǎo)致(zhì)絕緣(yuán)性(xìng)能(néng)下降(jiàng)。它通過(guò)在印(yìn)刷電(diàn)路板(bǎn)上施加(jiā)固(gù)定的直(zhí)流電(diàn)壓(yā),並經(jīng)過長(cháng)時間的測(cè)試(shì)(1~1000小時可按(àn)需定(dìng)製),觀(guān)察(chá)綫路(lù)是否(fǒu)有(yǒu)瞬(shùn)間短路的現(xiàn)象發(fā)生,並記錄電(diàn)阻值(zhí)的變(biàn)化狀況(kuàng),從而(ér)評估絕緣(yuán)材料(liào)的(dí)劣(liè)化(huà)程(chéng)度和(hé)離子遷移現象(xiàng)的影響(xiǎng)。


產品參數(shù)

技術(shù)指標(biāo)

測量電壓:100 ~ 1500V(可定(dìng)製)

測(cè)試通(tōng)道:128通(tōng)道(可定製至(zhì)高(gāo)960通道)

測試(shì)時(shí)長(cháng):可(kě)連續(xù)運行(háng)1500小時

測(cè)試溫度:85℃(可(kě)定製)

測試(shì)濕度:85%(可定製)

測(cè)量範(fàn)圍:1×10^5 ~ 1×10^15Ω

極化電(diàn)壓:100 ~ 1500V(可(kě)定製)

掃描(miáo)周期:至(zhì)快(kuài)2分(fēn)鐘(128通道(dào))


應用領(lǐng)域

電子材料:印BGA,CSP等(děng)節距IC封裝(zhuāng)件(jiàn)

封(fēng)裝材料:助焊劑(jì),印(yìn)刷(shuā)電(diàn)路(lù)板(bǎn),光刻膠,釺料(liào),樹脂(zhī),導電膠等有(yǒu)關(guān)印刷電(diàn)路板,密度(dù)高(gāo)的封裝(zhuāng)材料

半(bàn)導(dǎo)體(tǐ):PPV,NDI,OFETs,OSCs,OLEDs等(děng)

電(diàn)子元器件:電容,連(lián)接(jiē)器等(děng)其他電(diàn)子元(yuán)器(qì)件及材(cái)料

絕緣(yuán)材料(liào):各種絕緣材(cái)料(liào)的吸濕(shī)性特(tè)性評(píng)估


SIR絕(jué)緣電阻(zǔ)劣化(離(lí)子遷(qiān)移)測(cè)試係(xì)統


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