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當前(qián)位置：首頁(yè) > 產(chǎn)品中(zhōng)心 > 改(gǎi)性塑(sù)料試(shì)驗(yàn)設備(bèi) > 高壓(yā)，低壓(yā)漏(lòu)電起(qǐ)痕(hén)試驗儀

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改(gǎi)性(xìng)塑料(liào)試(shì)驗設(shè)備(bèi)

電(diàn)壓擊(jī)穿試驗儀(yí) 耐(nài)電弧(hú)測(cè)試儀絕緣(yuán)電阻(zǔ)試驗(yàn)儀(yí) 電弱(ruò)點(diǎn)試(shì)驗儀電介(jiè)質(zhì)充放電(diàn)測(cè)試(shì)係統高壓，低壓(yā)漏(lòu)電起(qǐ)痕試驗儀(yí) 50點耐壓測(cè)試儀

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相(xiāng)關文章(zhāng)

HCLD-2絕(jué)緣(yuán)材(cái)料(liào)表麵漏電起(qǐ)痕性能測試(shì)儀(yí)

更新時間：2026-07-13

型號(hào)：HCLD-2

瀏(liú)覽量(liáng)：127

華(huá)測儀(yí)器(qì)HCLD-2絕(jué)緣(yuán)材料(liào)表麵(miàn)漏電起痕(hén)性能測(cè)試(shì)儀用以(yǐ)評價固體絕緣(yuán)材料(liào)表(biǎo)麵(miàn)在(zài)電場和(hé)潮濕或(huò)汙染(rǎn)介質聯(lián)合(hé)作用下的(dí)耐漏電(diàn)性(xìng)能，測(cè)定其(qí)相比(bǐ)電(diàn)痕化指數 (CTI) 和耐(nài)電(diàn)痕(hén)化(huà)指數(PTI) 。
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HCLD-2低(dī)壓相(xiāng)比電(diàn)痕化(huà)指數測(cè)試儀

更新(xīn)時間(jiān)：2026-06-12

型號(hào)：HCLD-2

瀏覽量(liáng)：216

華測(cè)儀(yí)器(qì) HCLD-2低(dī)壓(yā)相比電痕化指數測試(shì)儀(yí)用以評價(jià)固體絕緣(yuán)材料(liào)表(biǎo)麵(miàn)在電(diàn)場(cháng)和潮濕或(huò)汙(wū)染介質聯(lián)合作用(yòng)下的(dí)耐漏(lòu)電性(xìng)能(néng)，測定(dìng)其相(xiāng)比電(diàn)痕(hén)化指數 (CTI) 和(hé)耐(nài)電痕化(huà)指(zhǐ)數(PTI) 。
了(liǎo)解詳(xiáng)情
HCLD-2固體絕緣(yuán)材料(liào)漏(lòu)電起痕(hén)試驗(yàn)儀

更(gēng)新(xīn)時間(jiān)：2026-04-17

型號(hào)：HCLD-2

瀏覽(lǎn)量：713

華測儀器HCLD-2固(gù)體(tǐ)絕緣(yuán)材(cái)料(liào)漏(lòu)電起(qǐ)痕試驗(yàn)儀用(yòng)以(yǐ)評價固體絕(jué)緣材料(liào)表麵在(zài)電場和潮濕或(huò)汙染(rǎn)介(jiè)質(zhì)聯(lián)合(hé)作用(yòng)下的耐漏電性能，測定其(qí)相(xiāng)比(bǐ)電(diàn)痕(hén)化(huà)指(zhǐ)數(shù) (CTI) 和(hé)耐電(diàn)痕化指(zhǐ)數(PTI) 。
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HCLD-2100V~1000V低(dī)壓(yā)漏(lòu)電(diàn)起痕(hén)試驗機

更新時間(jiān)：2026-02-04

型(xíng)號：HCLD-2

瀏覽量(liáng)：1074

100V~1000V低(dī)壓漏電起痕試驗機HCLD-2 低壓(yā)漏電起(qǐ)痕試驗(yàn)儀(yí)是依據 GB/T 4207-2003，IEC 60112，UL 746A，ASTM D3638，GB 4706.1，IEC 60335 等(děng)標準設計製造(zào)的檢(jiǎn)測(cè)設備，用於(yú)評估固體絕緣材料(liào)在電場(cháng)與(yǔ)汙(wū)染介質(zhì)（如(rú)0.1% NH₄Cl溶液）聯(lián)合作用下(xià)的耐(nài)漏電(diàn)性能，可準確(què)測定材(cái)料的相比電痕化指數(shù)（CTI）和耐電(diàn)痕(hén)化指數（PTI）。
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低(dī)壓(yā)漏(lòu)電起痕/絕緣材(cái)料測試(shì)儀

更新時間(jiān)：2025-07-29

型號(hào)：

瀏(liú)覽(lǎn)量(liáng)：3124

低壓漏(lòu)電(diàn)起痕(hén)/絕(jué)緣材料測試(shì)儀是在(zài)固(gù)體(tǐ)絕緣材(cái)料表麵(miàn)上，在(zài)規定(dìng)尺(chǐ)寸（2mm×5mm）的鉑電極(jí)之(zhī)間，施(shī)加(jiā)某一電壓並(bìng)定時(shí)（30S）定高度（35mm）滴(dī)下(xià)規定(dìng)液滴體積(jī)的汙(wū)染液體（0.1%NH4CL），用以評(píng)價固(gù)體(tǐ)絕緣(yuán)材(cái)料(liào)表(biǎo)麵在(zài)電場和汙染介質聯合(hé)作用下(xià)的耐受能力(lì)，測定(dìng)其(qí)相(xiāng)比(bǐ)電(diàn)痕(hén)化(huà)指數(shù)（CT1）和耐電(diàn)痕(hén)化(huà)指數(shù)（PT1）。
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HCLD-III*電(diàn)子(zǐ)電(diàn)工漏電起痕試(shì)驗機(jī)測試儀器

更(gēng)新(xīn)時(shí)間(jiān)：2025-06-06

型號：HCLD-III

瀏(liú)覽量(liáng)：3008

*電子電工漏電起痕試(shì)驗(yàn)機(jī)測(cè)試(shì)儀器HCLD-III為華(huá)測(cè)公(gōng)司2013年(nián)重點(diǎn)科研產品(pǐn)之(zhī)一(yī)，高壓漏(lòu)電(diàn)試驗(yàn)儀采用控製(zhì)係統精度(dù)高，摈棄(qì)了(liǎo)現(xiàn)有(yǒu)的低(dī)壓切斷原原理，采(cǎi)用*的高(gāo)壓(yā)真空(kōng)切(qiē)斷(duàn)技術，使(shǐ)試驗過(guò)程合(hé)理(lǐ)。采用(yòng)5組電流傳(chuán)感(gǎn)器(qì)用以(yǐ)控製(zhì)每(měi)組試(shì)驗(yàn)的高壓切(qiē)斷(duàn)，使(shǐ)數據采集(jí)精確，同(tóng)時(shí)本設(shè)備采(cǎi)用電力係(xì)統過(guò)壓(yā)過(guò)流(liú)保護裝(zhuāng)置(zhì)，使(shǐ)儀器。
了(liǎo)解(jiě)詳情(qíng)
HCLD-III產(chǎn)品(pǐn)*漏電起(qǐ)痕測(cè)試儀(yí)器

更(gēng)新時(shí)間(jiān)：2025-06-06

型號(hào)：HCLD-III

瀏覽(lǎn)量(liáng)：3081

產(chǎn)品(pǐn)*漏(lòu)電起痕測試儀(yí)器HCLD-III采用控(kòng)製係統精度高，摈棄(qì)了(liǎo)現有的低壓切(qiē)斷(duàn)原原理，采用*的高(gāo)壓(yā)真空(kōng)切斷技術，使試驗過程(chéng)合(hé)理。采(cǎi)用(yòng)5組電(diàn)流傳感(gǎn)器用(yòng)以控(kòng)製(zhì)每組(zǔ)試驗的(dí)高(gāo)壓切斷，使數(shù)據(jù)采(cǎi)集(jí)精(jīng)確(què)，同時本(běn)設備(bèi)采(cǎi)用電力係統(tǒng)過壓過流(liú)保護(hù)裝(zhuāng)置(zhì)，使儀器(qì)an全。
了(liǎo)解詳情(qíng)
HCLD-III產(chǎn)品*電氣(qì)絕(jué)緣材(cái)料漏電(diàn)起痕試驗機

更新時間：2025-06-06

型號(hào)：HCLD-III

瀏(liú)覽量：3216

產品(pǐn)*電(diàn)氣(qì)絕緣材料(liào)漏電(diàn)起痕(hén)試(shì)驗機HCLD-III為華(huá)測公司(sī)2013年重點科研產(chǎn)品之(zhī)一，高(gāo)壓漏(lòu)電(diàn)試驗(yàn)儀(yí)采用(yòng)控(kòng)製係(xì)統(tǒng)精度高，摈(bìn)棄(qì)了(liǎo)現有的低壓切斷(duàn)原原理，采(cǎi)用*的高壓(yā)真空切斷(duàn)技術，使(shǐ)試(shì)驗過(guò)程(chéng)合(hé)理(lǐ)。采用(yòng)5組電流傳感器(qì)用(yòng)以控(kòng)製每組試驗的(dí)高壓(yā)切斷，使(shǐ)數據采集精(jīng)確(què)，同(tóng)時本設(shè)備采用電力(lì)係統過壓(yā)過(guò)流(liú)保(bǎo)護裝置，使(shǐ)儀器(qì)an全(quán)。
了(liǎo)解詳(xiáng)情

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