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當前位(wèi)置(zhì)：首頁(yè) > 產品(pǐn)中(zhōng)心 > 改(gǎi)性(xìng)塑料試驗(yàn)設備(bèi) > 高壓，低(dī)壓(yā)漏(lòu)電(diàn)起痕(hén)試驗(yàn)儀

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Product Category

改性塑料(liào)試(shì)驗設(shè)備

電(diàn)壓(yā)擊穿(chuān)試驗(yàn)儀(yí) 耐電(diàn)弧(hú)測試(shì)儀(yí) 絕緣(yuán)電阻(zǔ)試驗(yàn)儀(yí) 電(diàn)弱(ruò)點(diǎn)試驗(yàn)儀電介(jiè)質(zhì)充(chōng)放電(diàn)測試係統(tǒng) 高(gāo)壓，低壓漏(lòu)電起(qǐ)痕試驗儀 50點耐壓測(cè)試儀(yí)

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HCLD-2絕緣(yuán)材料(liào)表(biǎo)麵漏(lòu)電起痕性能測(cè)試(shì)儀(yí)

更新時間(jiān)：2026-07-13

型號：HCLD-2

瀏(liú)覽量：65

華測儀(yí)器HCLD-2絕緣(yuán)材料(liào)表(biǎo)麵漏(lòu)電起(qǐ)痕性能(néng)測試(shì)儀(yí)用以(yǐ)評(píng)價固體絕緣材(cái)料表(biǎo)麵在(zài)電場(cháng)和潮濕(shī)或(huò)汙(wū)染(rǎn)介(jiè)質(zhì)聯(lián)合(hé)作(zuò)用(yòng)下(xià)的耐(nài)漏電性能，測定其相(xiāng)比電痕化指(zhǐ)數(shù) (CTI) 和(hé)耐電(diàn)痕(hén)化(huà)指(zhǐ)數(shù)(PTI) 。
了(liǎo)解詳(xiáng)情
HCLD-2低壓相(xiāng)比電痕化指數測試儀

更(gēng)新時間：2026-06-12

型號：HCLD-2

瀏(liú)覽(lǎn)量：180

華(huá)測儀器 HCLD-2低壓相比電痕(hén)化指數(shù)測(cè)試(shì)儀用(yòng)以評價固(gù)體(tǐ)絕緣(yuán)材(cái)料表(biǎo)麵在(zài)電場和潮(cháo)濕或(huò)汙(wū)染介質聯(lián)合作(zuò)用(yòng)下(xià)的耐漏(lòu)電(diàn)性(xìng)能，測(cè)定(dìng)其相(xiāng)比電痕化(huà)指數 (CTI) 和耐電(diàn)痕(hén)化指(zhǐ)數(shù)(PTI) 。
了(liǎo)解(jiě)詳情
HCLD-2固(gù)體(tǐ)絕緣(yuán)材(cái)料漏(lòu)電(diàn)起痕(hén)試驗(yàn)儀(yí)

更新時(shí)間：2026-04-17

型(xíng)號(hào)：HCLD-2

瀏(liú)覽量：667

華測(cè)儀器(qì)HCLD-2固(gù)體(tǐ)絕緣(yuán)材料(liào)漏電起痕試(shì)驗(yàn)儀(yí)用以評價(jià)固體絕緣(yuán)材料(liào)表麵在(zài)電(diàn)場和潮濕(shī)或汙染介質(zhì)聯合作用下(xià)的(dí)耐漏電性能，測定(dìng)其(qí)相比電(diàn)痕(hén)化(huà)指數 (CTI) 和耐電痕化指數(shù)(PTI) 。
了解詳情(qíng)
HCLD-2100V~1000V低壓漏電起痕試(shì)驗(yàn)機

更新時間(jiān)：2026-02-04

型號(hào)：HCLD-2

瀏(liú)覽(lǎn)量：1029

100V~1000V低(dī)壓(yā)漏(lòu)電(diàn)起(qǐ)痕試驗(yàn)機HCLD-2 低(dī)壓漏電起(qǐ)痕試(shì)驗儀(yí)是(shì)依(yī)據 GB/T 4207-2003，IEC 60112，UL 746A，ASTM D3638，GB 4706.1，IEC 60335 等(děng)標準設(shè)計製(zhì)造的檢測(cè)設備(bèi)，用於評估(gū)固(gù)體(tǐ)絕緣(yuán)材料(liào)在電場與汙(wū)染介質(zhì)（如(rú)0.1% NH₄Cl溶液）聯合作(zuò)用下的耐(nài)漏電性(xìng)能，可(kě)準(zhǔn)確測(cè)定材(cái)料的相(xiāng)比(bǐ)電痕(hén)化指(zhǐ)數（CTI）和耐電痕(hén)化指(zhǐ)數(shù)（PTI）。
了解(jiě)詳情(qíng)
低壓(yā)漏電(diàn)起(qǐ)痕/絕緣(yuán)材(cái)料測試(shì)儀

更新(xīn)時(shí)間(jiān)：2025-07-29

型號(hào)：

瀏覽(lǎn)量：3094

低壓漏(lòu)電起痕/絕緣材(cái)料測試儀是(shì)在固(gù)體(tǐ)絕(jué)緣(yuán)材料表麵上，在規(guī)定(dìng)尺(chǐ)寸（2mm×5mm）的(dí)鉑電極之(zhī)間，施加某一電壓(yā)並定(dìng)時（30S）定(dìng)高(gāo)度（35mm）滴(dī)下(xià)規定液(yè)滴體積的汙(wū)染(rǎn)液體(tǐ)（0.1%NH4CL），用以(yǐ)評價固(gù)體絕緣材料(liào)表(biǎo)麵(miàn)在電場和(hé)汙(wū)染(rǎn)介質(zhì)聯合作用下(xià)的耐受能力，測(cè)定(dìng)其(qí)相比電(diàn)痕化指數（CT1）和耐(nài)電(diàn)痕化(huà)指(zhǐ)數（PT1）。
了(liǎo)解(jiě)詳(xiáng)情(qíng)
HCLD-III*電子電(diàn)工(gōng)漏(lòu)電起痕試驗機測(cè)試儀器(qì)

更(gēng)新(xīn)時(shí)間：2025-06-06

型號(hào)：HCLD-III

瀏(liú)覽量：2978

*電(diàn)子電工漏(lòu)電起痕試驗機測(cè)試儀(yí)器HCLD-III為華(huá)測公司2013年重點(diǎn)科研(yán)產(chǎn)品(pǐn)之(zhī)一(yī)，高壓漏電試驗(yàn)儀采用(yòng)控製係統(tǒng)精(jīng)度(dù)高(gāo)，摈棄(qì)了(liǎo)現有的(dí)低壓(yā)切斷(duàn)原(yuán)原(yuán)理(lǐ)，采用*的高壓真空切斷技術(shù)，使試驗過程(chéng)合理。采(cǎi)用5組電(diàn)流傳感器(qì)用(yòng)以控(kòng)製每組試驗(yàn)的(dí)高壓切斷(duàn)，使數(shù)據采(cǎi)集(jí)精確(què)，同(tóng)時本設備采用(yòng)電(diàn)力係(xì)統過壓過(guò)流(liú)保護(hù)裝置，使(shǐ)儀器。
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HCLD-III產(chǎn)品(pǐn)*漏電(diàn)起(qǐ)痕(hén)測(cè)試儀(yí)器(qì)

更新時間(jiān)：2025-06-06

型號：HCLD-III

瀏覽(lǎn)量：3047

產(chǎn)品(pǐn)*漏電(diàn)起(qǐ)痕(hén)測(cè)試(shì)儀器(qì)HCLD-III采用控製(zhì)係(xì)統精度(dù)高，摈棄了(liǎo)現有的(dí)低(dī)壓切斷原原(yuán)理，采用*的(dí)高壓真空切(qiē)斷技(jì)術(shù)，使試驗(yàn)過(guò)程合理(lǐ)。采(cǎi)用5組電(diàn)流(liú)傳感(gǎn)器用以控(kòng)製(zhì)每組(zǔ)試驗(yàn)的(dí)高(gāo)壓切斷(duàn)，使數據采集精確，同時(shí)本設備(bèi)采(cǎi)用電(diàn)力係統過壓過流(liú)保護裝置(zhì)，使儀器an全。
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HCLD-III產品*電(diàn)氣絕緣材(cái)料漏(lòu)電(diàn)起(qǐ)痕試驗機

更新時(shí)間：2025-06-06

型號：HCLD-III

瀏(liú)覽量(liáng)：3188

產品(pǐn)*電氣(qì)絕緣材(cái)料漏(lòu)電(diàn)起(qǐ)痕試(shì)驗(yàn)機HCLD-III為(wéi)華(huá)測(cè)公司(sī)2013年重點(diǎn)科(kē)研(yán)產(chǎn)品之一，高(gāo)壓(yā)漏(lòu)電試驗儀采用控(kòng)製(zhì)係統(tǒng)精度高，摈棄了(liǎo)現有的低壓切(qiē)斷(duàn)原原理(lǐ)，采(cǎi)用(yòng)*的高壓(yā)真空切斷(duàn)技術(shù)，使(shǐ)試(shì)驗(yàn)過(guò)程合理(lǐ)。采用5組電流傳感器用以(yǐ)控(kòng)製(zhì)每組試驗(yàn)的高壓(yā)切斷(duàn)，使數據采集(jí)精確(què)，同(tóng)時(shí)本設備(bèi)采用(yòng)電力係統(tǒng)過(guò)壓過(guò)流保(bǎo)護裝(zhuāng)置(zhì)，使儀器(qì)an全。
了(liǎo)解(jiě)詳情(qíng)

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