半(bàn)導體封(fēng)裝(zhuāng)材(cái)料(liào)高(gāo)壓(yā)TSDC熱(rè)刺(cì)激測試係(xì)統(tǒng)

產品介紹：

 研究前(qián)景(jǐng)：

環氧塑封料(liào)（EMC， Epoxy Molding Compound）是用於半導體(tǐ)封(fēng)裝(zhuāng)的一(yī)種熱固性化學(xué)材料，是(shì)由環(huán)氧樹脂為(wéi)基(jī)體 樹脂，以高(gāo)性能酚醛樹脂為(wéi)固(gù)化劑，加(jiā)入(rù)矽微粉等(děng)為(wéi)填料，以及添(tiān)加(jiā)多種助(zhù)劑(jì)混配(pèi)而(ér)成的粉狀(zhuàng)模塑(sù)料(liào)，為(wéi)後道(dào)封(fēng)裝的主(zhǔ)要原材料(liào)之一(yī)，目(mù)前95%以上的微電子器件都是(shì)環氧塑封(fēng)器(qì)件(jiàn)。環氧塑封料(liào)具(jù)有保(bǎo)護(hù)芯(xīn)片不(bù)受(shòu)外界(jiè)環境的影(yǐng)響，抵抗外(wài)部溶劑，濕(shī)氣，衝擊，保證芯片與(yǔ)外界(jiè)環境電(diàn)絕緣等功能(néng)。環(huán)氧塑封料(liào)對高功(gōng)率半導(dǎo)體器件(jiàn)的(dí)高(gāo)溫反向偏(piān)壓（HTRB）性(xìng)能有(yǒu)重要控製作(zuò)用(yòng)。

 產(chǎn)品概述：

熱刺激去(qù)極化(huà)電(diàn)流（TSDC）技(jì)術用於預測EMC的HTRB性能。TSDC方(fāng)法包(bāo)括(kuò)極化過程，在(zài)該過程中，電介質樣品暴(bào)露(lòu)在(zài)高(gāo)電場(cháng)強度(dù)和高溫(wēn)環(huán)境下。在(zài)這種(zhǒng)情況(kuàng)下，電(diàn)荷(hé)被分離並(bìng)在介電材(cái)料電(diàn)子(zǐ)元(yuán)件(jiàn)中移動。盡管(guǎn)單個(gè)TSDC信號和HTRB性(xìng)能之間的相關性表明(míng)，極化(huà)峰值越(yuè)

高，TSDC曲綫(xiàn)越大(dà)，而(ér)HTRB性能(néng)越(yuè)差(chà)，但這並不能wanquan解(jiě)釋EMC在發(fā)出強放電信號時的某些故(gù)障。因(yīn)此(cǐ)，弛(chí)豫時間是(shì)解(jiě)釋外(wài)層(céng)HTRB失效(xiào)樣(yàng)本(běn)的另(lìng)一個關(guān)鍵參數。

關於環氧塑(sù)封(fēng)料（EMC， Epoxy Molding Compound）TSDC測試技術(shù)，為華(huá)測公司在(zài)國內最早(zǎo)提及目(mù)前(qián)已被廣泛應(yīng)用(yòng)到(dào)更(gēng)多(duō)的(dí)半導體(tǐ)封裝(zhuāng)材料(liào)及(jí)半導體生產研(yán)發(fā)企業(yè)。已證明此測(cè)試(shì)方式是有(yǒu)效的(dí)，同時加速國(guó)產化(huà)IGBT，MOSFET等功率器(qì)件(jiàn)的(dí)研(yán)發。如(rú)無錫(xī)凱華，中科科(kē)化，飛凱(kǎi)材料(liào)等(děng)企業(yè)。

 應(yīng)用場景(jǐng)：

材(cái)料研發(fā)與性能評(píng)估(gū)：介(jiè)電(diàn)材料研究(jiū)，絕(jué)緣材(cái)料(liào)評(píng)估，半導體材(cái)料分析；電(diàn)子(zǐ)元器件(jiàn)與封(fēng)裝(zhuāng)技術(shù)：元器(qì)件可靠性測試，封裝材(cái)料選擇，封裝工藝優(yōu)化；電力與能(néng)源領(lǐng)域：電力(lì)設(shè)備絕緣監(jiān)測，儲能(néng)材(cái)料研究(jiū)；其他領(lǐng)域(yù)：生物分子(zǐ)材料(liào)研(yán)究，環(huán)境監(jiān)測與保護；半導(dǎo)體(tǐ)封(fēng)裝(zhuāng)材(cái)料高(gāo)壓(yā)TSDC熱(rè)刺(cì)激測試(shì)係(xì)統(tǒng)在材(cái)料研(yán)發，電子元器件(jiàn)與封裝(zhuāng)技(jì)術(shù)，電力與能源領域以(yǐ)及其他(tā)多個領域都具(jù)有(yǒu)廣泛(fàn)的應用(yòng)前(qián)景。隨著(zhuó)技術(shù)的(dí)不斷發(fā)展，TSDC測(cè)試係(xì)統將在更多領域(yù)發(fā)揮重要作(zuò)用(yòng)。

產(chǎn)品原理(lǐ)：

TSDC是一種研究電荷(hé)存(cún)儲(chǔ)特性的(dí)實驗技(jì)術，用於確(què)定初始電荷(hé)和(hé)捕獲電(diàn)荷的活(huó)化(huà)能以及弛(chí)豫，該方(fāng)法包括一(yī)個(gè)極(jí)化(huà)過程(chéng)，其中介電樣(yàng)品(pǐn)在(zài)高(gāo)溫下暴露於高(gāo)電場(cháng)強度(dù)下。在(zài)此之(zhī)後，試樣在(zài)外加電場的作(zuò)用下(xià)迅速(sù)進(jìn)行冷卻。以這種(zhǒng)方式，電荷被(bèi)分離並固(gù)定(dìng)在介(jiè)電(diàn)材料(liào)駐(zhù)極體(tǐ)內。然(rán)後(hòu)進行升(shēng)溫將(jiāng)駐極體內(nèi)的電荷進行釋放，同時(shí)配(pèi)合測量(liáng)儀(yí)器(qì)進(jìn)行測(cè)量(liáng)，並為科研(yán)人(rén)員(yuán)進行分析。通過TSDC測試(shì)方(fāng)法研(yán)究(jiū)了EMC對功率半導體HTRB可(kě)靠性的(dí)影(yǐng)響，了解到EMC在高溫，高壓(yā)條件下會(huì)發生電極化或(huò)電(diàn)取向(xiàng)。此外(wài)，依(yī)賴於(yú)在相(xiāng)應的冷卻環境中維(wéi)持其極(jí)化(huà)狀態，它會幹擾MOS-FET半導(dǎo)體(tǐ)中反轉層的(dí)正常(cháng)形成(chéng)。通過(guò)TSDC試(shì)驗，我(wǒ)們(mén)還了解了(liǎo)在(zài)可靠性測(cè)試中(zhōng)由於(yú)應用(yòng)條件而(ér)導(dǎo)致(zhì)的(dí)材(cái)料內部極(jí)化電荷(hé)的數量(liáng)也(yě)是一(yī)個重(zhòng)要的影響因素。

1，消(xiāo)除(chú)電網(wǎng)諧(xié)波(bō)對采集(jí)精度(dù)的影響(xiǎng)

在(zài)超(chāo)高阻(zǔ)，弱信號(hào)測(cè)量(liáng)過(guò)程中(zhōng)，輸入偏置(zhì)電(diàn)流和(hé)泄漏電流都會引起(qǐ)測量(liáng)誤(wù)差。同時電網中(zhōng)大量(liáng)使(shǐ)用變頻器等高(gāo)頻，高功率(shuài)設(shè)備(bèi)，將對(duì)電網造成諧(xié)波(bō)幹(gān)擾(rǎo)。以致影響(xiǎng)弱信號的采(cǎi)集(jí)，華測儀器(qì)公(gōng)司推出(chū)的抗(kàng)幹擾(rǎo)模塊以(yǐ)及用新測試(shì)分(fēn)析(xī)技術,實(shí)現了高(gāo)達(dá)1fA(10-15 A)的(dí)測量(liáng)分辨率(shuài),從(cóng)而滿足(zú)了(liǎo)很多(duō)半(bàn)導(dǎo)體(tǐ),功能材料和納米器件(jiàn)的(dí)測(cè)試(shì)需(xū)求(qiú)。

2，消除不(bù)規則輸入的自動平均值功能,更強數據(jù)處(chǔ)理及(jí)內部屏(píng)蔽

自動(dòng)平均值(zhí)是(shì)檢測電流的變化(huà)，並自動(dòng)將其進(jìn)行(háng)平(píng)均(jūn)化的功能， 在(zài)查看測(cè)量結果的同(tóng)時(shí)不需(xū)要(yào)改(gǎi)變設(shè)置。通(tōng)過自(zì)動(dòng)排除充(chōng)電(diàn)電(diàn)流(liú)的過渡(dù)響應時或(huò)接(jiē)觸不穩定導(dǎo)致(zhì)偏差(chà)較(jiào)大。電流(liú)輸(shū)入端口(kǒu)全(quán)新采用大口徑三(sān)軸連接器，是將(jiāng)內部屏蔽連接至GUARD(COM)綫，外部屏蔽連(lián)接(jiē)至GROUND的3層同軸(zhóu)設計。兼顧抗幹(gān)擾的穩(wěn)定(dìng)性和(hé)高壓(yā)檢查(chá)時的(dí)安全性。

3，更*的操作軟件

測試(shì)係(xì)統的軟件(jiàn)平(píng)台(tái) Huacepro ，基於labview係(xì)統(tǒng)開(kāi)發(fā)，符合功能(néng)材(cái)料(liào)的(dí)各項測(cè)試(shì)需求，具備*的(dí)穩定性與操作(zuò)安(ān)全(quán)性(xìng)，並(bìng)具備斷電資料的(dí)保(bǎo)存功能，圖像資(zī)料(liào)也(yě)可保存(cún)恢(huī)復(fù)。支(zhī)持(chí)新(xīn)的國(guó)際標準，兼(jiān)容(róng)XP，win7，win10係統(tǒng)。

4，更(gēng)*的硬(yìng)件(jiàn)配置

5，可擴(kuò)展(zhǎn)的(dí)測(cè)量模式

產品曲綫(xiàn)：

產品(pǐn)參數：

設備型號：HC-TSC

溫度(dù)範圍(wéi)：-185 ~ 600°C

控(kòng)溫精度：±0.25°C

升溫(wēn)斜(xié)率：10°C/min（可設定）

測試頻率：最(zuì)大(dà)電(diàn)壓：±10kV

加(jiā)熱(rè)方(fāng)式：直流電(diàn)極(jí)加(jiā)熱

冷(lěng)卻(què)方式(shì)：水冷

樣品尺(chǐ)寸(cùn)：φ＜25mm，d＜4mm

電極材料(liào)：黃銅或銀;

夾(jiā)具(jù)輔(fǔ)助(zhù)材料 ：99氧化鋁(lǚ)陶瓷

低溫(wēn)製(zhì)冷(lěng)：液(yè)氮

測試功能(néng) ：TSDC

數據傳(chuán)輸：RS-232  

設(shè)備尺寸 ：180 x 210 x 50mm