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絕(jué)緣電(diàn)阻劣(liè)化與離(lí)子遷(qiān)移(yí)綜合(hé)評估(gū)係統

簡要(yào)描述(shù):華(huá)測儀器(qì)絕緣電阻劣化與離(lí)子遷移綜合評估係統,離子遷(qiān)移(yí)是(shì)指電路(lù)板(bǎn)上的金屬如(rú)銅,銀,錫等(děng)在一(yī)定條(tiáo)件下發生(shēng)離子(zǐ)化(huà)並(bìng)在(zài)電(diàn)場作(zuò)用下(xià)通過絕(jué)緣(yuán)層(céng)向另一(yī)極遷(qiān)移(yí)而導致絕緣(yuán)性(xìng)能下(xià)降。

  • 產品型(xíng)號(hào):Huace
  • 廠(chǎng)商性(xìng)質:生產廠家
  • 更新時(shí)間(jiān):2026-06-11
  • 訪  問  量(liáng):198

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詳細(xì)介紹(shào)

品牌華(huá)測儀(yí)器(qì)產(chǎn)地(dì)類(lèi)別國產
應用(yòng)領域能源(yuán),航空航天,汽車及零部件(jiàn),電氣,綜合

華測(cè)儀器絕緣電(diàn)阻(zǔ)劣(liè)化與離子(zǐ)遷(qiān)移綜(zōng)合評估(gū)係統

價格僅(jǐn)供參考(kǎo),如需獲取更詳(xiáng)盡的產品技術規格(gé)書,定(dìng)製(zhì)方案或應用案例(lì),歡(huān)迎(yíng)致電我(wǒ)司技(jì)術(shù)工程師


絕緣電阻(zǔ)劣(liè)化(huà)與(yǔ)離子(zǐ)遷移(yí)綜(zōng)合(hé)評估(gū)係統由華(huá)測(cè)儀(yí)器生產,是(shì)一(yī)種信(xìn)賴性(xìng)試(shì)驗設(shè)備(bèi),它通(tōng)過(guò)在印刷電(diàn)路(lù)板上施加固定的(dí)直流(liú)電(diàn)壓,並經(jīng)過(guò)長時間的測試(shì)(1~1000小(xiǎo)時(shí)可按(àn)需定製(zhì)),觀(guān)察綫路是(shì)否(fǒu)有(yǒu)瞬(shùn)間短路的現象發(fā)生,並記錄(lù)電阻值(zhí)的(dí)變化(huà)狀況,從(cóng)而(ér)評估絕緣材(cái)料(liào)的劣化程(chéng)度(dù)和(hé)離子遷移(yí)現象的影響(xiǎng)。


產品(pǐn)參數

測(cè)量(liáng)電(diàn)壓(yā):100 ~ 1500V(根據用(yòng)戶(hù)需(xū)求定(dìng)製)

測試通(tōng)道:128通(tōng)道(可定製至高(gāo)960通(tōng)道(dào))

測試時(shí)長:可連續運行1500小時

測(cè)試(shì)溫(wēn)度(dù):85℃(可定製(zhì))

測(cè)試濕(shī)度:85%(可定製(zhì))

測(cè)量(liáng)範(fàn)圍:1×10^5 ~ 1×10^15Ω

極化電(diàn)壓(yā):100 ~ 1500V(可(kě)定製)

掃描周期(qī):至快(kuài)2分鐘(zhōng)(128通道)


應(yīng)用(yòng)領域(yù)

1.電(diàn)子材料:印(yìn)BGA,CSP等(děng)節距IC封(fēng)裝(zhuāng)件(jiàn);

2.封(fēng)裝材(cái)料:助焊劑(jì),印刷電(diàn)路(lù)板,光(guāng)刻膠,釺料,樹(shù)脂,導電(diàn)膠等有(yǒu)關(guān)印(yìn)刷電(diàn)路(lù)板,密度(dù)高的(dí)封裝材料;

3.半導體:PPV,NDI,OFETs,OSCs,OLEDs等;

4.電子元(yuán)器件:電容(róng),連(lián)接器等(děng)其(qí)他電子(zǐ)元器件及材(cái)料;

5.絕(jué)緣材料(liào):各(gè)種絕緣(yuán)材(cái)料的吸濕性特(tè)性評估。


絕緣(yuán)電阻劣(liè)化與(yǔ)離(lí)子遷(qiān)移綜合評估(gū)係統


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