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  • HCLD-III工(gōng)程塑(sù)料高(gāo)壓漏(lòu)電起痕(hén)試(shì)驗(yàn)裝置測(cè)試儀
    HCLD-III工程(chéng)塑(sù)料(liào)高(gāo)壓(yā)漏電起痕試(shì)驗(yàn)裝置(zhì)測試(shì)儀(yí)

    更新時間:2024-06-05

    型(xíng)號:HCLD-III

    瀏覽(lǎn)量:2781

    HCDH-200工程塑料(liào)高壓(yā)漏(lòu)電起痕(hén)試(shì)驗裝(zhuāng)置(zhì)測(cè)試儀是在(zài)固(gù)體絕緣材料表麵上,在(zài)規(guī)定尺寸(cùn)( 2mm × 5mm )的鉑(bó)電(diàn)極之(zhī)間(jiān),施(shī)加(jiā)某(mǒu)一電壓並定時(30s)定(dìng)高(gāo)度( 35mm )滴下(xià)規定(dìng)液滴(dī)體(tǐ)積的汙染液體(tǐ)(0.1%NH 4 CL),用以評價(jià)固體絕緣(yuán)材(cái)料表(biǎo)麵在電場和汙(wū)染介質聯合(hé)作用下的耐(nài)受(shòu)能(néng)力(lì),測定其相比(bǐ)電(diàn)痕化指數(CT1)和耐(nài)電(diàn)痕化指(zhǐ)數(shù)(PT1)。
    了(liǎo)解(jiě)詳(xiáng)情(qíng)
  • HCLD-III反(fǎn)應快高壓(yā)漏電起痕(hén)試(shì)驗裝置測(cè)試(shì)儀(yí)器(qì)
    HCLD-III反應(yīng)快高壓漏電起痕試驗裝置測試儀(yí)器

    更新時(shí)間:2024-06-05

    型號:HCLD-III

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    HCDH-200反(fǎn)應快(kuài)反(fǎn)應(yīng)快高(gāo)壓漏電起(qǐ)痕試驗裝(zhuāng)置(zhì)測試(shì)儀器(qì)是在固體絕緣(yuán)材(cái)料(liào)表(biǎo)麵上,在(zài)規(guī)定尺寸( 2mm × 5mm )的鉑(bó)電(diàn)極之(zhī)間,施(shī)加(jiā)某一(yī)電壓(yā)並(bìng)定時(30s)定高度( 35mm )滴下(xià)規定液滴體積的(dí)汙染(rǎn)液體(0.1%NH 4 CL),用(yòng)以(yǐ)評價固體(tǐ)絕(jué)緣(yuán)材(cái)料(liào)表麵(miàn)在電場和汙染介(jiè)質(zhì)聯合(hé)作(zuò)用(yòng)下的耐受(shòu)能(néng)力,測(cè)定其(qí)相比電(diàn)痕(hén)化(huà)指數(CT1)和(hé)耐電痕(hén)化(huà)指(zhǐ)數(PT1)。
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  • HCLD-III電(diàn)工電直(zhí)子(zǐ)高(gāo)壓漏電(diàn)起痕試驗(yàn)裝(zhuāng)置測試儀器(qì)
    HCLD-III電工電(diàn)直子高(gāo)壓漏電(diàn)起痕(hén)試驗(yàn)裝置測(cè)試儀器

    更新(xīn)時(shí)間:2024-06-05

    型號:HCLD-III

    瀏(liú)覽量(liáng):2880

    HCDH-200電工(gōng)電(diàn)直子高(gāo)壓(yā)漏電(diàn)起痕(hén)試(shì)驗(yàn)裝置測試儀器是在(zài)固(gù)體絕(jué)緣(yuán)材(cái)料(liào)表麵(miàn)上,在規定(dìng)尺寸(cùn)( 2mm × 5mm )的鉑(bó)電極之(zhī)間,施加某一(yī)電(diàn)壓並(bìng)定時(shí)(30s)定高度( 35mm )滴下(xià)規定(dìng)液滴體積的汙染液(yè)體(0.1%NH 4 CL),用以評價固(gù)體絕緣材料(liào)表麵在電場和汙染介質(zhì)聯合(hé)作(zuò)用下(xià)的(dí)耐(nài)受(shòu)能力,測定(dìng)其(qí)相比電痕化指數(shù)(CT1)和(hé)耐電痕化(huà)指數(shù)(PT1)。
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  • HCLD-III絕(jué)緣材(cái)料高壓漏電(diàn)起痕試(shì)驗裝(zhuāng)置
    HCLD-III絕(jué)緣材料高壓(yā)漏電(diàn)起痕(hén)試(shì)驗裝置(zhì)

    更(gēng)新時(shí)間(jiān):2024-06-05

    型(xíng)號:HCLD-III

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    HCDH-200絕(jué)緣材料(liào)高(gāo)壓(yā)漏電起痕(hén)試驗(yàn)裝置是在固體絕緣材(cái)料表麵上,在規(guī)定(dìng)尺(chǐ)寸( 2mm × 5mm )的鉑(bó)電極之間(jiān),施加某(mǒu)一電(diàn)壓並定(dìng)時(30s)定(dìng)高(gāo)度( 35mm )滴(dī)下(xià)規(guī)定液滴(dī)體積的汙染(rǎn)液體(0.1%NH 4 CL),用以評價(jià)固體絕緣材(cái)料(liào)表麵(miàn)在電(diàn)場(cháng)和汙染(rǎn)介質(zhì)聯合作(zuò)用(yòng)下(xià)的(dí)耐受(shòu)能(néng)力,測定(dìng)其(qí)相(xiāng)比(bǐ)電(diàn)痕化(huà)指數(shù)(CT1)和(hé)耐(nài)電(diàn)痕(hén)化指(zhǐ)數(PT1)。
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  • HCLD-III電氣絕(jué)緣(yuán)材料高壓(yā)漏(lòu)電起(qǐ)痕(hén)試驗裝置(zhì)
    HCLD-III電氣絕(jué)緣材(cái)料(liào)高壓漏(lòu)電起痕試驗裝置

    更(gēng)新(xīn)時間:2024-06-05

    型(xíng)號(hào):HCLD-III

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    HCDH-200電氣絕緣材料高壓(yā)漏電起(qǐ)痕試驗裝置是(shì)在固體絕緣材(cái)料表麵(miàn)上(shàng),在(zài)規定(dìng)尺(chǐ)寸( 2mm × 5mm )的鉑電極(jí)之(zhī)間(jiān),施加(jiā)某(mǒu)一電壓(yā)並(bìng)定時(shí)(30s)定高(gāo)度( 35mm )滴下規(guī)定液滴(dī)體(tǐ)積(jī)的(dí)汙染液(yè)體(0.1%NH 4 CL),用(yòng)以評價固(gù)體絕緣材料(liào)表(biǎo)麵(miàn)在(zài)電場和(hé)汙染介質(zhì)聯合作用下(xià)的(dí)耐受能(néng)力,測(cè)定其(qí)相比(bǐ)電(diàn)痕(hén)化(huà)指(zhǐ)數(CT1)和耐電(diàn)痕(hén)化(huà)指(zhǐ)數(shù)(PT1)。
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  • HCLD-III控製精(jīng)密高(gāo)壓漏(lòu)電(diàn)起痕試(shì)驗(yàn)裝(zhuāng)置測試儀(yí)器
    HCLD-III控(kòng)製精(jīng)密(mì)高(gāo)壓漏電起痕試(shì)驗裝置測試(shì)儀器(qì)

    更新時間(jiān):2024-06-05

    型(xíng)號(hào):HCLD-III

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    HCDH-200控製(zhì)精(jīng)密(mì)高(gāo)壓漏電(diàn)起(qǐ)痕試驗裝置測試儀(yí)器是在固體絕(jué)緣材料(liào)表(biǎo)麵上,在(zài)規(guī)定(dìng)尺寸( 2mm × 5mm )的(dí)鉑電(diàn)極(jí)之間(jiān),施(shī)加某(mǒu)一電壓並定時(30s)定高(gāo)度( 35mm )滴下規(guī)定液滴體(tǐ)積(jī)的(dí)汙染液體(0.1%NH 4 CL),用以評價固體(tǐ)絕緣(yuán)材(cái)料(liào)表(biǎo)麵在(zài)電(diàn)場和汙染介質(zhì)聯合作用下的耐(nài)受能力(lì),測(cè)定(dìng)其(qí)相比電痕化(huà)指(zhǐ)數(CT1)和(hé)耐(nài)電痕化(huà)指(zhǐ)數(PT1)。
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  • HCLD-III操作簡(jiǎn)單高壓漏(lòu)電起(qǐ)痕試驗(yàn)裝置測試(shì)儀器
    HCLD-III操作簡單高(gāo)壓漏電起痕試驗裝置測試儀(yí)器(qì)

    更新時間:2024-06-05

    型號:HCLD-III

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    HCDH-200操(cāo)作(zuò)簡(jiǎn)單(dān)高壓漏電(diàn)起(qǐ)痕(hén)試驗(yàn)裝(zhuāng)置(zhì)測試儀(yí)器是在(zài)固體絕(jué)緣材(cái)料表麵(miàn)上(shàng),在規(guī)定尺寸( 2mm × 5mm )的鉑電極之(zhī)間(jiān),施加(jiā)某(mǒu)一電壓(yā)並定時(30s)定高度(dù)( 35mm )滴下(xià)規(guī)定(dìng)液滴體積的汙(wū)染(rǎn)液體(0.1%NH 4 CL),用(yòng)以評(píng)價固(gù)體絕(jué)緣(yuán)材料(liào)表(biǎo)麵(miàn)在電場和汙染介質聯合作(zuò)用下的耐受(shòu)能(néng)力,測(cè)定(dìng)其相比電痕(hén)化指數(CT1)和耐電痕化指(zhǐ)數(shù)(PT1)。
    了(liǎo)解(jiě)詳(xiáng)情(qíng)
  • HCLD-III高壓(yā)漏(lòu)電起痕(hén)試(shì)驗(yàn)裝(zhuāng)置測(cè)試儀器(qì)
    HCLD-III高壓漏電起痕試驗裝(zhuāng)置測試(shì)儀(yí)器(qì)

    更(gēng)新時間:2025-07-29

    型號:HCLD-III

    瀏(liú)覽量(liáng):2108

    高壓(yā)漏(lòu)電(diàn)起(qǐ)痕試驗(yàn)裝(zhuāng)置測(cè)試儀器,在固(gù)體絕緣材料(liào)表麵上,在規(guī)定(dìng)尺寸( 2mm × 5mm )的(dí)鉑電極之間,施加(jiā)某(mǒu)一(yī)電壓並(bìng)定時(30s)定高度(dù)( 35mm )滴下(xià)規(guī)定(dìng)液(yè)滴體(tǐ)積(jī)的汙染(rǎn)液(yè)體(0.1%NH 4 CL),用以評價(jià)固體絕緣材(cái)料表麵在(zài)電場(cháng)和(hé)汙染(rǎn)介(jiè)質聯合(hé)作(zuò)用(yòng)下的耐受能力,測定其相比(bǐ)電(diàn)痕(hén)化(huà)指數(shù)(CT1)和耐電(diàn)痕(hén)化指數(PT1)。
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