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標(biāo)準設備(bèi)

電壓擊穿測試儀耐電(diàn)弧(hú)試驗儀高壓，低壓(yā)漏電起痕(hén) 表麵體積電(diàn)阻率(shuài)（高(gāo)阻計(jì)）電(diàn)弱點(diǎn)試驗儀(yí) 50點(diǎn)耐壓(yā)測試儀(yí)

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華(huá)測(cè)儀器HCLD-2塑料(liào)漏電起痕老(lǎo)化(huà)試(shì)驗設備用(yòng)以(yǐ)評(píng)價(jià)固體(tǐ)絕(jué)緣(yuán)材料(liào)表(biǎo)麵(miàn)在電(diàn)場(cháng)和潮濕或汙染(rǎn)介(jiè)質聯(lián)合作用下(xià)的耐(nài)漏電性能，測(cè)定其相(xiāng)比(bǐ)電痕(hén)化指(zhǐ)數 (CTI) 和耐電痕化(huà)指(zhǐ)數(PTI) 。
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HCLD-2絕(jué)緣材(cái)料(liào)漏電(diàn)起(qǐ)痕測(cè)試(shì)儀

更(gēng)新時(shí)間：2026-06-12

型(xíng)號(hào)：HCLD-2

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華(huá)測儀器HCLD-2絕(jué)緣材料漏電起痕測試儀電(diàn)痕(hén)化(huà)是指(zhǐ)固(gù)體(tǐ)絕緣材(cái)料在電(diàn)應力(lì)和(hé)電(diàn)解雜(zá)質的(dí)聯(lián)合(hé)作用下(xià)，在表麵(miàn)（或內(nèi)部）產生導電通(tōng)道。
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HCLD-2固體絕緣材(cái)料(liào)低壓(yā)耐(nài)電痕(hén)測(cè)試裝置

更(gēng)新(xīn)時間：2026-06-12

型(xíng)號(hào)：HCLD-2

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華測儀器(qì)HCLD-2固(gù)體(tǐ)絕緣材料(liào)低壓(yā)耐電(diàn)痕測試(shì)裝置(zhì)是(shì)根據耐漏電起(qǐ)痕試驗（電痕(hén)化指(zhǐ)數(shù)試驗）的標準，規定的(dí)模擬(nǐ)仿真(zhēn)試(shì)驗(yàn)項(xiàng)目。
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型(xíng)號：HCLD-2

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華測儀(yí)器(qì)HCLD-2 CTI 絕(jué)緣材(cái)料(liào)低(dī)壓漏電起痕(hén)測試係(xì)統用(yòng)以(yǐ)評(píng)價(jià)固體絕緣材料表麵(miàn)在(zài)電場和(hé)潮(cháo)濕(shī)或汙染介質聯合(hé)作(zuò)用(yòng)下的耐漏電(diàn)性(xìng)能，測定其(qí)相(xiāng)比電痕化(huà)指(zhǐ)數 (CTI) 和(hé)耐(nài)電痕(hén)化(huà)指(zhǐ)數(shù)(PTI) 。
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